W963L6ABN

512K WORD

×

16位低功耗模拟SRAM

表盒内的

1.一般DESCRIPTION.................................................................................................................. 3

2.特点......................................................................................................................................... 3

3.产品选项......................................................................................................................... 3

4. BALL配置.................................................................................................................... 4

5.球说明.......................................................................................................................... 4

6.框图..............................................................................................................................五

7.功能真值表................................................................................................................ 6

8.电气特性.............................................. .................................................. 7 ...

绝对最大额定值.............................................................................................................. 7

推荐工作Conditions............................................................................................... 7

电容...................................................................................................................................... 8

直流特性............................................................................................................................ 8

AC特性............................................................................................................................ 9

读操作..........................................................................................................................................9

写Operation.........................................................................................................................................11

P

OWER

D

OWN

和P

OWER

D

OWN

P

ROGRAM

P

arameters ................................................. ........................... 13

其他时序参数.........................................................................................................................13

AC测试Conditions...................................................................................................................................13

9.时序波形..................................................................................................................... 14

读时序＃ 1 （

OE

控制访问） .............................. ............................................ 14

读时序＃ 2 （

CE1

控制访问） .............................. .......................................... 15

阅读后的时序＃ 3 （地址访问

OE

控制访问） .............................. ........ 16

阅读后，定时＃ 4 （地址访问

CE1

控制访问） .............................. ...... 17

写时序＃ 1 （

CE1

控制） ...................................................................................................... 18

写时序＃ 2-1 （

WE

控制，单写操作） ............................................ ................. 19

写时序＃ 2 （

WE

控制，连续写操作） ............................................ ............. 20

读/写时序＃ 1-1 （

CE1

控制） ................................................ .......................................... 21

读/写时序＃1-2 （

CE1

控制） ................................................ .......................................... 22

出版日期： 2003年3月11日

修订版A1

-1-

W963L6ABN

阅读（

OE

控制） /写（

WE

控制）时序＃ 2-1 ........................................... ...................... 23

阅读（

OE

控制） /写（

WE

控制）时序＃ 2-2 ........................................... ...................... 24

掉电时序计划......................................................................................................... 25

掉电出入境Timing................................................................................................. 25

上电时序＃ 1 ........................................................................................................................ 25

上电时序＃ 2 ........................................................................................................................ 26

后读或写待机进入时机........................................... ........................................... 26

数据保留................................................................................................................................ 27

低V

DD

Characteristics...........................................................................................................................27

数据保持时间..............................................................................................................................27

10.包装DIMENSION.................................................................................................................. 28

TFBGA 48球（ 6 ×8平方毫米，节距0.75mm ） ................................... ............................................. 28

11.订购INFORMATION........................................................................................................... 29

12.版本历史.......................................................................................................................三十

-2-

W963L6ABN

1.概述

W963L6ABN为8M位的CMOS伪静态随机存取存储器（伪SRAM），组织

为512K字×16位。采用了先进的单晶体管DRAM架构和0.175

m

过程

技术; W963L6ABN提供快速存取周期时间和低功耗。它适合于

移动装置应用程序，例如移动电话和PDA ，其高密度的缓冲是必要的，并

功耗是最关心的。

2.特点

异步SRAM接口

快速访问周期时间：

宽工作条件：

V

DD

= + 2.3V至+ 2.7V或

+ 2.7V至+ 3.3V

温度

t

RC

= 70纳秒（ -70 ） ， 80纳秒（ -80 ）

低功耗：

I

DDA1

±最多20毫安。

I

DDS1

= 70

A

马克斯。

字节写控制

T

A

= 0 ° C至+ 70°C

T

A

= -25 ° C至+ 85°C （扩展温度）

T

A

= -40 ° C至+ 85°C （工业级温度）

3.产品选项

参数

W963L6ABN70

W963L6ABN80

t

RC

I

DDS1

I

DDA1

V

DD

70 ns（最小值） 。

70

A

马克斯。

20毫安

2.3V至2.7V

2.7V至3.3V

80 ns（最小值） 。

70

A

马克斯。

20毫安

2.3V至2.7V

2.7V至3.3V

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出版日期： 2003年3月11日

修订版A1

W963L6ABN

4. BALL配置

顶视图

1

2

3

4

5

6

A

LB

OE

A0

A1

A2

CE2

B

DQ9

UB

A3

A4

CE1

DQ1

C

DQ10

DQ11

A5

A6

DQ2

DQ3

D

V

SS

DQ12

A17

A7

DQ4

V

DD

E

V

DD

DQ13

NC

A16

DQ5

V

SS

F

DQ15

DQ14

A14

A15

DQ6

DQ7

G

DQ16

NC

A12

A13

WE

DQ8

H

A18

A8

A9

A10

A11

NC

（ FBGA48 ， 8× 10mm的间距高度仅0.75mm）

5.球说明

符号

描述

A0

A18

CE1

地址输入

芯片使能输入1 ，低：启用

芯片使能输入2 ，高：启用低：进入Power Down模式

写使能输入

输出使能输入

低字节写控制

高字节写控制

数据输入/输出

电源

地

无连接

CE2

WE

OE

LB

UB

I/O1

I/O16

V

DD

V

SS

NC

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W963L6ABN

6.框图

V

DD

V

SS

A0

to

A18

地址

LATCH &

卜FF器

内存

CELL

ARRAY

33554432位

ROW

解码器

DQ1

to

DQ8

DQ9

to

DQ16

输入/

产量

卜FF器

输入数据

LATCH &

控制

SENSE /

开关

列/

解码器

产量

数据

控制

地址

LATCH &

卜FF器

CE2

PE

CE1

WE

LB

UB

OE

动力

控制

定时

控制

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修订版A1