W29C040
功能说明
读取模式
该W29C040的读操作是由控制
低为主机，以获得从所述输出数据。
CE
CE
和
OE ，无论是芯片，其中要
CE
is
用于设备选择。当
高，芯片被去选择和仅待机电力将被消耗掉。 OE为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻抗状态时，无论
CE
or
OE
为高。
指的是读周期的时序波形的进一步细节。
页写模式
该W29C040写入（擦除/编程）以页为单位。每一页包含256个字节
数据。如果数据页内的字节将被改变，数据的整个页必须被加载到
装置。该页面的写操作期间没有装入任何字节将被删除，以"FF hex" 。
通过强制CE发起的写操作和WE低， OE高。写程序
包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器
装置。
步骤2是一个内部写（擦除/编程）的周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是
同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。
在字节负载周期中，地址由下降沿锁存的任一
CE
or
WE ，
为准过去。该数据由CE或WE的上升沿，锁存为准
先发生。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T
BLC
）的
200
S
初始字节负载周期之后， W29C040将停留在页面载入周期。附加字节
然后，可以连续加载。页面载入周期将被终止，内部写
如果没有额外的字节装入页缓冲器（擦除/编程）循环将开始。 A8到A18指定
该网页的地址。被加载到页缓冲器中的所有字节都必须具有相同的页面地址。 A0
至A7指定的页中的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序
不需要加载。
在内部写周期，在页缓冲器中的所有数据，即256字节的数据，同时写入
到存储器阵列。典型的写（擦除/编程）时间为5毫秒。对整个存储器阵列可以是
写10.4秒。在完成内部写周期之前，主机可以自由地执行
其它任务，例如，获取由系统中的其它位置的数据，以准备写入的下一页。
软件保护的数据写
该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是
启用时，任何写操作需要3个字节的命令序列（与特定的数据到一个特定的
地址）的数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令序列
开始页面加载周期，没有这种写操作将不会被激活。这写方案
为防止意外的写入周期，如在噪声触发的周期最佳的保护
系统上电和断电。
该W29C040出厂时启用了该软件的数据保护。要启用该软件的数据
保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该
器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须
前面三个字节的命令序列的周期。一旦启用，该软件的数据保护将
出版日期： 2000年12月
修订A6
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