【W29EE012128K×8 CMOS FLASH MEMORY概述该W29EE012是1兆位， 5】,IC型号W39L020T-70,W39L020T-70 PDF资料,W39L020T-70经销商,ic,电子元器件-51电子网

W29EE012

128K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29EE012是1兆位， 5伏的CMOS只闪光灯组织成128K存储器

8位。该

装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V

不是必需的。该W29EE012的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作

具有极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品）。

该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。

特点

单5伏的编程和擦除操作

快速页写操作

每页128字节

页编程周期： 10 ms（最大值）

有效字节的程序循环时间： 39

可选的软件保护的数据写入

低功耗

工作电流：25 mA（典型值）

（典型值）。

内部V程序自动计时

GENERATION

节目结束检测

切换位

数据轮询

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

页编程/擦除周期： 1000

十年的数据保留

软件和硬件的数据保护

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

-1-

出版日期： 2002年3月26日

修订A3

W29EE012

销刀豆网络gurations

框图

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

GND

#WE

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

#CE

#OE

#WE

控制

产量

卜FF器

DQ0

DQ7

32-pin

DIP

A16

解码器

CORE

ARRAY

V #

A A A

1 1 1 N D W N

2 5 6 C D权证

1 32 31 30

引脚说明

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ0

符号

A16

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

GND

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

32-pin

PLCC

14 15 16 17 18 19 20

D D摹D D D D

Q Q Q Q Q Q

1 2 D 3 4 5 6

-2-

W29EE012

功能说明

读取模式

该W29EE012的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，用于栅极

从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE高。

参考定时波形的进一步细节。

页写模式

该W29EE012被编程以页为单位。每一页包含128个字节的数据。如果一个字节

在页面内的数据将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节

这是不加载的页面的编程期间将被删除，以"FFh" 。

通过强制#CE和#WE低和#OE高启动写操作。写程序

包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器

装置。步骤2是一个内部编程周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是

同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。

在字节负载周期中，地址是通过任一#CE或#WE的下降沿锁存

为准过去。该数据由任一#CE或#WE的上升沿，取发生锁存

第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T

BLC

） 200

初始字节负载周期之后， W29EE012将停留在页面载入周期。额外的字节可以

然后被连续加载。页面载入周期将被终止，并且在内部编程

如果没有额外的字节装入内300页缓冲器周期将开始

BLCO

）从上

字节负载循环，即有后的最后一个上升沿没有后续#WE高向低转换

#WE 。一

到A

指定的页面地址。被加载到页缓冲器中的所有字节必须具有

同样的页面地址。一

到A

指定的页中的字节地址。该字节可以在被加载

任何命令;不要求顺序装载。

在内部编程周期中，在页缓冲器中的所有数据，即128字节的数据，写入

同时到存储器阵列。在完成内部编程周期之前，

主机可以自由地执行其他任务，如获取系统中的其他位置的数据，以准备

写下一页。

软件保护的数据写

该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是

启用时，任何写操作需要一系列的三字节的程序命令（与特定的数据到一

特定地址），以将数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令

序列开始页面加载周期，没有它的写操作将不会被激活。这写

方案提供了防止误写入周期，如周期噪声引发的最佳保护

在系统上电和断电。

该W29EE012附带启用该软件的数据解除保护。要启用该软件的数据

保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该

器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须

前面的三字节的程序命令的周期。一旦启用，该软件的数据保护将

保持启用状态，除非禁用指令发出。电源转换不会复位软件

数据保护功能。要重置设备未受保护的模式，一个6字节的命令序列

所需。表3列出了具体的规范和图10的时序图。

出版日期： 2002年3月26日

修订A3

-3-

W29EE012

硬件数据保护

存储在W29EE012的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：编程和操作时，禁止V

少

超过3.8V 。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

数据轮询（ DQ

） -Write状态检测

该W29EE012包括数据查询功能，以指示编程周期的结束。当

W29EE012是在内部编程周期，任何尝试读取DQ

过程中加载的最后一个字节的

页面/字节载入周期将接收的真实数据的补码。一旦编程周期

完成。 DQ

会显示出真实的数据。

切换位（ DQ

） -Write状态检测

除了数据轮询， W29EE012提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程周期，任何尝试连续读取DQ

将

产生交替的0和1的。当编程周期结束， 0之间的这种切换

和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

5伏，仅软件芯片擦除

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在50ms内完成。主机系统不需要在此提供的任何控制或定时

操作。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个6字节的命令序列，可以被用来访问该产品ID。读

从地址0000H输出制造商代码（ DAH ）。从地址0001H读输出

设备代码（ C1H ）。产品ID的操作可以通过一个3字节的命令序列被终止。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低激活

#WE高，提高A9至12伏。

注意： SID读功能的硬件，不包含在所有部分;请参阅订购信息。

-4-

W29EE012

TABLE操作模式

操作模式选择

经营范围为0 70℃ （环境温度），V

DD =

±10%,

= 0V, V

= 12V

模式

#CE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

5伏的软件芯片

抹去

产品编号

#OE

#WE

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码DA

（十六进制）

器件代码

C 1 （十六进制）

DQ 。

A0 = V

; A1 - A16 = V

;

A9 = V

A0 = V

; A1 - A16 = V

;

A9 = V

-5-

出版日期： 2002年3月26日

修订A3

W29EE012

128K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29EE012是1兆位， 5伏的CMOS只闪光灯组织成128K存储器

8位。该

装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V

不是必需的。该W29EE012的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作

具有极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品）。

该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。

特点

单5伏的编程和擦除操作

快速页写操作

每页128字节

页编程周期： 10 ms（最大值）

有效字节的程序循环时间： 39

可选的软件保护的数据写入

低功耗

工作电流：25 mA（典型值）

（典型值）。

内部V程序自动计时

GENERATION

节目结束检测

切换位

数据轮询

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

页编程/擦除周期： 1000

十年的数据保留

软件和硬件的数据保护

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

-1-

出版日期： 2002年3月26日

修订A3

W29EE012

销刀豆网络gurations

框图

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

GND

#WE

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

#CE

#OE

#WE

控制

产量

卜FF器

DQ0

DQ7

32-pin

DIP

A16

解码器

CORE

ARRAY

V #

A A A

1 1 1 N D W N

2 5 6 C D权证

1 32 31 30

引脚说明

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ0

符号

A16

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

GND

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

32-pin

PLCC

14 15 16 17 18 19 20

D D摹D D D D

Q Q Q Q Q Q

1 2 D 3 4 5 6

-2-

W29EE012

功能说明

读取模式

该W29EE012的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，用于栅极

从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE高。

参考定时波形的进一步细节。

页写模式

该W29EE012被编程以页为单位。每一页包含128个字节的数据。如果一个字节

在页面内的数据将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节

这是不加载的页面的编程期间将被删除，以"FFh" 。

通过强制#CE和#WE低和#OE高启动写操作。写程序

包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器

装置。步骤2是一个内部编程周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是

同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。

在字节负载周期中，地址是通过任一#CE或#WE的下降沿锁存

为准过去。该数据由任一#CE或#WE的上升沿，取发生锁存

第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T

BLC

） 200

初始字节负载周期之后， W29EE012将停留在页面载入周期。额外的字节可以

然后被连续加载。页面载入周期将被终止，并且在内部编程

如果没有额外的字节装入内300页缓冲器周期将开始

BLCO

）从上

字节负载循环，即有后的最后一个上升沿没有后续#WE高向低转换

#WE 。一

到A

指定的页面地址。被加载到页缓冲器中的所有字节必须具有

同样的页面地址。一

到A

指定的页中的字节地址。该字节可以在被加载

任何命令;不要求顺序装载。

在内部编程周期中，在页缓冲器中的所有数据，即128字节的数据，写入

同时到存储器阵列。在完成内部编程周期之前，

主机可以自由地执行其他任务，如获取系统中的其他位置的数据，以准备

写下一页。

软件保护的数据写

该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是

启用时，任何写操作需要一系列的三字节的程序命令（与特定的数据到一

特定地址），以将数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令

序列开始页面加载周期，没有它的写操作将不会被激活。这写

方案提供了防止误写入周期，如周期噪声引发的最佳保护

在系统上电和断电。

该W29EE012附带启用该软件的数据解除保护。要启用该软件的数据

保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该

器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须

前面的三字节的程序命令的周期。一旦启用，该软件的数据保护将

保持启用状态，除非禁用指令发出。电源转换不会复位软件

数据保护功能。要重置设备未受保护的模式，一个6字节的命令序列

所需。表3列出了具体的规范和图10的时序图。

出版日期： 2002年3月26日

修订A3

-3-

W29EE012

硬件数据保护

存储在W29EE012的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：编程和操作时，禁止V

少

超过3.8V 。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

数据轮询（ DQ

） -Write状态检测

该W29EE012包括数据查询功能，以指示编程周期的结束。当

W29EE012是在内部编程周期，任何尝试读取DQ

过程中加载的最后一个字节的

页面/字节载入周期将接收的真实数据的补码。一旦编程周期

完成。 DQ

会显示出真实的数据。

切换位（ DQ

） -Write状态检测

除了数据轮询， W29EE012提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程周期，任何尝试连续读取DQ

将

产生交替的0和1的。当编程周期结束， 0之间的这种切换

和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

5伏，仅软件芯片擦除

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在50ms内完成。主机系统不需要在此提供的任何控制或定时

操作。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个6字节的命令序列，可以被用来访问该产品ID。读

从地址0000H输出制造商代码（ DAH ）。从地址0001H读输出

设备代码（ C1H ）。产品ID的操作可以通过一个3字节的命令序列被终止。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低激活

#WE高，提高A9至12伏。

注意： SID读功能的硬件，不包含在所有部分;请参阅订购信息。

-4-

W29EE012

TABLE操作模式

操作模式选择

经营范围为0 70℃ （环境温度），V

DD =

±10%,

= 0V, V

= 12V

模式

#CE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

5伏的软件芯片

抹去

产品编号

#OE

#WE

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码DA

（十六进制）

器件代码

C 1 （十六进制）

DQ 。

A0 = V

; A1 - A16 = V

;

A9 = V

A0 = V

; A1 - A16 = V

;

A9 = V

-5-

出版日期： 2002年3月26日

修订A3

W39L020

256K

8 CMOS FLASH MEMORY

1.概述

该W39L020是2Mbit的， 3.3伏的CMOS只快闪记忆体组织为256K

8位。对于柔性

擦除能力，数据的2Mbits被分成64K字节4均匀扇区，分别为

由16个较小的偶数页具有4千字节。该字节宽（ × 8 ）的数据显示在DQ7

DQ0.

该装置可被编程和擦除的在系统与标准的3.3V电源。一个12伏

不是必需的。的W39L020导致快速的程序独特的单元架构/擦除

极低的电流消耗操作（相对于其他可比3.3伏闪光

内存产品）。该设备还可以被编程，并通过使用标准EPROM擦除

程序员。

2.特点

单3.3伏操作

3.3伏读

3.3伏的擦除

3.3伏计划

硬件保护：

可选16K字节或64K字节的顶部/底部

与闭锁保护引导块

快速的程序操作：

逐字节编程： 50

（ MAX 。）

快速擦除操作：

芯片擦除周期时间： 100 ms（最大值）

扇区擦除周期时间： 25mS的（最大）

页擦除周期时间： 25mS的（最大）

灵活的4K页的大小可以被用作

参数块

典型的编程/擦除周期： 1K / 10K

二十年的数据保留

低功耗

工作电流10 mA（典型值）

（典型值）。

节目结束检测

读访问时间： 70/90纳秒

4即使有64K字节的扇区的每个，也就是

与4K字节组成的16灵活的页面

任何单个部门或页面可擦除

软件方法：切换位/数据查询

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： 32L PLCC ， TSOP 32L （ 8×

20毫米）和32L STSOP （8× 14毫米）

-1-

出版日期：二〇〇二年十一月一十一日

修订版A4

W39L020

3.引脚配置

4.框图

DQ0

14 15 16 17 18 19 20

#CE

#OE

#WE

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

控制

产量

卜FF器

DQ0

32 31 30

DQ7

32L PLCC

A17

解码器

CORE

ARRAY

A11

A13

A14

A17

#WE

A16

A15

A12

32L TSOP & STSOP

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

V SS

DQ2

DQ1

DQ0

5.引脚说明

符号

A17

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

-2-

W39L020

6.功能描述

设备总线操作

读取模式

该W39L020的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，并用于

从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE是

高。参考定时波形的进一步细节。

写模式

设备擦除和编程都通过命令寄存器来实现的。的内容

寄存器作为输入，内部状态机。状态机输出规定的功能

该装置。

命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是一个

锁存器，用于存储指令，以及执行所需要的地址和数据信息

命令。命令寄存器写入带来#WE至逻辑低状态，而#CE为逻辑低电平

国家和#OE为逻辑高电平状态。地址锁存#WE或#CE的下降沿，

以较迟者为准情况;而数据被锁存#WE或#CE的上升沿，取两者发生

第一。标准的微处理器写定时被使用。

请参见AC写特性和擦除/编程波形的具体时间

参数。

待机模式

有两种实现W39L020设备在备用模式时，两者都使用#CE销方式。

一种CMOS待机模式实现了与

在V举行#CE输入

±0.5V.

在这种条件下的电流

典型地降低至小于25

μA（最大值）。

一个TTL待机模式实现了与在举行的#CE销

。在这种条件下的电流一般会降低至2 mA （最大值）。

在待机模式下的输出处于高阻抗状态，独立于#OE输入的。

输出禁止模式

以在逻辑高电平的#OE输入（Ⅴ

），从设备输出被禁止。这将导致

输出引脚为高阻抗状态。

自动选择模式

所述自动选择模式中，允许从设备中二进制码的读取，并将确定其

制造商和型号。此模式适用于使用由编程设备为目的

自动匹配设备以与其相应的规划算法来编程。

此模式是功能在器件的整个温度范围内。

以激活此模式中，编程设备必须迫使V

（ 11.5V至12.5V ）地址引脚

A9 。两个标识符字节然后可从该装置的输出由来自切换地址A0测序

到V

。所有的地址都不用管它，除了A0和A1 （见"Auto选Codes" ）。

-3-

出版日期：二〇〇二年十一月一十一日

修订版A4

W39L020

的制造商，设备代码，也可以通过指令寄存器读，例如，当

该W39L020被删除或不使用高电压的引脚A9在系统编程。该

命令序列，则说明"Auto选Codes" 。

字节0 （ A0 = V

）代表制造商代码（华邦= DAH ）和字节1 （ A0 = V

）的

设备识别码（ W39L020 = B5hex ）。所有标识为制造商和设备将展出奇

平价DQ7定义为奇偶校验位。为了读取正确的装置执行的代码时，

自动选择， A1必须是低的状态。

数据保护

该W39L020的目的是提供保护，防止意外删除或编程引起的

系统杂散电平信号，可能会在电源转换存在。上电时器件

在阅读模式下自动复位内部状态机。另外，对于其控制寄存器

体系结构，变更的存储内容仅发生成功完成特定的后

多总线周期的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止

从V造成无意的写周期

上电和掉电转换或系统噪声。

引导块操作

有四种备选设置引导块。在顶部/底部或者16K字节或64K字节

此装置的位置可以被锁定为引导块，其可被用于存储引导代码。这是

位于最后的16K / 64K字节或第16K / 64K字节的地址范围从存储的

3C000 / 30000 （十六进制）到3FFFF （十六进制）用于顶部位置或00000 （十六进制）到03FFF / 0FFFF （十六进制）为底

位置。

请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置

数据为指定的块不能被擦除或编程（编程锁定），其它存储器

位置可以通过常规的编程方法来改变。

为了检测所述引导块的特征是否被设置在第一/最后的16K / 64K字节块或没有，

用户可以执行软件命令序列：输入产品识别方式（见

命令代码的识别/引导块锁定检测特定的代码），然后读

从地址0002 （十六进制）为第（底部）位置或3FFF2 （十六进制），去年（顶部）的位置。如果

输出数据DQ0 / DQ1是"1,"的64K字节/ 16K字节的引导块编程锁定功能将

激活;如果输出数据的DQ0 / DQ1是"0,"锁定功能将是失活的，嵌段

可擦除/编程。

返回到正常操作时，执行一个3字节的命令序列（或备用的单字节

命令）退出的识别模式。对于特定的代码，请参阅命令代码

识别/引导块锁定检测。

低

抑制

以避免在V的写周期开始

上电和掉电时， W39L020锁定了

当V

< 2.0V （见电压DC特性部分）。的写入和读出操作是

抑制当V

小于2.0V典型。该W39L020忽略所有写和读操作，直到

> 2,0V 。用户必须确保控制引脚处于正确的逻辑状态时， V

＆ GT ; 2.0V

防止无意识。

写脉冲"GLITCH"保护

小于10纳秒（典型值）的#OE ， #CE ，或#WE噪声脉冲不会启动写周期。

-4-

W39L020

逻辑INHIBIT

写作是由持有#OE = V任何一个抑制

， #CE = V

或#WE = V

。要启动一个写周期

#CE和#WE必须是逻辑零而#OE是一个逻辑1 。

电时写入和读取禁止

上电设备与#WE = #CE = V

和#OE = V

不接受的命令上涨

#WE除了延时5ms的边缘（参见AC特性上电时序）。内部状态

机器会自动复位到上电时读取模式。

命令德网络nitions

设备操作由写入特定的地址和数据序列进入命令选择

该装置所读取的模式。 "Command Definitions"定义了有效的寄存器命令序列。

读命令

设备会自动开机，在读状态。在这种情况下，一个命令序列是不

读数据所需的。标准的微处理器读周期将获取数组数据。此默认值

保证了内存的内容没有虚假变更的权力转移过程中发生。

会自动返回该器件完成一个嵌入式程序后，读取状态或

嵌入式擦除算法。

请参阅AC阅读特点和波形的具体时间参数。

自动选择命令

闪速存储器被设计用于在应用中的本地CPU可改变存储器的内容。

因此，虽然该设备驻留在目标制造和设备代码必须能够访问

系统。 PROM编程器通常通过提高A9到高电压接入签名代码。

然而，复用高电压到地址线一般不是一个理想的系统设计

实践中。

该器件包含一个自动选择命令的操作来补充传统的PROM编程

方法论。通过写自动选择命令序列到启动操作

命令寄存器。下面的命令写入，从地址XX00H一个读周期检索

制造DAH代码。从地址XX01H读周期返回的设备代码（ W39L020 =

B5hex).

要终止运作，就必须编写自动选择退出命令序列进

字节的程序命令

该设备被编程在逐字节的基础。编程为四个总线周期操作。该

程序指令序列是通过写2 "unlock"写周期开始，随后程序

设置命令。程序地址和下一个被写入的数据，这又引发了嵌入式

程序算法。地址锁存#CE或#WE的下降沿，发生者为准

随后，数据被锁存#CE或#WE的上升沿，先发生者为准。上升

#CE或#WE的边缘（先发生者为准）开始使用嵌入式程序编程

出版日期：二〇〇二年十一月一十一日

修订版A4

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