STB80NF55-08
STP80NF55-08 - STW80NF55-08
N沟道55 V - 0.0065
- 80 A - TO- 220 - D
2
PAK - TO- 247
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STB80NF55-08
STP80NF55-08
STW80NF55-08
■
V
DSS
55 V
55 V
55 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.008
< 0.008
< 0.008
I
D
80 A
80 A
80 A
TO-247
1
2
3
TO-220
标准阈DRIVE
3
1
应用
■
切换应用程序
DPAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
订购代码
记号
B80NF55-08
P80NF55-08
W80NF55-08
包
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
STB80NF55-08
STP80NF55-08
STW80NF55-08
2008年3月
REV 1
1/15
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15
目录
STP80NF55-08 - STB80NF55-08 - STW80NF55-08
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
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STP80NF55-08 - STB80NF55-08 - STW80NF55-08
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续的）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
55
±20
80
80
320
300
2
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.电流限制包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热阻
价值
参数
D
2
PAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
35
(1)
300
TO-220
0.5
62.5
50
TO-247
° C / W
° C / W
°C
单位
1.当安装在1英寸
2
FR-4板， 2盎司铜
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 30 V)
最大值
40
1000
单位
A
mJ
3/15
电气特性
STP80NF55-08 - STB80NF55-08 - STW80NF55-08
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
2
3
分钟。
55
1
10
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
0.0065 0.008
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 18 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 27 V，I
D
= 80 A
V
GS
=10 V
（参见图14）
分钟。
典型值。
40
3740
830
265
112
20
40
155
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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STP80NF55-08 - STB80NF55-08 - STW80NF55-08
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 27 V，I
D
= 40 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图13）
分钟。
典型值。
20
110
75
35
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD
t
rr(2)
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A，V
GS
= 0
I
SD
= 80 A，V
DD
= 25 V
的di / dt = 100 A / μs的，
T
j
=150 °C
（参见图18）
80
230
5.7
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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QQ：2881677436 复制
