WCMA1008C1X
128K ×8静态RAM
特点
电压范围
—
4.5V–5.5V
低有功功率
- 典型工作电流： 6毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机电流
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE为特色的
Tures的
CMOS的最佳速度/功耗
（OE）和三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能，可降低功耗更
超过75％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低电平，片选2
（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE）和芯片使能2 （ CE
2
）高。在这些
的条件下，存储单元的由所指定的内容
地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平）
该WCMA1008C1X可在一个标准的32针
450密耳宽体宽SOIC和32引脚TSOP I型
功能说明
该WCMA1008C1X是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 128K字。容易记忆expan-
锡安是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，一个应答
略去高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能
逻辑框图
引脚配置
顶视图
SOIC
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
行解码器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
动力
下
512x 256x 8
ARRAY
CE1
CE2
WE
OE
COLUMN
解码器
A9
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
I / O 6
I / O 7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
TSOP I
顶视图
（不按比例）
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
I / O
6
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
2002年4月5日
WCMA1008C1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND ....... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................... 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
产品组合
功耗
经营，国际商会
V
CC
范围
产品
WCMA1008C1X
分钟。
4.5 V
典型值。
[2]
5.0V
马克斯。
5.5V
速度
70纳秒
55纳秒
温度。
Ind'l
f = f
最大
典型值。
[2]
6毫安
7.5毫安
马克斯。
15毫安
20毫安
典型值。
[2]
4
A
马克斯。
20
A
待机（我
SB2
)
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
4.5V–5.5V
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型的值在V测量
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，并纳入仅供参考，未经测试或保证。
第11 2
WCMA1008C1X
电气特性
在整个工作范围
参
ETER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
WCMA1008C1X-55
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，显示输出
体健
f=f
最大
=1/t
RC
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= - 1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–1
7.5
0.1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+1
20
2
2.2
–0.3
–1
–1
6
0.1
典型值。
[2]
马克斯。
WCMA1008C1X-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+1
15
1
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
最大。 V
CC
，CE
1
≥V
IH
，CE
2
＆ LT ; V
IH
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
–
0.3V,CE
2
<0.3
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
I
SB2
2.5
15
15
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 1800
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
990
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
3.0V
90%
GND
≤
3纳秒
R1 1800
5V
产量
所有的输入脉冲
90%
10%
≤
3纳秒
10%
(a)
相当于：
戴维南等效
639
1.77V
产量
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
第11 3
WCMA1008C1X
开关特性
[4]
在整个工作范围
55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写地址保持
结束
地址建立撰写
开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[5, 6]
WE低到高Z
[6]
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从报告数据保持
变化
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[5]
OE高到高Z
[5, 6]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[5]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[5, 6]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到低功耗模式，
CE
2
低到掉电
0
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
LOW和CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
高启动
写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
第11 4
WCMA1008C1X
128K ×8静态RAM
特点
电压范围
—
4.5V–5.5V
低有功功率
- 典型工作电流： 6毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机电流
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE为特色的
Tures的
CMOS的最佳速度/功耗
（OE）和三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能，可降低功耗更
超过75％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低电平，片选2
（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE）和芯片使能2 （ CE
2
）高。在这些
的条件下，存储单元的由所指定的内容
地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平）
该WCMA1008C1X可在一个标准的32针
450密耳宽体宽SOIC和32引脚TSOP I型
功能说明
该WCMA1008C1X是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 128K字。容易记忆expan-
锡安是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，一个应答
略去高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能
逻辑框图
引脚配置
顶视图
SOIC
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
行解码器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
动力
下
512x 256x 8
ARRAY
CE1
CE2
WE
OE
COLUMN
解码器
A9
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
I / O 6
I / O 7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
TSOP I
顶视图
（不按比例）
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
I / O
6
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
2002年4月5日
WCMA1008C1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND ....... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................... 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
产品组合
功耗
经营，国际商会
V
CC
范围
产品
WCMA1008C1X
分钟。
4.5 V
典型值。
[2]
5.0V
马克斯。
5.5V
速度
70纳秒
55纳秒
温度。
Ind'l
f = f
最大
典型值。
[2]
6毫安
7.5毫安
马克斯。
15毫安
20毫安
典型值。
[2]
4
A
马克斯。
20
A
待机（我
SB2
)
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
4.5V–5.5V
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型的值在V测量
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，并纳入仅供参考，未经测试或保证。
第11 2
WCMA1008C1X
电气特性
在整个工作范围
参
ETER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
WCMA1008C1X-55
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，显示输出
体健
f=f
最大
=1/t
RC
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= - 1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–1
7.5
0.1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+1
20
2
2.2
–0.3
–1
–1
6
0.1
典型值。
[2]
马克斯。
WCMA1008C1X-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+1
15
1
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
最大。 V
CC
，CE
1
≥V
IH
，CE
2
＆ LT ; V
IH
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
–
0.3V,CE
2
<0.3
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
I
SB2
2.5
15
15
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 1800
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
990
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
3.0V
90%
GND
≤
3纳秒
R1 1800
5V
产量
所有的输入脉冲
90%
10%
≤
3纳秒
10%
(a)
相当于：
戴维南等效
639
1.77V
产量
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
第11 3
WCMA1008C1X
开关特性
[4]
在整个工作范围
55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写地址保持
结束
地址建立撰写
开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[5, 6]
WE低到高Z
[6]
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从报告数据保持
变化
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[5]
OE高到高Z
[5, 6]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[5]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[5, 6]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到低功耗模式，
CE
2
低到掉电
0
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
LOW和CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
高启动
写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
第11 4
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