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W39L040A数据表
512K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
表盒内的
1.
2.
3.
4.
5.
6.
概述......................................................................................................... 3
特点................................................................................................................................. 3
引脚配置............................................................................................................ 4
框图...................................................................................................................... 4
PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 4
功能说明................................................ .................................................. 5
6.1
设备总线Operation.....................................................................................................五
6.1.1
6.1.2
6.1.3
6.1.4
6.1.5
读Mode.......................................................................................................................5
写模式.......................................................................................................................5
待机模式..................................................................................................................5
输出禁用Mode........................................................................................................5
自动选择Mode..............................................................................................................5
6.2
数据保护............................................................................................................... 6
6.2.1
6.2.2
6.2.3
6.2.4
低VDD Inhibit................................................................................................................6
写脉冲"Glitch"保护.............................................. ........................................... 6
逻辑禁止...................................................................................................................6
上电写入和读取禁止........................................... ........................................... 6
6.3
命令定义..................................................................................................... 6
6.3.1
6.3.2
6.3.3
6.3.4
6.3.5
读命令...............................................................................................................6
自动选择命令......................................................................................................7
字节的程序命令............................................... .................................................. 0.7
芯片擦除命令......................................................................................................7
扇区擦除命令............................................... .................................................. ..8
6.4
写操作状态............................................... .................................................. 8 ..
6.4.1
6.4.2
DQ7 : #Data Polling...........................................................................................................8
DQ6 :切换Bit................................................................................................................9
6.5
TABLE操作模式.............................................. ................................................ 9
6.5.1
6.5.2
6.5.3
6.5.4
设备总线Operations.....................................................................................................9
自动选择代码(高压法) ......................................... .............................. 9
扇区地址表.....................................................................................................10
命令定义.....................................................................................................10
6.6
6.7
嵌入式编程算法............................................... .............................. 11
嵌入式擦除算法............................................... ........................................... 12
出版日期: 2005年4月14日
修订A3
-1-
W39L040A
6.8
6.9
7.
7.1
7.2
7.3
7.4
嵌入式#Data轮询算法............................................. ................................. 13
嵌入式切换位算法.............................................. ..................................... 13
绝对最大额定值............................................... ........................................... 14
直流工作Characteristics....................................................................................... 14
针Capacitance............................................................................................................ 14
AC特性........................................................................................................ 15
7.4.1
7.4.2
7.4.3
7.4.4
7.4.5
7.4.6
AC测试Conditions.........................................................................................................15
交流测试负载和波形............................................. ............................................ 15
读周期时序参数.............................................. ........................................ 16
擦除/编程周期时序参数............................................ .......................... 16
上电时序............................................................................................................17
#Data轮询和切换位时序参数.......................................... ................. 17
电气CHARACTERISTICS......................................................................................... 14
8.
时序波形............................................................................................................. 18
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
读周期时序图.............................................. ........................................... 18
#WE控制命令写周期时序图.......................................... ... 18
#CE控制命令写周期时序图.......................................... .... 19
芯片擦除时序图.............................................. ........................................... 19
扇区擦除时序图.............................................. ........................................ 20
#Data轮询时序图............................................. ......................................... 20
翻转位时序图.............................................. ............................................. 21
9.
10.
11.
订购信息................................................ .................................................. .. 22
如何阅读顶部标记............................................ .......................................... 23
包装尺寸......................................................................................................... 24
11.1
11.2
11.3
11.4
32L PLCC ..................................................................................................................... 24
32L PDIP....................................................................................................................... 24
32L TSOP ( 8 ×20 MM) .......................................... .................................................. ..... 25
32L STSOP ( 8 ×14 MM) .......................................... .................................................. 25 ..
12.
版本历史................................................................................................................. 26
-2-
W39L040A
1.概述
该W39L040A是为4Mbit , 3V / 3.3V CMOS闪存存储器,为512K
×
8位。对于柔性
擦除能力,数据的4Mbits被分成64K字节8均匀的扇区。字节宽( ×
8 )数据显示在DQ7
DQ0 。该装置可被编程和擦除的在系统带
标准的3.3V电源。一个12伏V
PP
不是必需的。的独特的单元架构
W39L040A结果快速编程/擦除操作以极低的电流消耗
(相比于其他类似的3.3伏闪存产品) 。该设备还可以被编程
并删除通过使用标准EPROM编程器。
2.特点
3V / 3.3伏读/擦除/编程操作
3.0 3.6V的为70ns
2.7 3.6V的为90ns
典型的编程/擦除周期: 10K
二十年的数据保留
低功耗
有源读取电流: 7毫安在5MHz (典型值)
主动编程/擦除电流:15毫安
为5MHz (典型值)。
待机电流: 0.2
μA
(典型值)。
节目结束检测
软件方法:切换位/ #数据轮询
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32引脚PLCC无铅,
32针STSOP ( 8 ×14 MM)无铅,32引脚
PDIP和32引脚TSOP ( 8 ×20 MM)
快速的程序操作:
逐字节编程: 9
μS
(典型值)。
快速擦除操作:
芯片擦除周期时间: 6 S (典型值)。
扇区擦除周期时间: 0.7 S(典型值)。
读访问时间: 70/90纳秒
8 ,即使部门与64K字节
任何个人扇区可擦除
-3-
出版日期: 2005年4月14日
修订A3
W39L040A
3.引脚配置
A
1
2
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
A
1
5
3
A
1
6
2
A
1
8
1
V
D
D
#
W
E
A
1
7
4.框图
32 31 30
29
28
27
26
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
V
DD
V
SS
#CE
#OE
#WE
产量
卜FF器
DQ0
.
.
32L PLCC
控制
25
24
23
22
21
DQ7
D
Q
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
D
Q
2
V
D
S
Q
S
3
D
Q
4
D
Q
5
D
Q
6
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A0
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
#WE
V
DD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
.
.
A18
解码器
CORE
ARRAY
32L STSOP和32L TSOP
5.引脚说明
符号
引脚名称
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
V
DD
#WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A0
A18
DQ0
DQ7
#CE
#OE
#WE
V
DD
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
32-pin
DIP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
-4-
W39L040A
6.功能描述
6.1设备总线操作
6.1.1
读取模式
该W39L040A的读操作是由#CE和#OE ,这两者都必须为低电平控制
主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时,芯片
被取消选择,并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制,并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时,无论#CE或#OE是
高。参考定时波形的进一步细节。
6.1.2
写模式
设备擦除和编程都通过命令寄存器来实现的。的内容
寄存器作为输入,内部状态机。状态机输出规定的功能
该装置。
命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是一个
锁存器,用于存储指令,以及执行所需要的地址和数据信息
命令。命令寄存器写入通过将#WE为逻辑低电平状态;而#CE处于逻辑
低的状态, #OE为逻辑高电平状态。地址锁存#WE或#CE的下降沿,
以较迟者为准情况;而数据被锁存#WE或#CE的上升沿,取两者发生
第一。标准的微处理器写定时被使用。
请参见AC写特性和擦除/编程波形为特定的时序参数。
6.1.3
待机模式
在待机模式实现了与
在V举行#CE输入
DD
±0.3V
和电流一般会降低到
比5μA (最大值)以内。
在待机模式下的输出处于高阻抗状态,独立于#OE输入的。
6.1.4
输出禁止模式
以在逻辑高电平的#OE输入(Ⅴ
IH
) ,从设备输出被禁止。这将导致
输出引脚为高阻抗状态。
6.1.5
自动选择模式
所述自动选择模式中,允许从设备中二进制码的读取,并将确定其
制造商和型号。此模式适用于使用由编程设备为目的
自动匹配设备以与其相应的规划算法来编程。
此模式是功能在器件的整个温度范围内。
以激活此模式中,编程设备必须迫使V
ID
( 11.5V至12.5V )地址引脚
A9 。两个标识符字节然后可从该装置的输出由来自切换地址A0测序
V
IL
到V
IH
。所有的地址都不用管它,除了A0和A1 (见"Auto选Codes" ) 。
的制造商,设备代码,也可以通过指令寄存器读,例如,当
在W39L040A被删除或不使用高电压的引脚A9在系统编程。
该命令序列说明"Auto选Codes" 。
-5-
出版日期: 2005年4月14日
修订A3
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