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W9725G6KB
4M
4银行
16位DDR2 SDRAM
表盒内的
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
8.1
8.2
概述................................................................................................................... 4
产品特点........................................................................................................................................... 4
订购信息.......................................................................................................................五
关键参数.............................................................................................................................五
BALL配置...................................................................................................................... 6
BALL描述............................................................................................................................ 7
框图................................................................................................................................ 8
功能说明.............................................................................................................. 9
启动和初始化顺序............................................ .................................................. ..... 9
模式寄存器和扩展模式寄存器操作........................................... ........................ 10
8.2.1
8.2.2
8.2.2.1
8.2.2.2
8.2.2.3
8.2.2.4
8.2.3
8.2.3.1
8.2.3.2
8.2.3.3
8.2.4
8.2.5
8.2.5.1
8.3
8.3.1
8.3.2
8.3.3
8.3.4
8.3.5
8.3.6
8.3.7
8.3.8
8.3.9
8.3.10
8.3.11
8.4
模式寄存器设置命令( MRS) ........................................... .................................... 10
扩展模式寄存器设置命令( EMRS ) .......................................... .................... 11
扩展模式寄存器设置命令( 1 ) , EMR ( 1 ) ..................................... ........... 11
DLL使能/禁用.............................................. .................................................. 12
扩展模式寄存器设置命令( 2 ) , EMR ( 2 ) ..................................... ........... 13
扩展模式寄存器设置命令( 3 ) , EMR ( 3 ) ..................................... ........... 14
片外驱动器( OCD )阻抗调整......................................... ....................... 15
扩展模式寄存器用于OCD阻抗调整.................................... 16
OCD阻抗调整............................................... ........................................... 16
驱动模式............................................................................................................. 17
片上端接( ODT ) ........................................... .................................................. .. 18
ODT相关时序......................................................................................................... 18
MRS命令ODT的更新延迟............................................ ......................... 18
行激活命令............................................... .................................................. 20
读命令............................................................................................................... 20
写命令............................................................................................................... 21
突发读与自动预充电命令........................................... .......................... 21
突发写带自动预充电命令........................................... .......................... 21
全部预充电命令............................................... .................................................. 21
自刷新进入命令.............................................. ............................................ 21
自刷新退出命令.............................................. ............................................... 22
刷新命令........................................................................................................... 22
无操作命令.............................................. .................................................. .. 23
装置取消命令............................................... ............................................... 23
命令功能............................................................................................................................. 20
读取和写入访问模式........................................................................................................... 23
8.4.1
发布
CAS
.................................................................................................................... 23
-1-
出版日期: 2012年9月3日
修订版A03
W9725G6KB
8.4.1.1
8.4.2
8.4.3
8.4.4
8.4.5
8.5
8.6
贴例子
CAS
操作................................................. ..................... 23
突发模式工作....................................................................................................... 24
突发读取模式下运行.............................................. ................................................. 25
写突发模式操作.............................................. ................................................ 25
写数据屏蔽............................................................................................................... 26
突发中断..................................................................................................................................... 26
预充电操作............................................................................................................................ 27
8.6.1
8.6.2
突发读取操作之后的预充电............................................ ......................... 27
猝发写操作之后的预充电............................................ ........................ 27
突发读取Auto-precharge........................................................................................ 28
突发写带自动预充电............................................ ........................................... 28
8.7
自动预充电操作................................................................................................................... 27
8.7.1
8.7.2
8.8
8.9
刷新操作............................................................................................................................... 29
掉电模式.............................................................................................................................. 29
8.9.1
8.9.2
断电进入...........................................................................................................三十
掉电退出..............................................................................................................三十
8.10
9.
9.1
9.2
9.3
9.4
9.5
10.
10.1
10.2
10.3
10.4
10.5
10.6
10.7
10.8
10.9
10.10
10.11
预充电电源关闭时的输入时钟频率的变化.......................................... ................... 30
运行模式........................................................................................................................... 31
命令真值表........................................................................................................................ 31
时钟使能( CKE )真值表进行同步转换........................................ .................... 32
数据屏蔽( DM )真值表............................................................................................................... 32
功能真值表........................................................................................................................... 33
简化地说图................................................................................................................... 36
电气特性................................................ .................................................. 37
绝对最大Ratings................................................................................................................. 37
工作温度条件....................................................................................................... 37
建议的直流工作条件.............................................. ............................................. 38
ODT DC电气特性...................................................................................................... 38
直流输入逻辑电平........................................................................................................................... 38
AC输入逻辑电平........................................................................................................................... 38
电容........................................................................................................................................ 39
泄漏和输出缓冲特性............................................. ........................................... 39
直流特性.............................................................................................................................. 40
.............................................. IDD测量测试参数............................................ 42
AC特性..................................................................................................................... 43
10.11.1
10.11.2
交流特性和工作条件-18速度等级................................... 43
交流特性和工作条件-25 / 25I / 25A / 25K / -3速度等级........... 45
AC输入测试条件........................................................................................................... 66
差分输入/输出交流逻辑电平........................................... ....................................... 66
AC过冲/下冲规范............................................. .................................... 67
10.14.1
10.14.2
AC过冲/下冲规范地址和控制引脚: ........................ 67
AC过冲/下冲规范时钟,数据,选通和面膜引脚: .......... 67
10.12
10.13
10.14
11.
时序波形....................................................................................................................... 68
-2-
出版日期: 2012年9月3日
修订版A03
W9725G6KB
11.1
命令输入时序....................................................................................................................... 68
11.2
ODT时序活动/待机模式........................................... .................................................. .... 69
11.3
ODT时序掉电模式............................................ .................................................. ...... 69
11.4
在进入掉电模式ODT定时模式切换......................................... ........................... 70
11.5
在退出省电模式ODT定时模式切换......................................... ............................. 71
11.6
数据输出(读)时序.................................................................................................................... 72
11.7
突发读操作: RL = 5 ( AL = 2 , CL = 3 , BL = 4 ) .............................. .................................................. 72
11.8
数据输入(写)定时...................................................................................................................... 73
11.9
突发写操作: RL = 5 ( AL = 2 , CL = 3 , WL = 4 , BL = 4 ) .......................... .......................................... 73
11.10
无缝突发读操作:RL = 5( AL = 2和CL = 3, BL = 4) ............................ .......... 74
11.11
无缝突发写操作: RL = 5 ( WL = 4 , BL = 4 ) ................................. ........................ 74
11.12
突发读取中断时间: RL = 3 ( CL = 3 , AL = 0 , BL = 8 ) ............................. ................................ 75
11.13
突发写中断时间: RL = 3 ( CL = 3 , AL = 0 , WL = 2 , BL = 8 ) ......................... ......................... 75
11.14
有数据模板写操作: WL = 3 , AL = 0 , BL = 4 ) ................................ ............................... 76
11.15
突发读取操作之后的预充电:RL = 4( AL = 1, CL = 3 ,BL = 4, tRTP ≤ 2clks ) ............ 77
11.16
突发读取操作之后的预充电:RL = 4( AL = 1, CL = 3 ,BL = 8, tRTP ≤ 2clks ) ............ 77
11.17
突发读取操作之后的预充电:RL = 5( AL = 2, CL = 3 ,BL = 4, tRTP ≤ 2clks ) ............ 78
11.18
突发读取操作之后的预充电: RL = 6( AL = 2, CL = 4 ,BL = 4, tRTP ≤ 2clks ) ............ 78
11.19
突发读取操作之后的预充电:RL = 4( AL = 0 ,C L = 4, BL = 8, tRTP > 2clks ) ............ 79
11.20
猝发写操作之后的预充电: WL = (RL -1) = 3 .................................. ................ 79
11.21
猝发写操作之后的预充电: WL = (RL -1) = 4 .................................. ................ 80
11.22
突发读操作与自动预充电: RL = 4 ( AL = 1 , CL = 3 , BL = 8 , tRTP ≤ 2clks ) ............... 80
11.23
突发读操作与自动预充电: RL = 4 ( AL = 1 , CL = 3 , BL = 4 , tRTP > 2clks ) ............... 81
11.24
突发读取与自动预充电,随后由一个激活到同一组( tRC的限制) :RL = 5
( AL = 2 , CL = 3 ,内部的tRCD = 3 , BL = 4 , tRTP ≤ 2clks ) ............................ .................................................. ......... 81
11.25
突发读取与自动预充电,随后由一个激活到同一组( tRP的限制) :RL = 5
( AL = 2 , CL = 3 ,内部的tRCD = 3 , BL = 4 , tRTP ≤ 2clks ) ............................ .................................................. ......... 82
11.26
突发写带自动预充电(TRC限制) : WL = 2 , WR = 2 , BL = 4 , tRP的= 3 ........................ ......... 82
11.27
带自动预充电( WR + tRP的限制)突发写: WL = 4 , WR = 2 , BL = 4 , tRP的= 3 ...................... 。 83
11.28
自刷新时间................................................................................................................... 83
11.29
主动掉电模式进入和退出时机.......................................... ............................. 84
11.30
预充电掉电模式进入和退出时机.......................................... .................... 84
11.31
时钟频率的变化在预充电掉电模式.......................................... .............. 85
12.
13.
包规范.............................................................................................................. 86
修订历史.......................................................................................................................... 87
-3-
出版日期: 2012年9月3日
修订版A03
W9725G6KB
1.概述
该W9725G6KB是256M比特的DDR2 SDRAM ,组织为4,194,304字
4银行
16位。
该器件实现了高速的传输速率高达1066MB /秒/针( DDR2-1066 )一般
应用程序。 W9725G6KB被分类为以下速度等级: -18 , -25 , 25I , 25A , 25K和-3 。
-18级器件是兼容的DDR2-1066 ( 7-7-7 )规范。 -25 / 25I / 25A / 25K级
部分符合的DDR2-800 ( 5-5-5 )或DDR2-800 ( 6-6-6 )规范(该25I工业
级部分是保证支持-40 ° C≤牛逼
≤ 95 ° C) 。 -3级部分是符合
在DDR2-667 ( 5-5-5 )规范。
汽车级器件温度,如果提供了,有两个同时要求:环境
温度(T
A
)周边设备不能低于-40 ° C或高于+ 95 ° C(用于25A ) ,
+ 105 ℃(对25K ) ,与壳体温度(T
)不能高于+ 95℃,低于-40 ℃或更高
(为25A ) , + 105°C (对于25K ) 。 JEDEC规范要求的刷新率当T翻番
超过+ 85°C ;这也需要使用高温自刷新选项。此外, ODT
电阻和输入/输出阻抗必须降低当T
为< 0 ° C或> + 85°C 。
所有的控制和地址输入端有一对外部提供的差分的同步
时钟。输入在差分时钟的交叉点锁存( CLK上升沿和
CLK
下降) 。所有
的I / O都与一个单端DQS的或微分同步DQS-
的DQ
对在源
同步方式。
2.特点
电源: V
DD
, V
DDQ
= 1.8 V
0.1V
双倍数据速率的架构:每个时钟周期两个数据传输
CAS延时:3, 4 ,5,6和7
突发长度: 4和8
双向,差分数据选通( DQS和
的DQ
)被发送/与数据接收
边沿对齐与读取数据中心对齐与写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换时钟
差分时钟输入( CLK和
CLK
)
数据掩码( DM ),用于写入数据
命令输入的每个正CLK的边缘,数据和数据屏蔽参照的两个边缘
DQS的
发布
CAS
可编程的附加延迟的支持,使指令和数据总线效率
读取延迟=附加延迟加CAS延迟( RL = AL + CL )
片外驱动器阻抗调整( OCD)和片上端接( ODT)为更好的信号
质量
自动预充电操作进行读取和写入突发
自动刷新和自刷新模式
预充电,关机和主动关机
写数据面膜
写延时=读延时 - 1 ( WL = RL - 1 )
接口: SSTL_18
包装WBGA 84球( 8X12.5毫米
2
) ,采用无铅材料,符合RoHS标准
-4-
出版日期: 2012年9月3日
修订版A03
W9725G6KB
3.订购信息
产品型号
速度等级
工作温度
W9725G6KB-18
W9725G6KB-25
W9725G6KB25I
W9725G6KB25A
W9725G6KB25K
W9725G6KB-3
DDR2-1066 ( 7-7-7 )
DDR2-800 ( 5-5-5 )或DDR2-800 ( 6-6-6 )
DDR2-800 ( 5-5-5 )或DDR2-800 ( 6-6-6 )
DDR2-800 ( 5-5-5 )或DDR2-800 ( 6-6-6 )
DDR2-800 ( 5-5-5 )或DDR2-800 ( 6-6-6 )
DDR2-667 ( 5-5-5 )
0 ° C≤牛逼
≤ 85°C
0 ° C≤牛逼
≤ 85°C
-40 ° C≤牛逼
≤ 95°C
-40 ° C≤牛逼
A,
T
≤ 95°C
-40 ° C≤牛逼
A,
T
≤ 105°C
0 ° C≤牛逼
≤ 85°C
4.关键参数
速度等级
符号。
彬( CL - tRCD的-TRP )
型号扩展
@CL = 7
@CL = 6
t
CK (AVG)
平均时钟周期
@CL = 5
@CL = 4
@CL = 3
t
RCD
激活到读/写命令延迟时间
-40°C
T
85°C
t
REFI
平均周期
刷新间隔
0°C
T
85°C
85°C
& LT ;
T
95°C
95°C
& LT ;
T
105°C
t
RP
t
RC
t
RAS
I
DD0
I
DD1
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5B
I
DD6
I
DD7
注意事项:
所有速度等级支持0 ℃,
T
85 ℃,完全符合JEDEC的AC和DC规格。
为-18 , -25和-3速度等级, -40°C
T
& LT ;
0 ° C是不可用的。
25I , 25A和25K速度等级支持-40°C
T
85 ℃,完全符合JEDEC的AC和DC规格。
对于所有速度等级部位,T
能够延长到95 ℃,在倍频自动刷新命令到一个32毫秒
期间(t
REFI
= 3.9微秒),并经由A7的“1”上的EMR进入到自刷新模式,在此高温范围( 2)。
5. 25K汽车速度等级,T
能够延长至105℃ ,在倍频自动刷新命令,以
32 ms周期(T
REFI
= 3.9微秒),并经由A7的“1”上的EMR进入到自刷新模式,在此高温范围( 2)。
6.为-18 , -25 , 25I , 25A和-3速度等级, 95℃ <牛逼
≤ 105℃不可用。
1.
2.
3.
4.
预充电到激活命令时期
主动为ref /激活命令时期
主动到预充电命令期
经营一家银行主动预充电电流
经营一家银行的主动 - 读预充电电流
工作突发读取电流
工作突发写入电流
突发刷新电流
自刷新电流(T
85C)
经营银行交错读取电流
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
DDR2-1066
7-7-7
-18
1.875纳秒
7.5纳秒
2.5纳秒
7.5纳秒
3纳秒
7.5纳秒
3.75纳秒
7.5纳秒
13.125纳秒
*
2
1
4
DDR2-800
5-5-5/6-6-6
-25/25I/25A/25K
2.5纳秒
8纳秒
2.5纳秒
8纳秒
3.75纳秒
8纳秒
5纳秒
8纳秒
12.5纳秒
7.8 μS*
2, 3
1
4
5
DDR2-667
5-5-5
-3
3纳秒
8纳秒
3.75纳秒
8纳秒
5纳秒
8纳秒
15纳秒
*
2
1
4
7.8 μS*
3.9 μS*
*
6
7.8 μS*
3.9 μS*
3.9 μS*
7.8 μS*
3.9 μS*
*
6
13.125纳秒
58.125纳秒
45纳秒
70毫安
80毫安
125毫安
130毫安
75毫安
6毫安
160毫安
12.5纳秒
57.5纳秒
45nS
60毫安
70毫安
105毫安
110毫安
70毫安
6毫安
135毫安
15纳秒
60纳秒
45纳秒
55毫安
65毫安
95毫安
百毫安
65毫安
6毫安
115毫安
-5-
出版日期: 2012年9月3日
修订版A03
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    W9725G6KB-25
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
W9725G6KB-25
WINBOND
16+
1300
BGA
只做原装实单申请
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
W9725G6KB-25
SSCP
21+
9800
SSCP
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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电话:13410665908
联系人:王小姐
地址:福田区华强北远望数码城一楼B1016
W9725G6KB-25
WINBOND/华邦
21+
1000
VQFN64
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
W9725G6KB-25
WINBOND
24+
1527
BGA84
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
W9725G6KB-25
WINBOND
2016+
6523
BGA
只做进口原装现货!或订货假一赔十!
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
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W9725G6KB-25
WINBOND
1844+
6852
BGA
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
W9725G6KB-25
WINBOND
新年份
15000
原厂封装
全新原装现货,质量保证,可开税票,可出样品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
W9725G6KB-25
WINBOND
25+
32560
FBGA
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
W9725G6KB-25
WINBOND/华邦
25+23+
18227
BGA84
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:183273607 复制

电话:13189717928(同V)
联系人:陈伟东
地址:广州市天河区金穗路1号1605之715
W9725G6KB-25
WINBOND华邦
24+
12888
SOIC
原装现货提供
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