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W9816G6CB
512K
×
2银行
×
16位SDRAM
表盒内的
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
概述......................................................................................................... 3
特点................................................................................................................................. 3
可用零件编号..................................................................................................... 3
BALL配置............................................................................................................ 4
PIN DESCRIPTION.....................................................................................................................五
框图...................................................................................................................... 6
功能说明................................................ .................................................. 7
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
7.10
7.11
7.12
7.13
7.14
7.15
7.16
7.17
7.18
7.19
7.20
8.
9.
上电和初始化.............................................. ............................................... 7
编程模式寄存器............................................... ........................................... 7
行激活命令............................................... ................................................. 7
读取和写入访问模式............................................. ......................................... 7
突发读取命令............................................... .................................................. 8 ...
突发写命令............................................... .................................................. 8 ...
读取读中断............................................. .............................................. 8
通过写读中断............................................. ............................................... 8
写是写中断............................................. ............................................... 8
写了一个读取中断............................................. ............................................... 8
突发停止命令..................................................................................................... 8
解决连续序列模式............................................. ....................... 9
解决交错模式序列............................................. ........................ 9
自动预充电命令.............................................. ............................................. 10
预充电Command.................................................................................................... 10
自刷新命令............................................... ................................................. 10
掉电模式....................................................................................................... 11
无操作Command............................................................................................... 11
取消命令...................................................................................................... 11
时钟暂停Mode.................................................................................................... 11
运行模式................................................................................................................. 12
电气CHARACTERISTICS......................................................................................... 13
9.1
9.2
绝对最大额定值............................................... ........................................... 13
建议的直流工作条件.............................................. ...................... 13
-1-
出版日期: 2007年8月23日
修订A3
W9816G6CB
9.3
9.4
9.5
10.
10.1
10.2
10.3
10.4
11.
11.1
11.2
11.3
11.4
11.5
11.6
11.7
11.8
11.9
11.10
11.11
11.12
11.13
11.14
11.15
11.16
11.17
11.18
11.19
11.20
11.21
11.22
12.
13.
12.1
电容.................................................................................................................. 13
DC Characteristics........................................................................................................ 14
AC特性........................................................................................................ 15
命令输入时序............................................... ................................................. 17
读Timing.................................................................................................................. 18
输入/输出数据控制时序........................................... .................................. 19
模式寄存器设置循环.............................................. ................................................ 20
交错读取银行(突发长度= 4 , CAS延时= 3 ) .................................... .. 21
交错读取银行(突发长度= 4 , CAS延时= 3 ,自动预充电) ........... 22
交错读取银行(突发长度= 8 , CAS延时= 3 ) .................................... .. 23
交错读取银行(突发长度= 8 , CAS延时= 3 ,自动预充电) ........... 24
交错的银行写(突发长度= 8 ) ......................................... .......................... 25
交错的银行写(突发长度= 8 ,自动预充电) ..................................... ... 26
页面模式读取(突发长度= 4 , CAS延时= 3 ) .................................... .......... 27
页面模式读取/写入(突发长度= 8 , CAS延时= 3 ) ................................. 28
自动预充电阅读(突发长度= 4 , CAS延时= 3 ) .................................... .... 29
自动预充电写(突发长度= 4 ) ......................................... ........................... 30
自动刷新周期..................................................................................................... 31
自刷新Cycle....................................................................................................... 32
突发读取和单写(突发长度= 4 , CAS延时= 3 ) ........................... 33
掉电模式...................................................................................................... 34
自动预充电时间(读周期) .......................................... ............................... 35
自动预充电时间(写周期) .......................................... ................................ 36
时序图读来写周期........................................... ................................ 37
写时序图,以读周期........................................... ................................ 37
突发停止周期的时序图(突发停止命令) ....................................... ... 38
突发停止周期的时序图(预充电命令) ........................................ .. 38
CKE / DQM输入时序(写周期) ......................................... ................................ 39
CKE / DQM输入时序(读周期) ......................................... ................................ 40
VFBGA60Ball ( 6.4X10.10毫米,焊球间距: 0.65毫米, O = 0.4mm间距) ............................... ...... 41
时序波形............................................................................................................. 17
工作时序例............................................... .............................................. 21
包规范................................................ .................................................. .. 41
修订历史................................................................................................................ 42
-2-
出版日期: 2007年8月23日
修订A3
W9816G6CB
1.概述
W9816G6CB是一个高速的同步动态随机存取存储器(SDRAM) ,组织成
512K字
×
2银行
×
16位。采用流水线架构和0.13微米制程技术,
访问到SDRAM是突发式。在一个页面上连续的存储位置可以是
在一个脉冲串长度为1,2 ,4,8或整页时,组和行被选中的主动访问
命令。列地址是由突发的SDRAM内部计数器自动生成
操作。随机读取的列,也可以通过在每一个时钟周期提供其地址。该
多个银行的特性使内部银行之间交错隐藏预充电时间。
通过具有可编程的模式寄存器,系统可以改变脉冲串的长度,延迟周期
交错或顺序突发最大限度地发挥其性能。 W9816G6CB是理想的主存
高性能的应用。
2.特点
为-7速度等级2.7V 3.6V电源
3.3V
±
0.3V电源为-6速度等级
524,288字×2组×16位的组织
自刷新电流:标准和低功耗
CAS延迟: 2和3
突发长度:1 ,2,4 ,8,和全页
突发读取,单写模式
通过UDQM和LDQM控制字节数据
自动预充电和预充电控制
4K刷新周期/ 64毫秒
接口: LVTTL
包装: VFBGA 60球间距= 0.65毫米,采用无铅符合RoHS标准
3.可用的零件号
产品型号
速度(CL = 3)的
自刷新电流(最大值)。
W9816G6CB-6
W9816G6CB-7
166MHz
143MHz
2mA
2mA
-3-
出版日期: 2007年8月23日
修订A3
W9816G6CB
4. BALL配置
顶视图
1 2
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
VSS
DQ14
DQ13
DQ12
DQ10
DQ9
DQ8
NC
NC
NC
CKE
BA
A8
A6
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ11
VSSQ
VDDQ
NC
NC
UDQM
CLK
NC
A9
A7
A5
A4
DQ0
VDDQ
VSSQ
DQ4
VDDQ
VSSQ
NC
NC
LDQM
RAS #
NC
NC
A0
A2
A3
底部视图
6 7
VDD
DQ1
DQ2
DQ3
DQ5
DQ6
DQ7
NC
WE#
CAS #
CS #
NC
A10
A1
VDD
VDD
DQ1
DQ2
DQ3
DQ5
DQ6
DQ7
NC
WE#
CAS #
CS #
NC
A10
A1
VDD
7 6
DQ0
VDDQ
VSSQ
DQ4
VDDQ
VSSQ
NC
NC
LDQM
RAS #
NC
NC
A0
A2
A3
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ11
VSSQ
VDDQ
NC
NC
UDQM
CLK
NC
A9
A7
A5
A4
2 1
VSS
DQ14
DQ13
DQ12
DQ10
DQ9
DQ8
NC
NC
NC
CKE
BA
A8
A6
VSS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
-4-
出版日期: 2007年8月23日
修订A3
W9816G6CB
5.引脚说明
球 -
位置
名字
功能
描述
N6 ,P7, P6 ,R6
R 2, P 2, P 1 ,N 2,
N1 ,M2, N7的
M1
A0A10
地址
复用管脚的行和列地址。
行地址: A0 - A10 。列地址: A0 - A7 。
选择银行时行地址锁存器来激活
时间,或银行来读取列地址时/写
锁定时间。
复用引脚用于数据输入和输出。
禁用或启用命令解码器。当
指令译码器被禁用,新的命令是
忽略与先前操作继续。
指令输入。当在上升沿采样
时钟,
RAS
,
CAS
WE
定义
要执行的操作。
BA
银行地址
A6 ,B7, C7 ,D7,
D6 , E7 , F7 , G7 ,
DQ0DQ15
G1 ,F1, E1 ,D2
D 1 ,C 1 ,B 1, A 2,
L7
CS
数据输入/
产量
芯片选择
行地址
频闪
K6
K7
J7
J2/J6
RAS
CAS
WE
列地址
简称
RAS
频闪
写使能
输入/输出
面膜
时钟输入
时钟使能
电源( + 3.3V )
简称
RAS
输出缓冲器被置于高阻态(具有2延迟)
当DQM采样高的读周期。在写
周期,采样DQM高将阻止写
操作零延迟。
用于采样输入的上升沿系统时钟
时钟的边沿。
CKE控制时钟激活和去激活。
当CKE为低,省电模式,Suspend
模式,或自刷新模式进入。
电源输入缓冲器和逻辑电路内
DRAM 。
地进行输入缓冲器和逻辑电路内
DRAM 。
UDQM /
LDQM
CLK
CKE
V
CC
V
SS
V
CCQ
V
SS
Q
K2
L1
A7 , R7
A1 , R1
B 6, C 2, E 6 ,F2
B 2, C 6 ,E2 F6
G2 ,G6, H1,H2
H6 ,H7 , J1, K1,
L2 , L6 , M6 , M7
电源( + 3.3V ),从V分离式
CC
中,用于输出缓冲器
I / O缓冲器
以提高抗干扰能力。
地面的I / O
卜FF器
无连接
从V地面分离
SS
中,用于输出缓冲器
以提高抗干扰能力。
无连接。 ( NC引脚应连接到
GND
或浮动)
NC
-5-
出版日期: 2007年8月23日
修订A3
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