怀特电子设计
W3EG264M64EFSU-D4
高级*
1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM ，无缓冲， FBGA
特点
快速数据传输率： PC- 2100 ，PC- 2700和
PC3200
133兆赫， 166兆赫和200MHz的时钟速度
支持ECC错误检测和校正
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程读延迟3和4（时钟）
可编程的突发长度（ 2 ， 4或8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动和自刷新
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
V
CC
= V
CCQ
= + 2.6V ± 0.1V （ 200MHz的）
V
CC
= V
CCQ
= + 2.5V ± 0.2V （ 133和166MHz的）
金缘接触
双列
JEDEC标准的200引脚小外形， SO -DIMM
包
PCB高度选项：
D4 ： 31.75毫米（ 1.25“ ）
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
描述
该W3EG264M64EFSU是2x64Mx64双倍数据速率
基于512Mb的DDR SDRAM SDRAM内存模块
组件。该模块包括16个64Mx8 DDR
FBGA封装的SDRAM芯片安装在一个200引脚的FR4
基材。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
DDR400@CL=3
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
200MHz
3-3-3
DDR333@CL=2.5
166MHz
2.5-3-3
DDR266@CL=2
133MHz
2-2-2
DDR266@CL=2.5
133MHz
2.5-3-3
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怀特电子设计
引脚配置
PIN ＃符号PIN ＃号PIN ＃号PIN ＃符号
51
V
SS
101
A9
151
DQ42
1
V
REF
2
V
REF
52
V
SS
102
A8
152
DQ46
53
DQ19
103
V
SS
153
DQ43
3
V
SS
4
V
SS
54
DQ23
104
V
SS
154
DQ47
5
DQ0
55
DQ24
105
A7
155
V
CC
6
DQ4
56
DQ28
106
A6
156
V
CC
7
DQ1
57
V
CC
107
A5
157
V
CC
8
DQ5
58
V
CC
108
A4
158
CK1#
9
V
CC
59
DQ25
109
A3
159
V
SS
10
V
CC
60
DQ29
110
A2
160
CK1
11
DQS0
61
DQS3
111
A1
161
V
SS
12
DM0
62
DM3
112
A0
162
V
SS
13
DQ2
63
V
SS
113
V
CC
163
DQ48
14
DQ6
64
V
SS
114
V
CC
164
DQ52
65
DQ26
115
A10
165
DQ49
15
V
SS
16
V
SS
66
DQ30
116
BA1
166
DQ53
17
DQ3
67
DQ27
117
BA0
167
V
CC
18
DQ7
68
DQ31
118
RAS ＃
168
V
CC
19
DQ8
69
V
CC
119
WE＃
169
DQS6
20
DQ12
70
V
CC
120
CAS ＃
170
DM6
21
V
CC
71
DNU
121
CS0#
171
DQ50
22
V
CC
72
DNU
122
CS1#
172
DQ54
23
DQ9
73
DNU
123
NC
173
V
SS
24
DQ13
74
DNU
124
NC
174
V
SS
25
DQS1
75
V
SS
125
V
SS
175
DQ51
26
DM1
76
V
SS
126
V
SS
176
DQ55
27
V
SS
77
DNU
127
DQ32
177
DQ56
78
DNU
128
DQ36
178
DQ60
28
V
SS
29
DQ10
79
DNU
129
DQ33
179
V
CC
30
DQ14
80
DNU
130
DQ37
180
V
CC
31
DQ11
81
V
CC
131
V
CC
181
DQ57
32
DQ15
82
V
CC
132
V
CC
182
DQ61
83
DNU
133
DQS4
183
DQS7
33
V
CC
34
V
CC
84
DNU
134
DM4
184
DM7
35
CK0
85
NC
135
DQ34
185
V
SS
36
V
CC
86
DNU
136
DQ38
186
V
SS
37
CK0#
87
V
SS
137
V
SS
187
DQ58
38
V
SS
88
V
SS
138
V
SS
188
DQ62
39
V
SS
89
DNU
139
DQ35
189
DQ59
40
V
SS
90
V
SS
140
DQ39
190
DQ63
41
DQ16
91
DNU
141
DQ40
191
V
CC
42
DQ20
92
V
CC
142
DQ44
192
V
CC
43
DQ17
93
V
CC
143
V
CC
193
SDA
44
DQ21
94
V
CC
144
V
CC
194
SA0
45
V
CC
95
CKE1
145
DQ41
195
SCL
46
V
CC
96
CKE0
146
DQ45
196
SA1
47
DQS2
97
NC
147
DQS5
197
V
CCSPD
48
DM2
98
NC
148
DM5
198
SA2
49
DQ18
99
A12
149
V
SS
199
NC
50
DQ22
100
A11
150
V
SS
200
V
SS
W3EG264M64EFSU-D4
先进
引脚名称
符号
A0-A12
BA0 ， BA1
DQ0-DQ63
CB0-CB7
CK0 ， CK0 ＃
CK1 ， CK1 ＃
CK2 ， CK2 ＃
CKE0-CKE1
CS0#-CS1#
WE＃ ， CAS＃ ， RAS ＃
DQS0-DQS8
DM0-DM8
V
CC
V
CCSPD
V
REF
V
SS
SCL
SA0-SA2
SDA
NC
DNU
描述
地址输入
银行地址
输入/输出：数据的I / O ，数据总线
输入/输出：校验位
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
命令输入
数据选通
数据写入面膜
供应：电源： + 2.5V
±0.2V
供应：串行EEPROM正
电源
供应： SSTL_2参考电压
供应：地面
串行时钟
设备检测地址输入
输入/输出：串行Presence-
检测数据
无连接
不要使用
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怀特电子设计
功能框图
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先进
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM S0 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM S1 ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA0 ， BA1
A0-A12
RAS ＃
CAS ＃
CKE0
CKE1
WE＃
BA0 ， BA1 ： DDR SDRAM的
A0 - A12 ： DDR SDRAM的
RAS ＃ ： DDR SDRAM的
CAS ＃ ： DDR SDRAM的
CKE0 ： DDR SDRAM的
CKE1 ： DDR SDRAM的
WE＃ ： DDR SDRAM的
120
CK0
CK0#
120
CK1
CK1#
V
CCSPD
V
CC
V
REF
V
SS
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
CK2
CK2#
串行PD
SCL
WP
120
SDA
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
SPD / EEPROM
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
注： 1，所有的电阻值是22Ω ，除非另有规定ED 。
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DC电气特性
参数/条件
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
大电流（V
OUT
= V
CCQ
- 0.373V ，最小V
REF
，最小V
TT
)
低电流（V
OUT
= 0.373V ，最大V
REF
，最大V
TT
)
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
民
2.3
2.3
0.49 × V
CCQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-16.8
16.8
最大
2.7
2.7
0.51 × V
CCQ
V
REF
+ 0.04
V
CC
+ 0.3
V
REF
- 0.15
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
电容
参数
输入/输出电容： DQ ， DQS ， DM
输入电容：命令和地址
输入电容： CK ， CK ＃ ，
输入电容： CKE ，S ＃
符号
C
I0
C
I1
C
I2
C
I3
最大
12
47
25
25
单位
pF
pF
pF
pF
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0 ° C≤牛逼
A
≤ + 70°C ; V
CC
, V
CCQ
= +2.5V ±0.2V
DDR400 ： V
CC
= V
CCQ
= +2.6V ±0.2V
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先进
I
DD
规格和条件
最大
参数/条件
工作电流：一个设备库;主动预充电;吨
RC
= t
RC
（分钟） ;吨
CK
= t
CK
（MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变一次;地址和控制输入
改变每两个时钟周期
工作电流：一个设备库;主动读预充电;突发= 4;吨
RC
= t
RC
（分钟） ;吨
CK
= t
CK
（MIN） ; IOUT = 0毫安;地址和控制输入每个时钟改变一次
周期
预充电掉电待机电流：所有银行设备闲置;掉电
模式;牛逼
CK
= t
CK
（MIN） ; CKE = （ LOW ）
空闲待机电流： CS ＃ =高;所有器件的银行处于闲置状态;吨
CK
= t
CK
（MIN） ; CKE =
HIGH ;地址和其它控制输入每个时钟周期变化一次。 VI
N
= V
REF
针对DQ ，
DQS ，和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：一台设备的银行活动的;掉电
模式;牛逼
CK
= t
CK
（MIN） ; CKE =低
主动待机电流： CS ＃ =高; CKE =高;一台设备的银行活动的;吨
RC
=
t
RAS
（MAX） ;吨
CK
= t
CK
（MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址
和其他控制输入变化一次，每个时钟周期
工作电流：胸围= 2 ;读取;可连拍;一台设备的银行活动的;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;吨
CK
= t
CK
（分钟） ;我
OUT
= 0毫安
工作电流：胸围= 2 ;写;可连拍;一台设备的银行活动的;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;吨
CK
= t
CK
（MIN） ; DQ ， DM和DQS
输入每个时钟周期改变的两倍
自动刷新瞬时电流：
自刷新电流： CKE ≤ 0.2V
工作电流：每四个bank的交错读取（突发= 4）自动
预充电，T
RC
- 最小吨
RC
允许的;吨
CK
= t
CK
（MIN） ;地址和控制输入的变化
只有在主动读取或写入命令
t
REFC
= t
RFC
（分钟）
符号
I
DD0
DDR400 DDR333 DDR266 DDR266单位
@ CL = 3 @ CL = 2.5 @ CL = 2 @ CL = 2.5
2475
2070
2070
1845
mA
I
DD1
2745
2340
2340
2115
mA
I
DD2P
I
DD2F
90
990
90
810
90
810
90
720
mA
mA
I
DD3P
I
DD3N
810
1080
630
900
630
900
540
810
mA
mA
I
DD4R
I
DD4W
2790
2790
2385
2295
2385
2295
2115
2025
mA
mA
I
DD5
I
DD6
I
DD7
4185
90
5130
3510
90
4545
3510
90
4545
3330
90
3960
mA
mA
mA
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