【W29EE51264K×8 CMOS FLASH MEMORY概述该W29EE512是512K位，】,IC型号W29EE512T-70,W29EE512T-70 PDF资料,W29EE512T-70经销商,ic,电子元器件-51电子网

W29EE512

64K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29EE512是512K位， 5伏的CMOS只闪组织为64K内存

8位。该装置

可以编程和擦除的在系统使用标准的5V电源。一个12伏V

不

所需。该W29EE512的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作与

极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品）。该

设备也可以被编程，并使用标准EPROM编程擦除。

特点

单5伏的编程和擦除操作

快速页写操作

低功耗

工作电流： 50毫安（最大）

待机电流： 100

（ MAX 。）

内部V程序自动计时

每页128字节

页编程周期： 10 ms（最大值）

有效字节的程序循环时间： 39

可选的软件保护的数据写入

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

读访问时间： 70/90/120纳秒

典型的网页编程/擦除周期： 1K / 10K

十年的数据保留

软件和硬件的数据保护

GENERATION

节目结束检测

切换位

数据轮询

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： 32引脚PLCC ， TSOP和

VSOP

-1-

出版日期： 2002年2月18日

修订A7

W29EE512

销刀豆网络gurations

框图

DQ0

N N

C C C

W N

权证

#CE

#OE

#WE

DQ0

控制

产量

卜FF器

32 31 30

A14

A13

A11

DQ7

32-pin

PLCC

A10

DQ7

14 15 16 17 18 19 20

解码器

摹

2 D

A15

CORE

ARRAY

A11

A13

A14

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

GND

DQ2

DQ1

DQ0

A15

A12

32-pin

TSOP

引脚说明

符号

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

A15

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

GND

A11

A13

A14

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

GND

DQ2

DQ1

DQ0

A15

A12

32-pin

VSOP

-2-

W29EE512

功能说明

读取模式

该W29EE512的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，用于栅极

从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE高。

参考定时波形的进一步细节。

页写模式

该W29EE512被编程以页为单位。每一页包含128个字节的数据。如果一个字节

在页面内的数据将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节

这是不加载的页面的编程期间将被删除，以"FFh" 。

通过强制#CE和#WE低和#OE高启动写操作。写程序

包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器

装置。步骤2是一个内部编程周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是

同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。

在字节负载周期中，地址是通过任一#CE或#WE的下降沿锁存

为准过去。该数据由任一#CE或#WE的上升沿，取发生锁存

第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T

BLC

） 200

初始字节负载周期之后， W29EE512将停留在页面载入周期。额外的字节可以

然后被连续加载。页面载入周期将被终止，并且在内部编程

如果没有额外的字节装入页缓冲器甲周期将开始

到A

指定的页面地址。所有

被加载到页缓冲器中的字节必须具有相同的页面地址。一

到A

指定字节

在页面内解决。该字节可以以任何顺序装入，不要求顺序装载。

在内部编程周期中，在页缓冲器中的所有数据，即128字节的数据，写入

同时到存储器阵列。在完成内部编程周期之前，

主机可以自由地执行其他任务，如获取系统中的其他位置的数据，以准备

写下一页。

软件保护的数据写

该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是

启用时，任何写操作需要一系列的三字节的程序命令（与特定的数据到一

特定地址），以将数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令

序列开始页面加载周期，没有它的写操作将不会被激活。这写

方案提供了防止误写入周期，如周期噪声引发的最佳保护

在系统上电和断电。

该W29EE512附带启用该软件的数据保护。要启用该软件的数据

保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该

器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须

前面的三字节的程序命令的周期。一旦启用，该软件的数据保护将

保持启用状态，除非禁用指令发出。电源转换不会复位软件

数据保护功能。要重置设备未受保护的模式，一个6字节的命令序列

所需。

-3-

出版日期： 2002年2月18日

修订A7

W29EE512

硬件数据保护

存储在W29EE512的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：编程和读操作被禁止时， V

比2.8V少。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

数据轮询（ DQ

） -Write状态检测

该W29EE512包括数据查询功能，以指示编程周期的结束。当

W29EE512是在内部编程周期，任何尝试读取DQ

过程中加载的最后一个字节的

页面/字节载入周期将接收的真实数据的补码。一旦编程周期

完成。 DQ

会显示出真实的数据。

切换位（ DQ

） -Write状态检测

除了数据轮询， W29EE512提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程周期，任何尝试连续读取DQ

将

产生交替的0和1的。当编程周期结束， 0之间的这种切换

和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

5伏，仅软件芯片擦除

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在50ms内完成。主机系统不需要在此提供的任何控制或定时

操作。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个6字节的命令序列，可以被用来访问该产品ID。读

从地址0000H输出制造商代码（ DAH ）。从地址0001H读输出

设备代码（ C8H ）。产品ID的操作可以通过一个3字节的命令序列被终止。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低激活

#WE高，提高A9至12伏。

-4-

W29EE512

TABLE操作模式

操作模式选择

（经营范围为0 70℃ （环境温度），V

= 5V

±10%,

= 0V, V

= 12V)

模式

#CE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

5伏软件芯片擦除

产品编号

#OE

#WE

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码

DA （十六进制）

器件代码

C8 （十六进制）

DQ 。

= V

; A

= V

;

= V

; A

= V

;

= V

-5-

出版日期： 2002年2月18日

修订A7

W29EE512

64K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29EE512是512K位， 5伏的CMOS只闪组织为64K内存

8位。该装置

可以编程和擦除的在系统使用标准的5V电源。一个12伏V

不

所需。该W29EE512的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作与

极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品）。该

设备也可以被编程，并使用标准EPROM编程擦除。

特点

单5伏的编程和擦除操作

快速页写操作

低功耗

工作电流： 50毫安（最大）

待机电流： 100

（ MAX 。）

内部V程序自动计时

每页128字节

页编程周期： 10 ms（最大值）

有效字节的程序循环时间： 39

可选的软件保护的数据写入

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

读访问时间： 70/90/120纳秒

典型的网页编程/擦除周期： 1K / 10K

十年的数据保留

软件和硬件的数据保护

GENERATION

节目结束检测

切换位

数据轮询

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： 32引脚PLCC ， TSOP和

VSOP

-1-

出版日期： 2002年2月18日

修订A7

W29EE512

销刀豆网络gurations

框图

DQ0

N N

C C C

W N

权证

#CE

#OE

#WE

DQ0

控制

产量

卜FF器

32 31 30

A14

A13

A11

DQ7

32-pin

PLCC

A10

DQ7

14 15 16 17 18 19 20

解码器

摹

2 D

A15

CORE

ARRAY

A11

A13

A14

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

GND

DQ2

DQ1

DQ0

A15

A12

32-pin

TSOP

引脚说明

符号

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

A15

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

GND

A11

A13

A14

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

GND

DQ2

DQ1

DQ0

A15

A12

32-pin

VSOP

-2-

W29EE512

功能说明

读取模式

该W29EE512的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，用于栅极

从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE高。

参考定时波形的进一步细节。

页写模式

该W29EE512被编程以页为单位。每一页包含128个字节的数据。如果一个字节

在页面内的数据将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节

这是不加载的页面的编程期间将被删除，以"FFh" 。

通过强制#CE和#WE低和#OE高启动写操作。写程序

包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器

装置。步骤2是一个内部编程周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是

同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。

在字节负载周期中，地址是通过任一#CE或#WE的下降沿锁存

为准过去。该数据由任一#CE或#WE的上升沿，取发生锁存

第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T

BLC

） 200

初始字节负载周期之后， W29EE512将停留在页面载入周期。额外的字节可以

然后被连续加载。页面载入周期将被终止，并且在内部编程

如果没有额外的字节装入页缓冲器甲周期将开始

到A

指定的页面地址。所有

被加载到页缓冲器中的字节必须具有相同的页面地址。一

到A

指定字节

在页面内解决。该字节可以以任何顺序装入，不要求顺序装载。

在内部编程周期中，在页缓冲器中的所有数据，即128字节的数据，写入

同时到存储器阵列。在完成内部编程周期之前，

主机可以自由地执行其他任务，如获取系统中的其他位置的数据，以准备

写下一页。

软件保护的数据写

该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是

启用时，任何写操作需要一系列的三字节的程序命令（与特定的数据到一

特定地址），以将数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令

序列开始页面加载周期，没有它的写操作将不会被激活。这写

方案提供了防止误写入周期，如周期噪声引发的最佳保护

在系统上电和断电。

该W29EE512附带启用该软件的数据保护。要启用该软件的数据

保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该

器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须

前面的三字节的程序命令的周期。一旦启用，该软件的数据保护将

保持启用状态，除非禁用指令发出。电源转换不会复位软件

数据保护功能。要重置设备未受保护的模式，一个6字节的命令序列

所需。

-3-

出版日期： 2002年2月18日

修订A7

W29EE512

硬件数据保护

存储在W29EE512的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：编程和读操作被禁止时， V

比2.8V少。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

数据轮询（ DQ

） -Write状态检测

该W29EE512包括数据查询功能，以指示编程周期的结束。当

W29EE512是在内部编程周期，任何尝试读取DQ

过程中加载的最后一个字节的

页面/字节载入周期将接收的真实数据的补码。一旦编程周期

完成。 DQ

会显示出真实的数据。

切换位（ DQ

） -Write状态检测

除了数据轮询， W29EE512提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程周期，任何尝试连续读取DQ

将

产生交替的0和1的。当编程周期结束， 0之间的这种切换

和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

5伏，仅软件芯片擦除

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在50ms内完成。主机系统不需要在此提供的任何控制或定时

操作。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个6字节的命令序列，可以被用来访问该产品ID。读

从地址0000H输出制造商代码（ DAH ）。从地址0001H读输出

设备代码（ C8H ）。产品ID的操作可以通过一个3字节的命令序列被终止。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低激活

#WE高，提高A9至12伏。

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W29EE512

TABLE操作模式

操作模式选择

（经营范围为0 70℃ （环境温度），V

= 5V

±10%,

= 0V, V

= 12V)

模式

#CE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

5伏软件芯片擦除

产品编号

#OE

#WE

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码

DA （十六进制）

器件代码

C8 （十六进制）

DQ 。

= V

; A

= V

;

= V

; A

= V

;

= V

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出版日期： 2002年2月18日

修订A7