初步W49F020
功能说明
读取模式
该W49F020的读操作是由控制
CE
和
OE
这两者，必须是低的
主机以获得从输出数据。 CE是用于设备的选择。当CE为高，芯片
取消选择并且仅待机电力将被消耗。
OE
是输出控制，用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻状态时，无论CE或OE为高电平。参阅
时序波形进一步的细节。
引导块操作
有在该装置中的8K字节的引导块，其可被用于存储引导代码。引导块
位于第一8K字节的地址范围内存在0000 （十六进制） ，以1FFF （十六进制）的。对于
具体的代码，请参阅命令代码为引导块锁定启用。
当引导块被使能，用于指定块的数据不能被擦除或编程
（程序锁定） ;其它存储位置可通过常规的编程方法来改变。
当引导块编程锁定功能被激活时，芯片擦除功能无法抹去的
引导块下去了。
为了检测所述引导块的特征是否被设置的8K字节的块上或不是，用户可以执行
软件命令序列进行检查。首先，输入产品识别模式（请参阅命令
代码识别/引导块锁定检测特定的代码） ，然后从地址读
"0002 hex" 。如果输出数据是"1,"引导块编程锁定功能被激活;如果
输出数据是"0,"的锁定功能失活，并且该块可擦除/编程。
返回到正常操作时，执行一个3字节的命令序列（或备用单字
命令）退出的识别模式。对于特定的代码，请参阅命令代码
识别/引导块锁定检测。
芯片擦除操作
该芯片擦除模式可以通过一个6字命令序列来启动。该命令加载后
周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时，并将于完成
在快100毫秒（典型值） 。主机系统不需要在此提供的任何控制或定时
操作。如果引导块编程锁定被激活时，只有数据在主存储器中的块
将被擦除到FF （十六进制） ，并且在引导块中的数据将不被擦除（保持和以前一样的
芯片擦除操作） 。整个存储阵列将通过芯片擦除操作，如果被删除十六进制的FF
引导块编程锁定功能没有被激活。一旦引导块锁定功能
激活后，芯片擦除功能擦除主存储器块，但不引导块。该设备将
自动返回到正常读模式的擦除操作完成之后。数据轮询和/或
翻转位可用于检测擦除周期的结束。
程序运行
该W49F020被编程在逐字节的基础。编程操作只能改变逻辑数据
"1"至逻辑数据"0."擦除操作（改变整个数据在主存储器块和/或引导
从"0"到"1" ）块编程之前需要。
由4个字的指令周期启动的程序运行（参见命令代码字节
编程） 。该设备将在内部后，立即进入程序操作
字节编程命令输入。内部程序计时器会自动超时（ 50
S
最大。 -
-3-
出版日期： 1999年10月
修订版A1
QQ：2880707522 复制
