【W49F10264K×16 CMOS FLASH MEMORY概述该W49F102是1兆， 5伏的C】,IC型号W49F102P-45,W49F102P-45 PDF资料,W49F102P-45经销商,ic,电子元器件-51电子网

W49F102

64K

16 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W49F102是1兆， 5伏的CMOS只闪组织为64K内存

16位。该装置

可以编程和擦除的在系统使用标准的5V电源。一个12伏V

不

所需。该W49F102的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作与

极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品）。该

设备也可以被编程，并使用标准EPROM编程擦除。

特点

单5伏的操作：

5伏读

5伏擦除

5伏计划

低功耗

工作电流：25 mA（典型值）

（典型值）。

快速的程序操作：

文字的字编程： 50

（ MAX 。）

快速擦除操作： 100毫秒（典型值）。

快速读取访问时间： 45纳秒

耐力： 10K周期（典型值）。

十年的数据保留

硬件数据保护

与锁定保护8K字引导块

自动编程和擦除时间与

内部V

GENERATION

编程或擦除检测结束

切换位

数据轮询

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

JEDEC标准字宽引脚

可用的软件包： 40针STSOP

（ 10X14mm ）和44引脚PLCC

-1-

出版日期： 2002年2月19日

修订版A4

W49F102

销刀豆网络gurations

框图

A10

A11

A12

A13

A14

A15

#WE

#CE

DQ15

DQ14

DQ13

DQ12

DQ11

DQ10

DQ9

DQ8

40-pin

STSOP

VSS

#OE

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

VSS

#CE

#OE

#WE

控制

DQ0

产量

卜FF器

DQ15

A15

主

内存

解码器

（ 56K字）

引导块

（ 8K字）

D D D #

Q Q Q C N N D

13 14 15权证C D

W N

权证

A A

1 1

5 4

44 43 42 41 40

DQ12

DQ11

DQ10

DQ9

DQ8

VSS

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

A13

A12

A11

A10

VSS

引脚说明

符号

A15

DQ0

DQ15

#CE

#OE

#WE

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

44-pin

PLCC

D D D D

Q Q Q Q

3 2 1 0

＃N A A

C 0 1

A A A

2 3 4

-2-

W49F102

功能说明

读取模式

该W49F102的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平的控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE高时，该芯片是

取消选择并且仅待机电力将被消耗。 #OE是输出控制，用于栅极

从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE高。

参考定时波形的进一步细节。

引导块操作

有在该设备中的一个8K字引导块，其可被用于存储引导代码。它位于

从0000六角第一8K字的地址范围的内存来1FFF （十六进制）。

请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置

数据指定的块不能被擦除或编程（编程锁定） ;其他内存

位置可以通过常规的编程方法来改变。一旦引导块编程

锁定功能被激活时，芯片擦除功能只会影响主存储器。

为了检测所述引导块的特征是否被设置的8K字块上，用户可以执行

软件命令序列：输入产品识别方式（参见命令代码

识别/引导块锁定检测特定的代码），然后从地址"0002 hex"阅读。

如果输出数据是"FF十六进制， "引导块编程锁定功能被激活;如果输出

数据"FE十六进制， "锁定功能失活和块可被擦除/编程。

返回到正常操作时，执行一个3字节的命令序列（或备用单字

命令）退出的识别模式。对于特定的代码，请参阅命令代码

识别/引导块锁定检测。

芯片擦除操作

该芯片擦除模式可以通过一个6字命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在快100毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时

在此操作。如果引导块编程锁定被激活时，只有在主数据

存储器将被擦除到FF （十六进制），并且在引导块中的数据将不被擦除（保持相同

芯片擦除操作之前）。对整个存储器阵列（主存储器和引导块）会

通过芯片擦除操作擦除FF （十六进制），如果引导块编程锁定功能不

激活。擦除操作后，设备将自动返回到正常读模式

完成。数据轮询和/或翻转位可用于检测擦除周期的结束。

主存储器进行擦除操作

主存储器擦除模式可以通过一个6字命令序列来启动。该命令之后

负荷周期时，器件进入内部主存储器的擦除模式，这是自动定时

并会在快速100毫秒（典型值）内完成。主机系统不需要提供任何控制

或者在此操作期间定时。擦除后，设备将自动返回到正常读模式

操作完成。数据轮询和/或翻转位可用于检测擦除周期的结束。

-3-

出版日期： 2002年2月19日

修订版A4

W49F102

程序运行

该W49F102编程就一个字，用字的基础。编程操作只能改变逻辑

数据"1"至逻辑数据"0"擦除操作（在主存储器和/或引导块改变整个数据

从"0"到"1"编程之前是需要的。

由4个字的指令周期启动的程序运行（参见命令代码的Word

编程）。该装置将内部的字处理后，立即进入程序操作

程序命令的输入。内部程序计时器会自动超时（ 50

最大。 -

）一旦完成并返回到正常读模式。数据轮询和/或翻转位可以用来

检测项目周期的结束。

硬件数据保护

存储在W49F102的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：编程和读操作被禁止时， V

低于2.5V的典型。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

(4) V

上电延时：当V

已经达到了层次感，设备会自动超时

5毫秒的任何写操作（擦除/编程）操作之前。

数据轮询（ DQ

7 &

） - 写状态检测

该W49F102包括数据查询功能，以指示一个节目的结束或擦除周期。

当W49F102是在内部编程或擦除周期，任何尝试读取DQ

或者DQ

的

最后一个字装将获得真实数据的补码。一旦编程或擦除周期

完成后， DQ

或者DQ

会显示出真实的数据。需要注意的是DQ

或者DQ

将显示在逻辑"0"

擦除周期，并成为逻辑"1"或真实数据时，擦除周期已经完成。

切换位（ DQ

& DQ

） - 写状态检测

除了数据轮询， W49F102提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程或擦除周期，任何尝试连续读取DQ

将产生交替的0和1的。当程序或擦除周期完成时，此肘

介于0和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个六字（或JEDEC的3个字）指令序列可以被用来访问

产品ID 。从地址0000H读输出制造商代码（ 00DAh ）。从地址读

0001H输出设备代码（ 002Fh ）。产品ID的操作可以通过一个3个字的终止

命令序列或替代一个字的命令序列（见命令定义表）。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低， #WE激活

高，并提高A9至12伏。

-4-

W49F102

TABLE操作模式

操作模式选择

= 12V

5%)

模式

#CE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

产品编号

#OE

#WE

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码00DA

（十六进制）

DQ 。

A0 = V

; A1

A15 = V

;

A9 = V

A0 = V

; A1

A15 = V

;器件代码

002F （十六进制）

A9 = V

表命令的定义

命令

描述

读

芯片擦除

主内存擦除

Word程序

引导块锁定

产品ID进入

产品ID退出

(1)

数

周期

第一个周期

地址。数据

5555

XXXX

OUT

第二个周期

地址。数据

第三轮

地址。数据

第四轮

地址。数据

第5次循环

地址。数据

第六届周期

地址。数据

2AAA

5555

2AAA

5555

2AAA

5555

注：地址格式： A14

A0 （十六进制） ;数据格式： DQ15

DQ8 （不关心） ; DQ7

DQ0 （十六进制）

都可以使用这两个产品ID退出命令之一。

-5-

出版日期： 2002年2月19日

修订版A4