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W49L401(T)

256K

16 CMOS FLASH MEMORY

1.概述

该W49L401 （T ）是4兆， 3.3伏的CMOS只闪组织为256K内存

16位。该

设备可以被编程和擦除的在系统与标准的3.3伏电源。一个12伏V

不是必需的。该W49L401 （T ）导致快速的程序的唯一单元架构/擦除

极低的电流消耗操作（相对于其他可比3.3伏闪光

内存产品）。该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM

程序员。

2.特点

单电压操作：

3.0

3.6V读/擦除/编程

快速的程序操作：

文字的字编程： 30

（典型值）。

快速擦除操作：

页/块擦除时间： 50毫秒（典型值）。

芯片擦除时间： 200毫秒（典型值）。

可选统一配置页

低功耗

工作电流10 mA（典型值）

（典型值）。

自动编程和擦除时间与

内部V

GENERATION

编程或擦除检测结束

切换位

数据轮询

快速读取访问时间： 70纳秒

耐力： 10K周期（典型值）。

二十年的数据保留

硬件数据保护

块配置

与锁定一个8K字引导块

保护

两个4K字的参数块

一个16K字的主存储器阵列块

七32K字的主存储器阵列块

128统一2K字的页面

RY / BY ＃开漏输出提供了硬件

检测结束写入的

硬件#RESET销

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

JEDEC标准字宽引脚

可用的软件包： 44引脚SOP ，48引脚TSOP

-1-

出版日期： 2002年8月16日

修订版A4

W49L401(T)

3.引脚配置

4.框图

RY / BY ＃

A17

#CE

#OE

DQ0

DQ8

DQ1

DQ9

DQ2

DQ10

DQ3

DQ11

44-pin

SOP

#reset

#WE

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

RY / BY ＃

#CE

#OE

#WE

#reset

DQ0

控制

产量

卜FF器

DQ15

A17

W49L401T

3FFFF

主内存

240K字

（ 1x16K字BOOT BLOCK

8K字

04000

7x32K字）

03FFF

参数

BLOCK2

BLOCK1

4K字

03000

02FFF

参数

BLOCK2

BLOCK1

4K字

02000

01FFF

BOOT BLOCK主存储器

8K字

240K字

00000

（ 1x16K词

7x32K字）

W49L401

3FFFF

3E000

3DFFF

3D000

3CFFF

3C000

3BFFF

00000

A15

A14

A13

A12

A11

A10

#WE

#reset

RY / BY ＃

A17

48-pin

TSOP

A16

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

#OE

#CE

5.引脚说明

符号

#reset

RY / BY ＃

A17

DQ0

DQ15

#CE

#OE

#WE

RESET

就绪/忙＃输出

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

引脚名称

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W49L401(T)

6.功能描述

读取模式

该W49L401 （T）的读出操作是由#CE和#OE ，这两者都必须是低的受控

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，用于栅极

数据到输出引脚。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE高。参考

到定时波形的进一步细节。

复位操作

该#RESET输入引脚可以在某些应用中使用。当#RESET脚处于高电平状态，器件

处于正常操作模式。当#RESET引脚被拉低了至少一个周期T

，它会停止

设备和所有输出处于高阻抗状态。该器件也复位内部状态机

读取阵列的数据。被中断，应重新开始一旦设备操作准备

接受另一个命令序列，以保证数据的完整性。由于高状态重新认定的

#RESET引脚时，设备将返回到读或待机模式，这取决于所述控制信号。该

系统可以读取数据T

在#RESET引脚返回到V后

。其他功能#RESET销是

临时重置引导区。通过施加12V至#RESET销，引导块可以是

虽然引导块锁定功能被使能编程。

引导块操作

有在该设备中的一个8K字引导块，其可被用于存储引导代码。它位于

该存储器的第一8K字（包W49L401T ，位于最后8K字）的地址范围

从0000 （十六进制）到1FFF （十六进制）。（为W49L401T ，地址范围从3E000h到3FFFFH ）

请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置，

数据指定的块不能被擦除或编程（编程锁定） ;常规

编程的方法可以改变在其他的存储位置中的数据。

有一个条件，即锁定功能可以超过缠身。只是采用12V至#RESET引脚时，

锁定功能将暂时失活，并引导块可擦除/编程。一旦

#RESET引脚回到CMOS / TTL电平，锁定功能将再次被激活。

为了检测所述引导块的特征是否被设置的8K字块上，用户可以执行

软件命令序列：输入产品识别方式（参见命令代码

识别/引导块锁定检测特定的代码），然后从地址"0002 hex"阅读。

如果DQ0输出数据为"1" ，引导块编程锁定功能被激活;如果输出

在DQ0数据为"0" ，锁定功能失活和块可被擦除/编程。

返回到正常操作时，执行一个3字节的命令序列（或备用单字

命令）退出的识别模式。对于特定的代码，请参阅命令代码

识别/引导块锁定检测。

芯片擦除操作

该芯片擦除模式可以通过一个6字命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在快200毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时

在此操作。整个存储阵列将通过芯片擦除操作将擦除FFFF （十六进制）

如果引导块编程锁定功能没有被激活。一旦引导块锁定功能

激活后，芯片擦除功能将删除所有除引导块的块/页。

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出版日期： 2002年8月16日

修订版A4

W49L401(T)

块/页擦除操作

该W49L401 （T）的同时提供均匀的小页（2K字）和非对称嵌段

（ 4K / 8K / 16K / 32K字）擦除通用的Flash应用程序的能力。

每个块或页可以单独通过启动六个字命令序列被删除。块

地址（BA ）或页地址（PA）被锁存，第六周期的下降沿#WE边缘而

XX30 / XX50 （十六进制）的数据输入命令被锁存于#WE的上升沿。该命令加载后

周期，器件进入内部的块/页擦除模式，自动定时的将是

在快50毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时

在此操作。擦除后，设备将自动返回到正常读模式

操作完成。数据轮询切换位和/或RY / BY ＃引脚可以用来检测擦除结束

周期。

引导块（ 8K字）由每2K字4对应均匀的页面。当

引导块锁定功能被激活时，所有页面/块擦除命令和相关的PA / BA

引导块地址范围（ 0000-01FFF为W49L401 ，并3E000-3FFFF为W49L401T ）内将

被忽略，设备将返回到读取模式，没有任何数据的变化。

程序运行

该W49L401 （ T）被编程在字的字的基础。编程操作只能改变逻辑

数据"1"逻辑数据"0"擦除操作（修改个人页面/块或整个整个数据

从芯片到"0" "1" ）编程之前需要。

由4个字的指令周期启动的程序运行（参见命令代码的Word

编程）。该装置将内部的字处理后，立即进入程序操作

程序命令的输入。内部程序计时器会自动超时（ 50

最大。 -

）一旦完成并返回到正常读模式。 Data_polling ， Toggle_Bit和/或RY / BY ＃引脚

可用于检测程序循环的末尾。

硬件数据保护

存储在W49L401 （T）的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于10 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：编程操作和读取的时候抑制V

低于1.8V的典型。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

(4) V

上电延时：当V

已经达到了层次感，设备会自动超时

任何写（擦除/编程）术前10毫秒。

数据轮询（ DQ

） - 写状态检测

该W49L401 （T ）包括一个数据查询功能，以指示一个节目的结束或擦除周期。

当W49L401 （T）是在内部编程或擦除周期，任何尝试读取DQ

的最后的

字加载将获得真实数据的补码。一旦编程或擦除周期

完成后， DQ

会显示出真实的数据。需要注意的是， DQ的

将显示在擦除周期的逻辑"0" 。

它将成为逻辑"1"或真实数据时擦除周期完成。

切换位（ DQ

） - 写状态检测

除了数据轮询， W49L401 （ T）提供另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程或擦除周期，任何尝试连续读取DQ

将

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W49L401(T)

产生交替的0和1的。当程序或擦除周期完成时，这之间来回切换

0和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

就绪/忙＃

该W49L401 （T ）也提供了硬件的方法来检测在完成编程/擦除周期的。

该RY / BY ＃输出引脚将被置编程/擦除操作过程中低（繁忙），并将

通过一个外部上拉（就绪）时，内部程序/擦除周期完成释放到高的状态。

这是一个开漏输出引脚，方便外部连接。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个六字（或JEDEC的3个字）指令序列可以被用来访问

产品ID 。从地址0000H读输出制造商代码， 00DA （十六进制）。从读

地址0001 （十六进制），输出设备代码， 003D （十六进制）底部启动（ TBD和顶级引导）。该

产品ID的操作可以通过一个3个字的命令序列或另一种被终止单

字的命令序列（见命令定义表）。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低， #WE激活

高，提高A9到V

(12V /

0.5V).

TABLE操作模式

操作模式选择

= 12V

0.5V)

模式

读

擦除/编程

待机

擦除/编程

抑制

输出禁用

引脚

#CE

#OE

#WE

#reset

地址

A0 = V

;

A1 - A15 = V

;

A9 = V

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码

00DA （十六进制）

DQ 。

产品编号

器件代码

A0 = V

;

A15 = V

; 003D （十六进制）为底

A9 = V

TBD的顶部

高Z

RESET

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出版日期： 2002年8月16日

修订版A4