W39L010

128K

×

8 CMOS FLASH MEMORY

表盒内的

1.

2.

3.

4.

5.

6.

概述......................................................................................................... 3

特点................................................................................................................................. 3

引脚配置............................................................................................................ 4

框图...................................................................................................................... 4

PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 4

功能说明................................................ .................................................. 5

6.1

设备总线Operation.....................................................................................................五

6.1.1

6.1.2

6.1.3

6.1.4

6.1.5

读Mode.......................................................................................................................5

写模式.......................................................................................................................5

待机模式..................................................................................................................5

输出禁用Mode........................................................................................................5

自动选择Mode..............................................................................................................5

引导块Operation........................................................................................................6

写脉冲"Glitch"保护.............................................. ........................................... 6

逻辑禁止...................................................................................................................6

上电时禁止写入......................................................................................................6

读命令...............................................................................................................7

自动选择命令......................................................................................................7

字节的程序命令............................................... .................................................. 0.7

芯片擦除命令......................................................................................................8

页擦除命令.....................................................................................................8

DQ7 ：数据Polling.............................................................................................................9

DQ6 ：切换Bit................................................................................................................9

6.2

数据保护............................................................................................................... 6

6.2.1

6.2.2

6.2.3

6.2.4

6.3

命令定义..................................................................................................... 7

6.3.1

6.3.2

6.3.3

6.3.4

6.3.5

6.4

写操作状态............................................... .................................................. 9 ..

6.4.1

6.4.2

7.

TABLE操作模式.............................................. .............................................. 10

7.1

7.2

7.3

7.4

7.5

7.6

7.7

设备总线操作............................................... .................................................. 10

自动选择代码（高压法） ......................................... .......................... 10

命令定义................................................ .................................................. 11

嵌入式编程算法............................................... .............................. 12

嵌入式擦除算法............................................... ........................................... 13

嵌入式#Data轮询算法............................................. ................................. 14

嵌入式切换位算法.............................................. ..................................... 14

出版日期： 2004年1月9日

修订版A4

-1-

W39L010

7.8

7.9

8.

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

8.7

8.8

8.9

9.

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

9.6

9.7

10.

11.

12.

引导块锁定启用流程图............................................ ............................ 15

软件产品标识和引导块锁定检测流程图........... 16

绝对最大额定值............................................... ........................................... 17

直流工作Characteristics....................................................................................... 17

针Capacitance............................................................................................................ 17

AC测试Conditions....................................................................................................... 18

交流测试负载和波形............................................. .......................................... 18

读周期时序参数.............................................. ...................................... 19

写周期时序参数.............................................. ...................................... 19

上电Timing........................................................................................................... 20

数据轮询和触发位时序参数........................................... ............... 20

读周期时序图.............................................. ........................................... 21

#WE控制命令写周期时序图.......................................... ... 21

#CE控制命令写周期时序图.......................................... .... 22

芯片擦除时序图.............................................. ........................................... 22

页擦除时序图.............................................. .......................................... 23

#DATA轮询时序图............................................. ....................................... 23

翻转位时序图.............................................. ............................................. 24

ELECRICAL特征................................................ ........................................... 17

时序波形............................................................................................................. 21

订购信息................................................ .................................................. 25 ..

如何阅读顶部标记............................................ .......................................... 25

包装尺寸......................................................................................................... 26

12.1

12.2

32引脚PLCC ................................................................................................................. 26

32针STSOP （ 8 ×14 MM） ........................................ .................................................. 26

13.

版本历史................................................................................................................. 27

-2-

W39L010

1.概述

该W39L010是为1Mbit ， 3.3伏的CMOS只快闪记忆体组织为128K

×

8位。对于柔性

擦除能力，数据的1Mbits被分成32小偶数页具有4千字节。字节宽

（ × 8 ）的数据显示在DQ7

DQ0 。该装置可被编程和擦除的在系统带

标准的3.3V电源。一个12伏V

PP

不是必需的。的独特的单元架构

W39L010结果快速编程/擦除操作以极低的电流消耗（相

其他可比3.3伏闪存产品） 。该设备还可以被编程，并

通过使用标准EPROM编程器擦除。

2.特点

单3.3伏操作

3.3伏读

3.3伏的擦除

3.3伏计划

逐字节编程： 50

S

（ MAX 。 ）

灵活的4K页的大小可以被用作

参数块

典型的编程/擦除周期：

1K/10K

二十年的数据保留

低功耗

工作电流：20 mA（典型值）

A

（典型值）。

软件方法：切换位/数据查询

快速的程序操作：

快速擦除操作： 200 ms（最大值）

读访问时间： 70/90纳秒

32偶数页使用4K字节

任何个人页面可擦除

硬件保护：

可选8K字节的顶部/底部引导块

与闭锁保护

节目结束检测

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： 32引脚PLCC和32引脚

STSOP （ 8 ×14 MM）

-3-

出版日期： 2004年1月9日

修订版A4

W39L010

3.引脚配置

4.框图

V

DD

V

SS

A

1

2

4

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

5

6

7

A

1

5

3

A

1

6

2

N

C

V

D

D

#

W

E

N

C

1

32 31 30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

#CE

#OE

#WE

A14

A13

A8

A9

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

控制

产量

卜FF器

DQ0

.

.

DQ7

8

9

10

11

12

13

32-pin

PLCC

A0

.

.

A16

解码器

CORE

ARRAY

14 15 16 17 18 19 20

D

Q

1

D

Q

2

V

D

S

Q

S

3

D

Q

4

D

Q

5

D

Q

6

A11

A9

A8

A13

A14

NC

#WE

V

DD

NC

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

V

SS

DQ2

DQ1

DQ0

A0

A1

A2

A3

5.引脚说明

符号

A0

A16

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

V

DD

V

SS

NC

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

32-pin

STSOP

-4-

W39L010

6.功能描述

6.1设备总线操作

6.1.1

读取模式

该W39L010的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，并用于

从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE是

高。参考定时波形的进一步细节。

6.1.2

写模式

设备擦除和编程都通过命令寄存器来实现的。的内容

寄存器作为输入，内部状态机。状态机输出规定的功能

该装置。

命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是一个

锁存器，用于存储指令，以及执行所需要的地址和数据信息

命令。命令寄存器写入带来#WE至逻辑低状态，而#CE为逻辑低电平

国家和#OE为逻辑高电平状态。地址锁存#WE或#CE的下降沿，

以较迟者为准情况;而数据被锁存#WE或#CE的上升沿，取两者发生

第一。标准的微处理器写定时被使用。

请参见AC写特性和擦除/编程波形的具体时间

参数。

6.1.3

待机模式

有两种实现W39L010设备在备用模式时，两者都使用#CE销方式。

一种CMOS待机模式实现了与

在V举行#CE输入

DD

±0.3V.

在这种条件下的电流

典型地降低至小于20

A.

一个TTL待机模式实现了与在V举办的#CE销

IH

.

在这种条件下的电流通常降低到2毫安。

在待机模式下的输出处于高阻抗状态，独立于#OE输入的。

6.1.4

输出禁止模式

以在逻辑高电平的#OE输入（Ⅴ

IH

） ，从设备输出被禁止。这将导致

输出引脚为高阻抗状态。

6.1.5

自动选择模式

所述自动选择模式中，允许从设备中二进制码的读取，并将确定其

制造商和型号。此模式适用于使用由编程设备为目的

自动匹配设备以与其相应的规划算法来编程。

此模式是功能在器件的整个温度范围内。

以激活此模式中，编程设备必须迫使V

ID

（ 11.5V至12.5V ）地址引脚

A9 。两个标识符字节然后可从该装置的输出由来自切换地址A0测序

V

IL

到V

IH

。所有的地址都不用管它，除了A0和A1 （见"Auto选Codes" ） 。

-5-

出版日期： 2004年1月9日

修订版A4

W39L010

128K

×

8 CMOS FLASH MEMORY

表盒内的

1.

2.

3.

4.

5.

6.

概述......................................................................................................... 3

特点................................................................................................................................. 3

引脚配置............................................................................................................ 4

框图...................................................................................................................... 4

PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 4

功能说明................................................ .................................................. 5

6.1

设备总线Operation.....................................................................................................五

6.1.1

6.1.2

6.1.3

6.1.4

6.1.5

读Mode.......................................................................................................................5

写模式.......................................................................................................................5

待机模式..................................................................................................................5

输出禁用Mode........................................................................................................5

自动选择Mode..............................................................................................................5

引导块Operation........................................................................................................6

写脉冲"Glitch"保护.............................................. ........................................... 6

逻辑禁止...................................................................................................................6

上电时禁止写入......................................................................................................6

读命令...............................................................................................................7

自动选择命令......................................................................................................7

字节的程序命令............................................... .................................................. 0.7

芯片擦除命令......................................................................................................8

页擦除命令.....................................................................................................8

DQ7 ：数据Polling.............................................................................................................9

DQ6 ：切换Bit................................................................................................................9

6.2

数据保护............................................................................................................... 6

6.2.1

6.2.2

6.2.3

6.2.4

6.3

命令定义..................................................................................................... 7

6.3.1

6.3.2

6.3.3

6.3.4

6.3.5

6.4

写操作状态............................................... .................................................. 9 ..

6.4.1

6.4.2

7.

TABLE操作模式.............................................. .............................................. 10

7.1

7.2

7.3

7.4

7.5

7.6

7.7

设备总线操作............................................... .................................................. 10

自动选择代码（高压法） ......................................... .......................... 10

命令定义................................................ .................................................. 11

嵌入式编程算法............................................... .............................. 12

嵌入式擦除算法............................................... ........................................... 13

嵌入式#Data轮询算法............................................. ................................. 14

嵌入式切换位算法.............................................. ..................................... 14

出版日期： 2004年1月9日

修订版A4

-1-

W39L010

7.8

7.9

8.

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

8.7

8.8

8.9

9.

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

9.6

9.7

10.

11.

12.

引导块锁定启用流程图............................................ ............................ 15

软件产品标识和引导块锁定检测流程图........... 16

绝对最大额定值............................................... ........................................... 17

直流工作Characteristics....................................................................................... 17

针Capacitance............................................................................................................ 17

AC测试Conditions....................................................................................................... 18

交流测试负载和波形............................................. .......................................... 18

读周期时序参数.............................................. ...................................... 19

写周期时序参数.............................................. ...................................... 19

上电Timing........................................................................................................... 20

数据轮询和触发位时序参数........................................... ............... 20

读周期时序图.............................................. ........................................... 21

#WE控制命令写周期时序图.......................................... ... 21

#CE控制命令写周期时序图.......................................... .... 22

芯片擦除时序图.............................................. ........................................... 22

页擦除时序图.............................................. .......................................... 23

#DATA轮询时序图............................................. ....................................... 23

翻转位时序图.............................................. ............................................. 24

ELECRICAL特征................................................ ........................................... 17

时序波形............................................................................................................. 21

订购信息................................................ .................................................. 25 ..

如何阅读顶部标记............................................ .......................................... 25

包装尺寸......................................................................................................... 26

12.1

12.2

32引脚PLCC ................................................................................................................. 26

32针STSOP （ 8 ×14 MM） ........................................ .................................................. 26

13.

版本历史................................................................................................................. 27

-2-

W39L010

1.概述

该W39L010是为1Mbit ， 3.3伏的CMOS只快闪记忆体组织为128K

×

8位。对于柔性

擦除能力，数据的1Mbits被分成32小偶数页具有4千字节。字节宽

（ × 8 ）的数据显示在DQ7

DQ0 。该装置可被编程和擦除的在系统带

标准的3.3V电源。一个12伏V

PP

不是必需的。的独特的单元架构

W39L010结果快速编程/擦除操作以极低的电流消耗（相

其他可比3.3伏闪存产品） 。该设备还可以被编程，并

通过使用标准EPROM编程器擦除。

2.特点

单3.3伏操作

3.3伏读

3.3伏的擦除

3.3伏计划

逐字节编程： 50

S

（ MAX 。 ）

灵活的4K页的大小可以被用作

参数块

典型的编程/擦除周期：

1K/10K

二十年的数据保留

低功耗

工作电流：20 mA（典型值）

A

（典型值）。

软件方法：切换位/数据查询

快速的程序操作：

快速擦除操作： 200 ms（最大值）

读访问时间： 70/90纳秒

32偶数页使用4K字节

任何个人页面可擦除

硬件保护：

可选8K字节的顶部/底部引导块

与闭锁保护

节目结束检测

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： 32引脚PLCC和32引脚

STSOP （ 8 ×14 MM）

-3-

出版日期： 2004年1月9日

修订版A4

W39L010

3.引脚配置

4.框图

V

DD

V

SS

A

1

2

4

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

5

6

7

A

1

5

3

A

1

6

2

N

C

V

D

D

#

W

E

N

C

1

32 31 30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

#CE

#OE

#WE

A14

A13

A8

A9

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

控制

产量

卜FF器

DQ0

.

.

DQ7

8

9

10

11

12

13

32-pin

PLCC

A0

.

.

A16

解码器

CORE

ARRAY

14 15 16 17 18 19 20

D

Q

1

D

Q

2

V

D

S

Q

S

3

D

Q

4

D

Q

5

D

Q

6

A11

A9

A8

A13

A14

NC

#WE

V

DD

NC

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

V

SS

DQ2

DQ1

DQ0

A0

A1

A2

A3

5.引脚说明

符号

A0

A16

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

V

DD

V

SS

NC

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

32-pin

STSOP

-4-

W39L010

6.功能描述

6.1设备总线操作

6.1.1

读取模式

该W39L010的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，并用于

从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE是

高。参考定时波形的进一步细节。

6.1.2

写模式

设备擦除和编程都通过命令寄存器来实现的。的内容

寄存器作为输入，内部状态机。状态机输出规定的功能

该装置。

命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是一个

锁存器，用于存储指令，以及执行所需要的地址和数据信息

命令。命令寄存器写入带来#WE至逻辑低状态，而#CE为逻辑低电平

国家和#OE为逻辑高电平状态。地址锁存#WE或#CE的下降沿，

以较迟者为准情况;而数据被锁存#WE或#CE的上升沿，取两者发生

第一。标准的微处理器写定时被使用。

请参见AC写特性和擦除/编程波形的具体时间

参数。

6.1.3

待机模式

有两种实现W39L010设备在备用模式时，两者都使用#CE销方式。

一种CMOS待机模式实现了与

在V举行#CE输入

DD

±0.3V.

在这种条件下的电流

典型地降低至小于20

A.

一个TTL待机模式实现了与在V举办的#CE销

IH

.

在这种条件下的电流通常降低到2毫安。

在待机模式下的输出处于高阻抗状态，独立于#OE输入的。

6.1.4

输出禁止模式

以在逻辑高电平的#OE输入（Ⅴ

IH

） ，从设备输出被禁止。这将导致

输出引脚为高阻抗状态。

6.1.5

自动选择模式

所述自动选择模式中，允许从设备中二进制码的读取，并将确定其

制造商和型号。此模式适用于使用由编程设备为目的

自动匹配设备以与其相应的规划算法来编程。

此模式是功能在器件的整个温度范围内。

以激活此模式中，编程设备必须迫使V

ID

（ 11.5V至12.5V ）地址引脚

A9 。两个标识符字节然后可从该装置的输出由来自切换地址A0测序

V

IL

到V

IH

。所有的地址都不用管它，除了A0和A1 （见"Auto选Codes" ） 。

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出版日期： 2004年1月9日

修订版A4