W9864G6DB

1M

×

4银行

×

16位SDRAM

表盒内的

1.一般DESCRIPTION.................................................................................................................. 3

2.特点......................................................................................................................................... 3

3.可用零件NUMBER.............................................................................................................. 3

4.引脚配置....................................................................................................................... 4

5.引脚说明.............................................................................................................................五

6.框图.............................................................................................................................. 6

7.功能DESCRIPTION............................................................................................................ 7

电和Initialization................................................................................................................ 7

编程模式寄存器............................................................................................................ 7

银行激活Command................................................................................................................... 7

读取和写入访问Modes......................................................................................................... 7

突发读Command....................................................................................................................... 8

突发命令................................................................................................................................ 8

阅读打断一Read.............................................................................................................. 8

阅读打断写.............................................................................................................. 8

写是写中断.............................................................................................................. 8

写了一个读取中断.............................................................................................................. 8

突发停止命令........................................................................................................................ 8

解决连续序列模式............................................. .......................................... 9

解决交错模式序列............................................. ........................................... 9

自动预充电Command.............................................................................................................. 10

预充电命令...................................................................................................................... 10

自刷新Command................................................................................................................... 10

掉电模式.......................................................................................................................... 10

没有操作命令................................................................................................................. 11

取消Command......................................................................................................................... 11

时钟挂起模式...................................................................................................................... 11

表操作的Modes............................................................................................................... 12

简化的状态Diagram................................................................................................................. 13

8.直流特性.................................................................................................................. 14

绝对最大额定值.............................................................................................................. 14

建议的直流工作条件.............................................. ......................................... 14

电容.................................................................................................................................... 14

出版日期： 2003年1月27日

修订版A1

-1-

W9864G6DB

直流特性.......................................................................................................................... 15

9.交流特性.................................................................................................................. 16

10.时序波形................................................................................................................... 19

命令输入时序................................................................................................................... 19

读时序.................................................................................................................................... 20

输入数据的控制时序........................................................................................................... 21

输出数据的控制时序........................................................................................................ 22

模式寄存器设置循环................................................................................................................ 23

11.工作时序EXAMPLE.................................................................................................... 24

交错读取银行（突发长度= 4 ， CAS延时= 3 ） .................................... .................... 24

交错读取银行（突发长度= 4 ， CAS延时= 3 ，自动预充电） ............................. 25

交错读取银行（突发长度= 8 ， CAS延时= 3 ） .................................... .................... 26

交错读取银行（突发长度= 8 ， CAS延时= 3 ，自动预充电） ............................. 27

交错的银行写（突发长度= 8 ） ......................................... ............................................. 28

交错的银行写（突发长度= 8 ，自动预充电） ..................................... .................... 29

页面模式读取（突发长度= 4 ， CAS延时= 3 ） .................................... ............................. 30

页面模式读取/写入（突发长度= 8 ， CAS延时= 3 ） ................................. ..................... 31

自动预充电阅读（突发长度= 4 ， CAS延时= 3 ） .................................... ...................... 32

自动预充电写（突发长度= 4 ） ......................................... ............................................... 33

自动刷新周期......................................................................................................................... 34

自刷新Cycle........................................................................................................................... 35

胸围阅读并单写（突发长度= 4 ， CAS延时= 3 ） ................................. ............... 36

掉电模式.......................................................................................................................... 37

自动预充电时间（写周期） ........................................... .................................................. 38

自动预充电时间（读周期） ........................................... .................................................. 39

时序图读来写周期........................................... .................................................. 40 ..

写时序图，以读周期........................................... .................................................. .. 41

突发停止周期的时序图（突发停止命令） ....................................... ....................... 42

突发停止周期的时序图（预充电命令） ........................................ ...................... 43

CKE / DQM输入时序（写周期） ......................................... .................................................. .. 44

CKE / DQM输入时序（读周期） ......................................... .................................................. 45

自刷新/掉电模式退出时机.......................................... ........................................ 46

12.包装尺寸............................................................................................................... 47

BGA 60球间距= 0.65 mm........................................................................................................ 47

13.版本历史....................................................................................................................... 48

-2-

W9864G6DB

1.概述

W9864G6DB是一个高速的同步动态随机存取存储器（SDRAM） ，组织成

100万字

×

4银行

×

16位。采用流水线结构和0.175

m

工艺技术，

W9864G6DB提供每秒（-7）高达286M字节的数据带宽。

W9864G6DB -7 。

访问到SDRAM是突发式。在一个页面上连续的存储位置可以是

在一个脉冲串长度为1，2 ，4，8或整页时，组和行被选中的主动访问

命令。列地址是由突发的SDRAM内部计数器自动生成

操作。随机读取的列，也可以通过在每一个时钟周期提供其地址。该

多个银行的特性使内部银行之间交错隐藏预充电时间。

通过具有可编程的模式寄存器，系统可以改变脉冲串的长度，延迟周期

交错或顺序突发最大限度地发挥其性能。 W9864G6DB是理想的主存

高性能的应用。

2.特点

2.7V

3.6V电源

1048576字

×

4银行

×

16位组织

自刷新电流：标准和低功耗

CAS延迟： 2和3

突发长度：1 ，2，4 ，8，和全页

顺序和交织突发

突发读取单一写操作

通过DQM字节的数据可控

掉电模式

自动预充电和预充电控制

4K刷新周期/ 64毫秒

接口： LVTTL

封装在BGA 60球间距= 0.65毫米，采用无铅材料

3.可用的零件号

产品型号

速度（CL = 3）的

自刷新电流（最大值）。

W9864G6DB-7

143兆赫

1毫安

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出版日期： 2003年1月27日

修订版A1

W9864G6DB

4.引脚配置

顶视图

1 2

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

R

VSS

DQ14

DQ13

DQ12

DQ10

DQ9

DQ8

NC

NC

NC

CKE

A11

A8

A6

VSS

DQ15

VSSQ

VDDQ

DQ11

VSSQ

VDDQ

NC

VSS

UDQM

CLK

NC

A9

A7

A5

A4

DQ0

VDDQ

VSSQ

DQ4

VDDQ

VSSQ

NC

VDD

LDQM

RAS ＃

NC

BS1

A0

A2

A3

6 7

VDD

DQ1

DQ2

DQ3

DQ5

DQ6

DQ7

NC

WE＃

CAS ＃

CS ＃

BS0

A10

A1

VDD

VDD

DQ1

DQ2

DQ3

DQ5

DQ6

DQ7

NC

WE＃

底部视图

7 6

2 1

DQ0

VDDQ

VSSQ

DQ4

VDDQ

VSSQ

NC

VDD

LDQM

RAS ＃

NC

BS1

A0

A2

A3

DQ15

VSSQ

VDDQ

DQ11

VSSQ

VDDQ

NC

VSS

UDQM

CLK

NC

A9

A7

A5

A4

VSS

DQ14

DQ13

DQ12

DQ10

DQ9

DQ8

NC

NC

NC

CKE

A11

A8

A6

VSS

CAS ＃

CS ＃

BS0

A10

A1

VDD

-4-

W9864G6DB

5.引脚说明

球定位销名

功能

描述

M1，M2， N1，N2

N6 ，N7， P1，P2

P6 ，P7 ，R6

M6, M7

A2 ，A6， B1 ，B7，

C1 ，C7， D1，D2

D6，D7 ，E1， E7，

F 1， F 7 ，G1， G7

L7

A0

A11

地址

复用管脚的行和列地址。排

地址： A0

A11 。列地址： A0

A7.

预充电命令时A10采样

确定是否所有银行都必须预充电或银行

通过BS0 ， BS1选择。

选择银行时行地址锁存器的时间来启动，

银行或读/时地址锁存时间写。

复用引脚用于数据输出和输入。

禁用或启用命令解码器。当

指令译码器被禁用，新的命令是

忽略与先前操作继续。

BS0 ， BS1

DQ0

DQ15

BANK SELECT

数据输入/

产量

CS

芯片选择

K6

RAS

指令输入。当在上升沿采样

行地址

时钟

RAS

,

CAS

和

WE

定义

频闪

要执行的操作。

COLUMN

地址

频闪

写使能

输入/输出

面膜

时钟输入

时钟使能

简称

RAS

简称

RAS

输出缓冲器被置于高阻态（具有2延迟）

当DQM采样高的读周期。在写

周期，采样DQM高将阻止写

操作零延迟。

用于采样输入的上升沿系统时钟

时钟的边沿。

CKE控制时钟激活和去激活。

当CKE为低，省电模式，Suspend

模式，或自刷新模式进入。

地进行输入缓冲器和逻辑电路内

DRAM 。

K7

J7

J6, J5

CAS

WE

UDQM

LDQM

CLK

CKE

V

DD

V

SS

V

DDQ

V

SSQ

NC

K2

L1

A7 ， H6 ， R7

A 1 ，H 2， R 1

B 6， C 2， E 6 ，F2

B 2， C 6 ，E2 F6

G2 ， G6 ， H1 ， H7 ，

J1， K1 ，L2， L6

电源（ + 3.3V ）电源的输入缓冲器和内部DRAM逻辑电路。

地

电源（ + 3.3V ）从V电源分离

DD

，提高DQ噪音

对于I / O缓冲区的免疫力。

地面的I / O V地分居

SS

，提高DQ噪音

卜FF器

免疫力。

无连接无连接

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出版日期： 2003年1月27日

修订版A1