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W982516AH
4M
×
4银行
×
16位SDRAM
概述
W982516AH是一个高速的同步动态随机存取存储器(SDRAM) ,组织成
4M字
×
4银行
×
16位。采用流水线结构和0.175
m
工艺技术,
W982516AH提供每秒(-7)高达143M字的数据带宽。为了完全符合
个人电脑行业标准, W982516AH被分类为三个速度等级: -7 , -75 ,和 -
8H 。 -7兼容的143兆赫/ CL3或PC133 / CL2规范,在-75是符合的
PC133 / CL3说明书中, -8H是柔顺的PC100 / CL2的规范。对于手持设备
应用程序中,我们也正在提供一个低功耗选项, 75L的档次,与自刷新电流
1mA.
访问到SDRAM是突发式。在一个页面上连续的存储位置可以是
在一个脉冲串长度为1,2 ,4,8或整页时,组和行被选中的主动访问
命令。列地址是由突发的SDRAM内部计数器自动生成
操作。随机读取的列,也可以通过在每一个时钟周期提供其地址。该
多个银行的特性使内部银行之间交错隐藏预充电时间。
通过具有可编程的模式寄存器,系统可以改变脉冲串的长度,延迟周期
交错或顺序突发最大限度地发挥其性能。 W982516AH是理想的主存
高性能的应用。
特点
3.3V
±0.3V
电源
高达143 MHz的时钟频率
4,194,304词
×
4银行
×
16位组织
自刷新模式:标准模式和低功耗
CAS延迟: 2和3
突发长度:1 ,2,4 ,8,和全页
突发读取,写入单一模式
通过LDQM , UDQM控制字节数据
掉电模式
自动预充电和预充电控制
8K刷新周期/ 64毫秒
接口: LVTTL
包装TSOP II 54针, 400万 - 0.80
可用零件编号
产品型号
W982516AH-7
W982516AH-75
W982516AH-8H
W982516AH75L
速度等级
PC133/CL2
PC133/CL3
PC100/CL2
PC133/CL3
自刷新电流
( MAX 。 )
3毫安
3毫安
3毫安
1毫安
-1-
出版日期: 2001年2月
A2版
W982516AH
引脚配置
V
CC
DQ0
V
C C
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
C C
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
CC
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BS0
BS1
A 1 0 / AP
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
C C
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
C C
Q
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
-2-
W982516AH
引脚说明
PIN号
2326, 22,
2936
20, 21
引脚名称
A0A12
BS0 , BS1
功能
地址
BANK SELECT
描述
复用管脚的行和列地址。
行地址: A0 - A12 。列地址: A0 - A8 。
选择银行时行地址锁存器时,可以激活,或
银行读/时地址锁存时间写。
2, 4, 5, 7, 8, 10,
11, 13, 42, 44,
DQ0DQ16
45, 47, 48, 50,
51, 53
19
CS
数据
复用引脚用于数据输出和输入。
输入/输出
禁用或启用命令解码器。当
指令译码器被禁用,新的命令是
忽略与先前操作继续。
芯片选择
18
RAS
指令输入。当在上升沿采样
行地址
时钟, RAS , CAS和WE定义操作
频闪
被执行。
COLUMN
地址
频闪
简称RAS
17
16
CAS
WE
LDQM ,
UDQM
写使能简称RAS
输出缓冲器被置于高阻态(具有2延迟)
输入/输出时, DQM采样高的读周期。在写
周期,采样DQM高将阻止写操作
面膜
零延迟。
时钟输入
用于采样输入的上升沿系统时钟
的时钟。
15, 39
38
CLK
37
1, 14, 27
28, 41, 54
3, 9, 43, 49
6, 12, 46, 52
40
CKE
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
CKE控制时钟激活和去激活。
时钟使能当CKE为低,省电模式,待机模式,
或自刷新模式进入。
电源( + 3.3V )电源的输入缓冲器和内部DRAM逻辑电路。
地进行输入缓冲器和内部DRAM的逻辑电路。
电源( + 3.3V )从V电源分离
CC
,提高DQ噪音
对于I / O缓冲区的免疫力。
从V地面分离
SS
,提高DQ噪音
对于I / O缓冲区的免疫力。
无连接无连接
-3-
出版日期: 2001年2月
A2版
W982516AH
框图
CLK
时钟
卜FF器
CKE
CS
控制
信号
RAS
命令
CAS
解码器
发电机
列解码器
WE
列解码器
行解码器
行解码器
电池阵列
银行# 0
电池阵列
银行# 1
A10
A0
地址
卜FF器
模式
- [R E G IST é
检测放大器
检测放大器
A9
A11
A12
BS0
BS1
DATA CONTROL
电路
DQ
卜FF器
DQ0
DQ15
刷新
计数器
COLUMN
计数器
LDQM
UDQM
列解码器
列解码器
行解码器
电池阵列
银行# 2
行解码器
电池阵列
银行# 3
检测放大器
检测放大器
注意:单元阵列结构是8192 * 512 * 16 。
-4-
W982516AH
绝对最大额定值
参数
输入,输出电压
电源电压
工作温度
储存温度
焊接温度( 10秒)
功耗
短路输出电流
符号
V
IN,
V
OUT
V
CC
, V
CCQ
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
等级
-0.3
V
CC
+0.3
-0.34.6
070
-55150
260
1
50
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
笔记
1
1
1
1
1
1
1
注1 :暴露在超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
建议的直流工作条件
值(TA = 0 70℃ )
参数
电源电压
电源电压( I / O
缓冲区)
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
CCQ
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
3.3
-
-
马克斯。
3.6
3.6
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
2
2
2
2
注2 : V
IH
(MAX) = V
CC
/ V
CC
Q + 1.2V的脉冲宽度< 5纳秒
V
IL
(分钟) = V
SS
/ V
SS
Q- 1.2V的脉冲宽度< 5纳秒
电容
(V
CC
= 3.3V , F = 1 MHz时,T
A
= 25°C)
参数
输入电容
( A0到A12 , BS0 , BS1 , CS , RAS , CAS,WE , LDQM ,
UDQM , CKE )
输入电容( CLK )
输入/输出电容
注:这些参数周期性采样,而不是100 %测试。
符号
C
I
分钟。
-
马克斯。
3.8
单位
pf
C
CLK
C
IO
-
-
3.5
6.5
pf
pf
-5-
出版日期: 2001年2月
A2版
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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