怀特电子设计
W3H32M64E-XSBX
高级*
32M ×64 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装
特点
数据速率= 667 *， 533 ， 400
包装：
208塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 16× 20毫米
1.0mm间距
DDR2的数据传输率= 667 * ， 533 ， 400
电源电压= 1.8V ± 0.1V
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ），每字节
内部，流水线，双数据速率架构
4位预取架构
DLL为DQ和DQS转换与定位
时钟信号
四大银行内部的并发操作
（每DDR2 SDRAM模具）
可编程的突发长度： 4或8
自动刷新和自刷新模式
片上终端（ ODT ）
可调数据 - 输出驱动强度
可编程的CAS等待时间：3， 4或5个
Posted CAS附加延迟：0， 1，2， 3或4
*本产品正在开发中，没有对外贸易资质网络编辑或特征化，并受
更改或取消，恕不另行通知。
写延时=读延时 - 1 * TCK
商用，工业和军用温度
范围
组织为32M ×64 ，用户CON连接可配置为2×
32M ×32
重量： W3H32M64E - XSBX - 2.5克典型
好处
62 ％的空间节省与FPBGA
减少了部件数量
42 ％的I / O减少VS FPBGA
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
可升级至64M ×64密度（联系工厂
信息）
图1 - 密度COMPARISONS
实际尺寸
W3H32M64E-XSBX
11.0
怀特电子设计
W3H32M64E-XSBX
CSP方法（毫米）
11.0
11.0
11.0
19.0
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
90
FBGA
20
16
S
A
V
I
N
G
S
62%
42%
区域
I / O
算
4× 209毫米
2
= 836mm
2
4× 90球= 360球
320mm
2
208球
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年10月
第3版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
W3H32M64E-XSBX
先进
图2 - 功能框图
WEA ＃
RASA ＃
CASA ＃
CSA ＃
WE＃ RAS ＃ CAS ＃
CS ＃
ODT
A
0-12
B
A0-1
CK
0
CK
0
#
CKEA
LDM
0
UDM
0
LDQS
0
LDQS
0
#
UDQS
0
UDQS
0
#
CDT
A0-12
BA0-1
CK
CK ＃
CKE
LDM
UDM
LDQS
LDQS ＃
UDQS
UDQS ＃
IC1
DQ
0
DQ
15
DQ
0
DQ
15
WE＃ RAS ＃ CAS ＃
CS ＃
CK
1
CK
1
#
LDM
1
UDM
1
LDQS
1
LDQS
1
#
UDQS
1
UDQS
1
#
ODT
A
0-12
BA
0-1
CK
CK ＃
CKE
LDM
UDM
LDQS
LDQS ＃
UDQS
UDQS ＃
IC2
DQ
0
DQ
15
DQ
16
DQ
31
WEB ＃
RASB ＃
CASB ＃
CSB ＃
WE＃ RAS ＃ CAS ＃
CS ＃
CK
2
CK
2
#
CKEB
LDM
2
UDM
2
LDQS
2
LDQS
2
#
UDQS
2
UDQS
2
#
ODT
A
0-12
BA
0-1
CK
CK ＃
CKE
LDM
UDM
LDQS
LDQS ＃
UDQS
UDQS ＃
IC3
DQ
0
DQ
15
DQ
32
DQ
47
WE＃ RAS ＃ CAS ＃
CS ＃
CK
3
CK
3
#
LDM
3
UDM
3
LDQS
3
LDQS
3
#
UDQS
3
UDQS
3
#
ODT
A
0-12
BA
0-1
CK
CK ＃
CKE
LDM
UDM
LDQS
LDQS ＃
UDQS
UDQS ＃
IC4
DQ
0
DQ
15
DQ
48
DQ
63
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年10月
第3版
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
图1 - 引脚配置
顶视图
W3H32M64E-XSBX
先进
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
W
V
CC
2
V
CC
3
V
SS
4
V
CC
5
V
CC
6
V
SS
7
V
CC
8
V
CC
9
V
SS
10 11
V
CC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
CSB ＃
NC
NC
V
SS
V
CC
V
SS
NC
NC
NC
NC
CASB ＃
RASB ＃
DQ34
CK3
CK3#
V
SS
DQ35
DQ51
WEB ＃
CKEB
NC
NC
DQ50
DQ53
DQ37
CK2#
CK2
DQ52
DQ36
DQ33
NC
DNU
DNU
DQ39
LDQS2
LDQS3
DQ48
DQ32
LDM3
LDM2
DQ49
DQ43
DQ59
DNU
DQ55
DQ58
DQ42
LDQS2#
LDQS3#
DQ38
DQ54
DQ60
DQ57
UMD2
V
SS
DQ63
DQ56
DQ40
DQ61
DQ45
UMD3
DQ44
DQ41
DQ46
DQ62
V
CC
UDQS2#
DQ47
UDQS2
UDQS3
UDQS3#
V
CC
A6
A10
A9
V
CC
V
SS
V
CC
A3
A12
DNU *
V
CC
V
SS
A0
A11
V
CC
V
SS
V
REF
V
SS
V
CC
A1
BA1
V
SS
V
CC
A2
A4
A8
V
CC
V
SS
V
CC
BA0
A5
A7
V
CC
UDQS1#
UDQS1
UDQS0
DQ15
UDQS0#
V
CC
DQ30
DQ14
DQ9
DQ12
UMD1
DQ13
DQ29
DQ8
DQ24
DQ31
V
SS
UDM0
DQ25
DQ28
DQ22
DQ6
LDQS1#
LDQS0#
DQ10
DQ26
DQ23
ODT
DQ27
DQ11
DQ17
LDM0
LDM1
DQ0
DQ16
LDQS1
LDQS0
DQ7
NC
NC
NC
DQ1
DQ4
DQ20
CK0
CK0#
DQ5
DQ21
DQ18
NC
NC
CKEA
WEA ＃
DQ19
DQ3
V
SS
CK1#
CK1
DQ2
RASA ＃
CASA ＃
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
CC
V
SS
NC
NC
CSA ＃
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
CC
V
SS
V
CC
V
SS
V
CC
V
CC
V
SS
V
CC
V
CC
V
SS
V
CC
V
SS
*引脚J10是在未来的升级预留信号A13 。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年10月
第3版
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
W3H32M64E-XSBX
先进
包装尺寸为： 208塑料球栅阵列（ PBGA ）
底部视图
208 ×○ 0.60 （ 0.024 ） NOM
11 10 9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
20.15 （ 0.793 ） MAX
18.0 （ 0.709 ） NOM
H
J
K
L
M
1.0 （ 0.039 ） NOM
N
P
R
T
U
V
W
1.0 （ 0.039 ） NOM
0.50
(0.020)
喃
10.0 （ 0.394 ） NOM
16.15 （ 0.636 ） MAX
2.56 （ 0.100 ） MAX
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年10月
第3版
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
订购信息
W3H32M64E-XSBX
先进
W 3H 32M 64 é - XXX SB X
怀特电子设计CORP 。
DDR2 SDRAM
配置， 32M ×64
1.8V电源
数据速率（ MBS）
400 = 400Mbs
533 = 533Mbs
667 = 667Mbs
空白=无数据速率的特定网络版的ES产品
(1)
包装：
ES =非QUALI网络版产品
(1)
SB = 208塑料球栅阵列（ PBGA ）
设备等级：
M =军事
-55 ° C至+ 125°C
I =工业
-40 ° C至+ 85°C
C =商业0 ° C至+ 70°C
空白=没有特定的温度科幻版的ES产品
(1)
注1 ： W3H32M64E - ESSB是唯一可用的产品，直到对外贸易资质科幻阳离子完成。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年10月
第3版
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
QQ：2881677436 复制
