怀特电子设计
W72M64VK-XBX
2Mx64 3.3V同步操作闪存多芯片封装
特点
90访问时间， 100 ，为120ns
包装
159 PBGA ， 13x22mm - 1.27mm间距
百万次擦除/编程
部门架构
银行1 （4MB ） ： 8 4K字，八32K字
银行2 （达到12Mb ） ： 24 32K字
银行3 （达到12Mb ） ： 24 32K字
银行4 （4MB ） ： 8 32K字
底部引导块，
零功耗工作
组织为2Mx64或2x2Mx32
商用，工业和军用温度
范围
3.3伏的读取和写入操作
同时读/写操作：
数据可以连续地从一个存储读
在执行擦除/编程功能
另一家银行
读取和写入操作之间的零延迟
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作，使编程
在同一家银行
数据＃查询和翻转位
提供的检测软件的方法
程序状态或擦除周期
本产品如有更改，恕不另行通知。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程
W72M64V - XBX应用笔记。
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP ＃ / A
CC
输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许保护
两个最外侧的引导扇区，无论行业
保护状态
加速（A
CC
）功能，加快程序
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法，无论是
在系统或使用编程设备，以
防止任何程序或内部擦除操作
该部门
临时机构撤消允许改变
在系统保护的行业数据
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图1 ：引脚配置W72M64V - XBX
顶视图
引脚说明
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V
CC
2
GND
3
GND
4
GND
5
V
CC
6
V
CC
7
GND
8
GND
9 10
GND
V
CC
GND
DQ41
WE3#
V
CC
DQ57
DNU
WE4#
V
CC
V
CC
V
CC
DQ33
DQ43
DQ45
DQ47
DQ49
DQ59
DQ61
DQ63
V
CC
V
CC
DQ40
DQ35
DQ37
DQ39
DQ56
DQ51
DQ53
DQ55
V
CC
DQ0-63
A0-20
WE1-4#
CS1-4#
OE ＃
RESET＃
WP ＃ / ACC
RY / BY ＃
V
CC
GND
DNU
V
CC
DQ32
DQ42
DQ44
DQ46
DQ48
DQ58
DQ60
DQ62
V
CC
GND
CS3#
DQ34
DQ36
DQ38
CS4#
DQ50
DQ52
DQ54
GND
GND
OE ＃
A0
DNU *
V
CC
A12
A16
DNU *
A20
GND
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
硬件复位
硬件写
保护/加速
READY / BUSY输出
电源
地
不要使用
GND
A2
WP ＃ / A
CC
A11
GND
V
CC
A7
A10
A15
GND *
GND
A3
A6
A9
V
CC
GND
A1
RESET＃
A13
GND
GND
A4
A17
RY / BY ＃
GND
A14
A5
A18
A8
GND
GND
DQ17
WE2#
DQ29
DNU
DQ9
DQ4
WE1#
A19
GND
V
CC
DQ24
DQ19
DQ21
DQ31
DQ1
DQ11
DQ6
DQ15
V
CC
V
CC
DQ16
DQ26
DQ28
DQ23
DQ8
DQ3
DQ13
DQ7
V
CC
V
CC
CS2#
DQ18
DQ20
DQ30
DQ0
DQ10
DQ5
DQ14
V
CC
V
CC
V
CC
DQ25
DQ27
DQ22
CS1#
DQ2
DQ12
GND
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
V
CC
*球G8保留给
21
和球G4保留给
22
on
W78M64V-XSBX.
WE
1
#
框图
WE
2
#
CS
2
#
WE
3
#
CS
3
#
WE
4
#
CS
4
#
CS
1
#
RY / BY ＃
RESET＃
OE ＃
A
0-20
2M ×16
2M ×16
2M ×16
2M ×16
V
CC
BYTE ＃
BYTE ＃
BYTE ＃
BYTE ＃
WP ＃ / ACC
DQ
0-15
DQ
16-31
DQ
32-47
DQ
48-63
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绝对最大额定值
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号电压范围
存储温度范围
耐力（写入/擦除周期）
-55到+125
-0.5到+4.0
-0.5到+0.5的Vcc
-55到+150
百万分钟。
单位
°C
V
V
°C
周期
W72M64VK-XBX
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的
参数
WE1-4 ＃电容
CS1-4 ＃电容
数据I / O容量
地址输入电容
RESET ＃电容
RY / BY ＃电容
OE ＃电容
符号
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
C
RS
C
RB
C
OE
最大
8
8
10
30
26
26
32
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
此参数由设计保证，但未经测试。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
符号
V
CC
T
A
T
A
民
3.0
-55
-40
最大
3.6
+125
+85
单位
V
°C
°C
参数
图形数据
保留时间
数据保留
测试条件
150°C
125°C
民
10
20
单位
岁月
岁月
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2,3 ）
V
CC
待机电流（ 2 ）
自动休眠模式（ 2,4,5 ）
V
CC
活跃的同时读 - 编程电流（ 1,2 ）
V
CC
活动的程序，而擦除电流（ 1,2 ）
V
CC
积极的计划，虽然-擦除暂停电流（ 2,5）
A
CC
加快现有项目
输入低电压
输入高电压
电压WP ＃ / A
CC
扇形
保护/取消保护，并计划加速
电压自动选择和临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压（ 5 ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CC8
I
加
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 3.6V, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
， WE＃ = V
IL
CS ＃ = RESET ＃ = V
CC
± 0.3V
V
IH
= V
CC
± 0.3V;
V
IL
= V
SS
± 0.3V
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
ACC引脚
VCC引脚
V
CC
=分钟
V
CC
= 3.0V + 0.3V
V
CC
= 3.0V + 0.3V
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= 3.0V
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= 3.0V
民
-10
-10
最大
10
10
65
120
400
400
180
180
140
40
120
0.8
V
CC
+ 0.3
9.5
12.5
0.45
2.5
单位
A
A
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
-0.5
2.1
8.5
8.5
2.55
2.3
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于8毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
最大
3. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+为30ns 。
5.未经测试。
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V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间（ 3 ）
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高（ 3 ）
中字编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间写前（ 3 ）
芯片编程时间（ 4 ）
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVWL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
民
90
0
35
0
45
0
45
30
-90
最大
民
100
0
45
0
45
0
45
30
-100
最大
W72M64VK-XBX
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - CS ＃控制
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
30
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
单位
300
5
0
42
0
300
5
0
42
300
5
42
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是0.4秒。
3.设计保证，但未经测试。
4.典型值是36秒。在典型的片上编程时间比最大芯片小得多
编程的时候上市，因为大多数字节的程序比列出的最高纲领倍的速度。
图2
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
1.5V
（双极性电源供电）
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 2.5
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
电流源
I
OH
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75W 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间（ 3 ）
片选建立时间（ 3 ）
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高（ 3 ）
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间写前（ 3 ）
VCC建立时间
芯片编程时间（ 4 ）
切换过程中的地址建立时间OE ＃低
位投票
写恢复时间从RY / BY ＃ （ 3 ）
编程/擦除有效期至RY / BY ＃
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
民
90
0
35
0
45
0
45
30
-90
最大
民
100
0
50
0
50
0
50
30
-100
最大
W72M64VK-XBX
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - WE＃控制
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
30
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
ns
单位
300
5
0
50
42
t
ASO
t
RB
t
忙
15
0
90
15
0
90
0
50
300
5
0
50
42
15
0
90
300
5
42
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是0.4秒。
3.设计保证，但未经测试。
4.典型值是36秒。在典型的片上编程时间比最大芯片小得多
编程的时候上市，因为大多数字节的程序比列出的最高纲领倍的速度。
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间（ 1 ）
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z
输出使能高到输出高Z
从地址输出保持， CS ＃或OE ＃
变化，以先到为准科幻RST
输出使能保持时间（ 1 ）
读
切换和
数据＃投票
1.
通过设计保证，未经测试。
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
t
OEH
0
0
10
90
-90
最大
90
90
40
20
20
0
0
10
民
100
-100
最大
100
100
40
20
20
0
0
10
民
120
-120
最大
单位
ns
120
120
50
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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