S1016C1C
WCFS1016C1C
64K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供400万SOJ
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该WCFS1016C1C是400密耳宽SOJ packag-可用
ES 。
功能说明
该WCFS1016C1C是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。该器件具有一个非盟
tomatic掉电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
SOJ
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
选购指南
WCFS1016C1C为12ns
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
12
140
10
WCFS1016C1C为15ns
15
130
10
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
修订后的2002年2月14日
WCFS1016C1C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
TEST
条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
输入负载
当前
产量
泄漏
当前
输出短路
电路
当前
[3]
V
CC
操作
供应
当前
自动CE
掉电
当前
-TTL输入
自动CE
掉电
当前
-CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE >
V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ;
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
WCFS1016C1C为12ns
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+1
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
WCFS1016C1C为15ns
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+1
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
I
OS
–300
–300
mA
I
CC
140
130
mA
I
SB1
40
40
mA
I
SB2
10
10
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
第2 9
WCFS1016C1C
开关特性
[5]
在整个工作范围
WCFS1016C1C为12ns
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
8
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
9
0
6
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
0
12
6
0
7
3
6
0
15
7
0
6
3
7
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
WCFS1016C1C为15ns
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须为低电平启动
写，和这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿是
结束写入。
第4页第9
WCFS1016C1C
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
[10, 11]
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
第5 9
S1016C1C
WCFS1016C1C
64K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供400万SOJ
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该WCFS1016C1C是400密耳宽SOJ packag-可用
ES 。
功能说明
该WCFS1016C1C是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。该器件具有一个非盟
tomatic掉电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
SOJ
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
选购指南
WCFS1016C1C为12ns
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
12
140
10
WCFS1016C1C为15ns
15
130
10
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
修订后的2002年2月14日
WCFS1016C1C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
TEST
条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
输入负载
当前
产量
泄漏
当前
输出短路
电路
当前
[3]
V
CC
操作
供应
当前
自动CE
掉电
当前
-TTL输入
自动CE
掉电
当前
-CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE >
V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ;
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
WCFS1016C1C为12ns
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+1
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
WCFS1016C1C为15ns
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+1
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
I
OS
–300
–300
mA
I
CC
140
130
mA
I
SB1
40
40
mA
I
SB2
10
10
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
第2 9
WCFS1016C1C
开关特性
[5]
在整个工作范围
WCFS1016C1C为12ns
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
8
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
9
0
6
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
0
12
6
0
7
3
6
0
15
7
0
6
3
7
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
WCFS1016C1C为15ns
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须为低电平启动
写，和这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿是
结束写入。
第4页第9
WCFS1016C1C
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
[10, 11]
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
第5 9
QQ：2880707522 复制
