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W83196R-718
W83196G-718
威盛缓冲芯片( 4× DDR或2×
DDR + 3× SDRAM )
发布日期:
Jan/23/2006
修改:
2.2
W83196R-718/W83196G-718
W83196R - 718 / W83196G -718数据表修订历史
网页
日期
VERSION
WEB
VERSION
主要内容
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
不适用
N.A
所有
4.6
7/01/02
2/21/03
12/18/03
1.0
2.0
2.1
不适用
1.0
1.0
1.0
所有版本的0.50之前是
内部使用。
更改版本和版本的网站
1.0
更新的新形式
校正IC的版本,添加寄存器默认
值和修正了一些说明和
默认值
添加无铅部件编号W83196G -718
01/23/06
2.2
2.2
请注意,所有数据和规格如有变更,恕不另行通知。所有
在数据表中提及的产品和公司的商标属于
其各自所有者。
生命支持应用
这些产品不是设计用于生活使用的支持设备,设备或
在哪里可以合理地预期这些产品的故障导致系统
人身伤害。使用或销售这些产品用于此类用途华邦客户
应用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿华邦任何
从损害赔偿等不当使用或销售造成。
-I-
出版日期: 2006年1月,
修订版2.2
W83196R-718/W83196G-718
表的内容 -
1.
2.
3.
4.
5.
概述......................................................................................................... 1
产品特点.............................................................................................................. 1
引脚配置............................................................................................................... 2
BLOCK DIAGRAN....................................................................................................................... 3
PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 4
5.1
5.2
6.
6.1
6.2
7.
7.1
7.2
7.3
7.4
8.
9.
10.
11.
8.1
引脚说明.........................................................................................................................4
动力Pins................................................................................................................................5
寄存器6:输出控制( 1 =启用, 0 =禁用) (默认值= FFH ) ............................... 6 ....
寄存器7 :输出控制( 1 =启用, 0 =禁用) (默认值= FFH ) ............................... 6 ....
块写入协议.................................................................................................................7
块读协议.................................................................................................................7
字节写入协议...................................................................................................................7
读字节protocol...................................................................................................................7
绝对最大额定值............................................... .......................................... 8
I2C控制和状态寄存器............................................. ................................. 6
访问接口................................................................................................................ 7
规格...................................................................................................................... 8
订购INFORMATION....................................................................................................... 8
如何阅读顶部标记............................................ ............................................ 9
包装图和尺寸.............................................. ................................ 10
-II-
W83196R-718/W83196G-718
1.概述
该W83196R - 718是2.5V / 3.3V时钟缓冲器。 W83196R_718可以支持4 D.D.R. DRAM DIMM或
3标准的SDRAM和2 D.D.R. DRAM的DIMM 。
W83196R - 718可结合使用W83194BR - P4X或W83194BR -325 。
该W83196R_718提供I
2
C串行总线接口进行编程的寄存器来启用或禁用
每个时钟输出。该W83196R_718接受一个参考时钟输入,并运行在3.3V或
2.5V电源。
2.产品特点
其中输入24路输出缓冲区
支持多达4 D.D.R. DIMM或3 SDRAM的DIMM和2 D.D.R.的DIMM
反馈一个额外的输出
低偏移输出( < 100ps的)
支持高达200MHz的D.D.R. SDRAM
I
2
C 2线串行接口,支持字节或块RW日期
电源管理引脚关断控制
48引脚SSOP封装
-1-
出版日期: 2006年1月,
修订版2.2
W83196R-718/W83196G-718
3.引脚配置
FB_output
Vdd3.3_2.5
VSS
DDR0T_SDRAM0
DDR0C_SDRAM1
DDR1T_SDRAM2
DDR1C_SDRAM3
Vdd3.3_2.5
VSS
DDR2T_SDRAM4
DDR2C_SDRAM5
Vdd3.3_2.5
Buffer_IN
VSS
DDR3T_SDRAM6
DDR3C_SDRAM7
Vdd3.3_2.5
VSS
DDR4T_SDRAM8
DDR4C_SDRAM9
DDR5T_SDRAM10
DDR5C_SDRAM11
Vdd3.3_2.5
SDATA *
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
SEL_DDR *
Vdd2.5
VSS
DDR11T
DDR11C
DDR10T
DDR10C
Vdd2.5
VSS
DDR9T
DDR9C
Vdd2.5
PD # *
VSS
DDR8T
DDR8C
Vdd2.5
VSS
DDR7T
DDR7C
DDR6T
DDR6C
VSS
SCLK *
* :内部上拉电阻120K到Vdd3.3_2.5
# :低电平有效
-2-
W83196R-718
DDR / SDRAM缓存
W83196R-718
数据表修订历史
网页
日期
Versio
n
VERSION
基于Web
不适用
02/July
1.0
1.0
所有版本的0.50之前是
内部使用。
更改版本和版本的网站
1.0
主要内容
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
不适用
N.A
请注意,所有数据和规格如有变更,恕不另行通知。所有
在数据表中提及的产品和公司的商标均属于其
各自的所有者。
L I F (E S) ü P P 2 O - [R T A P P L I C A T I ONS
这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或系统的使用
在哪里可以合理地预期这些产品的故障导致人身
伤害。使用或销售这些产品用于此类应用华邦客户
这样做在自己的风险,并同意完全赔偿华邦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
- 1 -
出版日期:七月。 2002年
修订版1.0
W83196R_718
初步
1.0
概述
该W83196R - 718是2.5V / 3.3V时钟缓冲器。 W83196R_718可以支持4 D.D.R. DRAM DIMM或3
标准的SDRAM和2 D.D.R. DRAM的DIMM 。
W83196R - 718可结合使用W83194BR - P4X或W83194BR -325 。
该W83196R_718提供I
2
C串行总线接口编程寄存器来启用或禁用每个
时钟输出。该W83196R_718接受一个参考时钟输入,并运行在3.3V或2.5V
供应量。
2.0
产品特点
其中输入24路输出缓冲区
支持多达4 D.D.R. DIMM或3 SDRAM的DIMM和2 D.D.R.的DIMM
反馈一个额外的输出
低偏移输出( < 100ps的)
支持S高达200MHz D.D.R. SDRAM
IC的2线串行接口,支持字节或块日期RW
2
电源管理引脚关断控制
48引脚SSOP封装
- 2 -
出版日期:七月。 2002年
修订版1.0
W83196R_718
初步
3.0
引脚配置
FB_output
Vdd3.3_2.5
VSS
DDR0T_SDRAM0
DDR0C_SDRAM1
DDR1T_SDRAM2
DDR1C_SDRAM3
Vdd3.3_2.5
VSS
DDR2T_SDRAM4
DDR2C_SDRAM5
Vdd3.3_2.5
Buffer_IN
VSS
DDR3T_SDRAM6
DDR3C_SDRAM7
Vdd3.3_2.5
VSS
DDR4T_SDRAM8
DDR4C_SDRAM9
DDR5T_SDRAM10
DDR5C_SDRAM11
Vdd3.3_2.5
SDATA *
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
SEL_DDR *
Vdd2.5
VSS
DDR11T
DDR11C
DDR10T
DDR10C
Vdd2.5
VSS
DDR9T
DDR9C
Vdd2.5
PD # *
VSS
DDR8T
DDR8C
Vdd2.5
VSS
DDR7T
DDR7C
DDR6T
DDR6C
VSS
SCLK *
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
* :内部上拉电阻120K到Vdd3.3_2.5
# :低电平有效
块Diagran
Fb_out分别
DDRT0_SDRAM0
DDRC0_SDRAM1
DDRT1_SDRAM2
DDRC1_SDRAM3
DDRT2_SDRAM4
DDRC2_SDRAM5
DDRT3_SDRAM6
DDRC3_SDRAM7
DDRT4_SDRAM8
DDRC4_SDRAM9
DDRT5_SDRAM10
DDRC5_SDRAM11
6
6
差异显示( 11 : 6 )
DDRC ( 11 : 6 )
BUF_IN
SCLK
SDATA
SEL_DDR *
PD # *
控制
逻辑
- 3 -
出版日期:七月。 2002年
修订版1.0
W83196R_718
初步
4.0
引脚说明
IN - 输入
输出 - 输出
I / O - 双向引脚
# - 低电平有效
* - 内部120kΩ拉
4.1引脚说明
符号
SEL_DDR
48
I / O
IN
功能
1 = DDR only模式
0 =标准SDRAM模式
当SEL_DDR被拉高。脚4,5,6,7,10,11,15 ,
16,19,20,21,22,27,28,29,30,33,34,38,39,42,43,44和
45将D.D.R.输出。 Vdd3.3_2.5应
连接到2.5V的DDR电源。
当SEL_DDR被拉低。
销4,5,6,7,10,11,15,16,19 , 20,21和22将是
标准SDRAM输出。
销27,28,29,30,33,34,38,39,42,43,44和45将
DDR输出,
Vdd3.3_2.5应连接到3.3V的SDRAM 。
SDATA *
SCLK *
Buffer_IN
FB_output
PD # *
24
25
13
1
36
I / O
IN
IN
OUT
IN
我的串行数据
2
C 2线控制接口
内部上拉电阻120K到Vdd3.3_2.5
我串行时钟
2
C 2线控制接口
内部上拉电阻120K到Vdd3.3_2.5
从芯片组的参考输入。 2.5V输入DDR只
模式。 3.3V标准SDRAM模式。
反馈时钟芯片组。输出电压取决于
Vdd3.3_2.5
低电平输入使能掉电模式和
所有输出将是三态
内部上拉电阻120K到Vdd3.3_2.5
时钟输出。 Buffer_IN的副本。
Buffer_IN互补副本
时钟输出。
SEL_DDR = 1时,这些引脚Buffer_IN的副本。
SEL_DDR = 0 ,这些引脚Buffer_IN的副本。
在Vdd3.3_2.5电压dpends
DDR [ 6点11 ] T ...
DDR [ 6:11 ]
DDR [ 0 : 5 ] T_SDRAM
[0,2,4,6,8,10]
28,30,34,39,43,
45
27,29,33,38,42,
44
4,6,10,15,19,
21
OUT
OUT
OUT
- 4 -
出版日期:七月。 2002年
修订版1.0
W83196R_718
初步
DDR [ 0 : 5 ] C_SDRAM
[1,3,5,7,9,11]
5,7,11,16,20
22
OUT
时钟输出。
SEL_DDR = 1时,这些引脚是互补的副本
Buffer_IN 。
SEL_DDR = 0 ,这些引脚Buffer_IN的副本。
在Vdd3.3_2.5电压dpends
4.5电源引脚
符号
Vdd3.3_2.5
Vdd2.5
VSS
2,8,12,17,23
32,37,41,47
功能
连接到2.5V的时候SEL_DDR = 1和3.3V时,
SEL_DDR=0
电源2.5V 。
3,9,14,18,26,31,35 ,地面
40,46
5.1寄存器6 :控制寄存器(默认值= 1 )
7
6:5
4
3
2
1
0
@PowerUp
1
11
1
1
1
1
1
48
-
-
45,44
43,42
39,38
34,33
当该引脚为低电平-level ,引脚27,28,29,30,32,33,34 , 38,39,42,43
, 44,45将是三态的SDRAM模式。
DDR11T , DDR11C (有效/无效)
DDR10T , DDR10C (有效/无效)
DDR9T , DDR9C (有效/无效)
DDR8T , DDR8C (有效/无效)
描述
SEL_DDR (读回只)
保留为华邦内部使用,不改变它们
5.2寄存器7 :控制寄存器( 1 =启用, 0 =停止)
7
6
5
4
3
2
@PowerUp
1
1
1
1
1
1
30,39
28,27
21,22
19,20
15,16
10,11
描述
DDR7T , DDR7C (有效/无效)
DDR6T , DDR6C (有效/无效)
DDR5T_SDRAM10,
DDR5C_SDRAM11 (有效/无效)
DDR4T_SDRAM8,
DDR4C_SDRAM9 (有效/无效)
DDR3T_SDRAM6,
DDR3C_SDRAM7 (有效/无效)
DDR2T_SDRAM4,
- 5 -
出版日期:七月。 2002年
修订版1.0
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    W83196R-718
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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W83196R-718
WIN
2443+
23000
SSOP-48
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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