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W29C102
64K
×
16 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W29C102是1兆, 5伏的CMOS只闪组织为64K内存
×
16位。该
装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V
PP
is
不是必需的。该W29C102独特的单元架构导致快速编程/擦除操作
具有极低的消耗电流(相对于其他可比较的5伏的闪存
产品) 。该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。
特点
单5伏的编程和擦除操作
快速页写操作
低功耗
每页128个字
页编程周期: 10 ms(最大值)
有效的字程序循环时间: 39
S
可选的软件保护的数据写入
快速的芯片擦除操作: 50毫秒
读访问时间: 70/90/120纳秒
典型的网页编程/擦除周期: 1K / 10K
十年的数据保留
软件和硬件的数据保护
工作电流:25 mA(典型值)
A
(典型值)。
内部V程序自动计时
PP
GENERATION
节目结束检测
切换位
数据轮询
锁存地址和数据
TTL兼容的I / O
JEDEC标准字宽引脚
可用的软件包: 40引脚600密耳DIP , TSOP
和44引脚PLCC
-1-
出版日期: 1998年3月
修订A3
W29C102
销刀豆网络gurations
NC
CE
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
框图
V
DD
WE
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
DD
V
SS
CE
OE
WE
控制
产量
卜FF器
40-pin
DIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
DQ0
.
.
DQ15
A0
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
WE
V
DD
NC
CE
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
40-pin
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
GND
.
.
A15
解码器
CORE
ARRAY
引脚说明
D D D /
Q Q Q N N
13 14 15 C C C
6
5
4
3
2
1
V
D
D
/
W N
权证
A A
1 1
5 4
符号
39
38
37
36
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
无连接
44 43 42 41 40
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
A13
A12
A11
A10
A9
GND
NC
A8
A7
A6
A5
A0A15
DQ0DQ15
CE
OE
WE
V
DD
GND
NC
44-pin
PLCC
35
34
33
32
31
30
29
D D D D
Q Q Q Q
3 2 1 0
/ N A A
C 0 1
E
A A A
2 3 4
-2-
W29C102
功能说明
读取模式
该W29C102的读操作是由CE及OE ,这两者都必须是低的受控
主机以获得从输出数据。 CE是用于设备的选择。当CE为高电平时,芯片
被取消选择,并仅待机电力将被消耗掉。 OE是输出控制,用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时,无论CE或OE为高电平。
参考定时波形的进一步细节。
页写模式
该W29C102被编程以页为单位。每一页包含数据的128个字。如果一个字
在页面内的数据将被改变,对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何
页面的编程期间该未加载单词将被删除,以"FFh" 。
通过强制CE发起的写操作和WE低, OE高。写程序包括
的两个步骤。步骤1是将字负载循环,其中,所述主机写入到设备的页缓冲器。
步骤2是一个内部编程周期,在此期间,在页面缓冲器中的数据被同时
写入到非易失性存储器的存储器阵列。
在字负荷周期中,地址由CE或WE的下降沿锁存
为准过去。该数据由CE或WE的上升沿,取发生锁存
第一。如果主机加载第二个字为一个字负荷周期时间内的页缓冲器(T
BLC
) 200
S,
初始字负荷周期之后, W29C102将停留在页面载入周期。其他的话
然后,可以连续加载。页面载入周期将被终止,并且内部
如果没有额外的字被加载到页缓冲器编程周期开始。一
7
至A1
5
指定
页面地址。被加载到页缓冲器中的所有字都必须具有相同的页面地址。一
0
to
A
6
指定页面内的字地址。词语可以以任何顺序被加载;顺序
不需要加载。
在内部编程周期中,在页缓冲器中的所有数据,即数据的128个字,被写入
同时到存储器阵列。典型的编程时间为5毫秒。整个内存
阵列可以写成2.6秒。在完成内部编程周期,主机前
可以自由地执行其他任务,例如获取系统中,制备能够从其它位置数据
写入下一个页面。
软件保护的数据写
该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是
启用时,任何写操作需要一系列的三个词程序命令(具体数据以
一个特定的地址)的数据加载操作之前执行。这三个词load命令
序列开始页面加载周期,没有它的写操作将不会被激活。这
写方案提供了防止误写入周期,如触发周期最佳的保护
在系统上电和掉电时的噪音。
该W29C102出厂时启用了该软件的数据保护。要启用该软件的数据
保护方案,执行三字指令周期在页面载入周期的开始。该
器件将进入软件的数据保护模式,以及任何后续的写操作必须
前面的三个词程序指令周期。一旦启用,该软件的数据保护将
保持启用状态,除非禁用指令发出。电源转换不会复位
-3-
出版日期: 1998年3月
修订A3
W29C102
软件数据保护功能。要重置设备未受保护的模式,6个字的命令
序列是必需的。表3列出了具体的规范和图10的时序图。
硬件数据保护
存储在W29C102的数据的完整性也是硬件以下列方式保护:
( 1 )噪声/毛刺保护:小于15 ns的时间一WE脉冲不会启动写周期。
(2) V
DD
上电/掉电检测:编程操作时,禁止V
DD
小于
2.5V.
( 3 )写禁止模式:强制OE低, CE高,否则我们高会抑制写操作。这
防止在上电或掉电期间意外写入。
(4) V
DD
上电延时:当V
DD
已经达到了层次感,设备会自动超时
5毫秒的任何写操作(擦除/编程)操作之前。
数据轮询( DQ
7 &
DQ
15
) - 写状态检测
该W29C102包括数据查询功能,以指示编程周期的结束。当
W29C102是在内部编程周期,任何尝试读取DQ
7
和/或DQ
15
最后一个字
在页面/字负载循环加载将接收的真实数据的补码。一旦
编程周期完成。 DQ
7
会显示出真实的数据。
切换位( DQ
6
& DQ
14
) - 写状态检测
除了数据轮询, W29C102提供了另一种方法,用于确定所述端
项目周期。在内部编程周期,任何尝试连续读取DQ
6
和/或
DQ
14
将产生交替的0和1的。当编程周期结束,这种切换
介于0和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。
5伏,仅软件芯片擦除
该芯片擦除模式可以通过一个6字命令序列来启动。该命令加载后
周期,器件进入内部芯片擦除模式,自动定时的会
在50ms内完成。主机系统不需要在此提供的任何控制或定时
操作。
产品标识
产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备
自动匹配的设备,其正确的擦除和编程算法。
的制造商,设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在
软件接入模式,一个6个字的指令序列可以被用来访问该产品ID。读
从地址0000H输出制造商代码( 00DAh ) 。从地址0001H读输出
设备代码( 004Fh ) 。产品ID的操作可以通过一个3个字的命令被终止
序列。
在硬件访问方式,访问到的产品ID是通过迫使CE和OE为低电平激活时,我们
高,并提高A9至12伏。
-4-
W29C102
TABLE操作模式
操作模式选择
(V
HH
= 12V)
模式
CE
待机
写禁止
输出禁用
5伏软件芯片擦除
产品编号
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
WE
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
A
IN
A
IN
X
X
X
X
A
IN
引脚
地址
DOUT
DIN
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
高Z
D
IN
制造商代码
00DA (十六进制)
器件代码
004F (十六进制)
DQ 。
A0 = V
IL
; A1 - A15 = V
IL
;
A9 = V
HH
A0 = V
IH
; A1 - A15 = V
IL
;
A9 = V
HH
-5-
出版日期: 1998年3月
修订A3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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