【W29C040512K×8 CMOS FLASH MEMORY概述该W29C040是4兆， 5伏的C】,IC型号W29C040-12,W29C040-12 PDF资料,W29C040-12经销商,ic,电子元器件-51电子网

W29C040

512K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29C040是4兆， 5伏的CMOS只页面模式的Flash组织成512K内存

位。该装置可被写入（擦除和编程）的在系统与标准5V电源。

一个12伏V

不是必需的。的W29C040结果快速写入独特的单元架构（擦除/

程序）具有极低的电流消耗操作（相对于其他可比较的5伏

闪存产品）的装置，也可以被擦除，并通过使用标准EPROM编程

程序员。

特点

单5伏写（擦除和编程）

操作

快速页写操作

每页256字节

页写（擦除/编程）周期： 5毫秒

（典型值）。

有效字节写入（擦除/编程）周期

时间： 19.5

可选的软件保护的数据写入

软件和硬件的数据保护

低功耗

工作电流：25 mA（典型值）

（典型值）。

自动写（擦除/编程）与时序

内部V

GENERATION

写结束（擦除/编程）检测

切换位

数据轮询

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

两个16锁定KB引导块

页写（擦除/编程）周期（典型值） 50K

读访问时间： 70/90/120纳秒

十年的数据保留

锁存地址和数据

所有输入和输出直接TTL兼容

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： 32引脚600密耳DIP ， TSOP

和PLCC

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出版日期： 2002年5月6日

修订A9

W29C040

销刀豆网络gurations

A18

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

框图

#WE

A17

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

#CE

#OE

#WE

控制

产量

卜FF器

DQ0

DQ7

32-pin

DIP

A18

解码器

16K字节引导块（可选）

DQ0

A A

1 1

6 8

CORE

ARRAY

16K字节引导块（可选）

32 31 30

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

32-pin

PLCC

14 15 16 17 18 19 20

引脚说明

符号

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

A11

A13

A14

A17

#WE

A18

A16

A15

A12

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

A18

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

32-pin

TSOP

-2-

W29C040

功能说明

读取模式

该W29C040的读操作是由#CE和#OE ，既片，其中需要成为低控制

为主机，以获得从所述输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE高，

芯片被去选择和仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，并用于

从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE是

高。

指的是读周期的时序波形的进一步细节。

页写模式

该W29C040写入（擦除/编程）以页为单位。每一页包含256个字节

数据。如果数据页内的字节将被改变，数据的整个页必须被加载到

装置。该页面的写操作期间没有装入任何字节将被删除，以"FF hex" 。

通过强制#CE和#WE低和#OE高启动写操作。写程序

包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器

装置。

步骤2是一个内部写（擦除/编程）的周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是

同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。

在字节负载周期中，地址是通过任一#CE或#WE的下降沿锁存

为准过去。该数据由任一#CE或#WE的上升沿，取发生锁存

第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T

BLC

） 200

初始字节负载周期之后， W29C040将停留在页面载入周期。额外的字节可以再

被连续加载。页面加载周期将被终止，内部写（擦除/编程）

如果没有额外的字节装入页缓冲器周期将开始。 A8到A18指定的页面地址。

被加载到页缓冲器中的所有字节都必须具有相同的页面地址。 A0到A7指定

在页面内的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;不要求顺序装载。

在内部写周期，在页缓冲器中的所有数据，即256字节的数据，同时写入

到存储器阵列。典型的写（擦除/编程）时间为5毫秒。对整个存储器阵列可以是

写10.4秒。在完成内部写周期之前，主机可以自由地执行

其它任务，例如，获取由系统中的其它位置的数据，以准备写入的下一页。

软件保护的数据写

该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是

启用时，任何写操作需要3个字节的命令序列（与特定的数据到一个特定的

地址）的数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令序列

开始页面加载周期，没有这种写操作将不会被激活。这写方案

为防止意外的写入周期，如在噪声触发的周期最佳的保护

系统上电和断电。

该W29C040出厂时启用了该软件的数据保护。要启用该软件的数据

保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该

器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须

前面三个字节的命令序列的周期。一旦启用，该软件的数据保护将

保持启用状态，除非禁用指令发出。电源转换不会复位软件

数据保护功能。要重置设备未受保护的模式，一个6字节的命令序列

-3-

出版日期： 2002年5月6日

修订A9

W29C040

所需。有关特定代码的信息，请参阅命令代码的软件数据保护

在工作模式的表。有关时序波形信息，请参见时序图

下文。

硬件数据保护

存储在W29C040的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：写和读操作被禁止时， V

小于

2.5V.

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

(4) V

上电延时：当V

已经达到了层次感，设备会自动超时10

任何写（擦除/编程）操作前毫秒。

芯片擦除模式

整个装置可以通过使用一个六字节的软件指令代码被删除。请参见软件芯片

擦除时序图。

引导块操作

有两个引导块（ 16K字节的每个）在该装置中，其可以被用于存储引导代码。一

其中位于所述第一16K字节，而另一个位于所述最后一个16K字节的存储器。

该存储器的第一16K或16K最后可以通过使用一个7字节的命令被设置为引导块

序列。

请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置

数据指定的块不能被擦除或编程（编程锁定） ;常规

编程的方法可以改变其它存储器位置。一旦引导块编程锁定

功能被激活时，芯片擦除功能将被禁用。为了检测是否在引导块

功能设置上的两个16K块，用户可以执行一个6字节的命令序列：进入

产品标识模式（参见命令代码的识别/引导块锁定检测方法

具体的代码），然后从地址"00002 hex"读（用于第一16K字节）或"7FFF2 hex" （对于

最后的16K字节）。如果输出数据是"FF十六进制， "引导块编程锁定功能被激活;

如果输出数据是"FE进制， "锁定功能是灭活和块可以被编程。

返回到正常操作时，执行一个3字节的命令序列退出的识别模式。

对于特定的代码，请参阅命令代码识别/引导块锁定检测。

数据轮询（ DQ7 ） - 写状态检测

该W29C040包括数据查询功能，以指示写周期的结束。当W29C040

在内部写周期，任何尝试读取页面/字节加载中加载的最后一个字节的DQ7

周期将接收的真实数据的补码。一旦写周期被完成。 DQ7将显示

真实的数据。看到#DATA轮询时序图。

翻转位（ DQ6 ） - 写状态检测

除了数据轮询， W29C040提供了另一种方法，用于确定写操作的结束

周期。在内部写周期，任何尝试连续读取DQ6将产生交变0

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W29C040

和为1。当写周期完成时，在0和1的这个触发将停止。该装置是

然后准备下一次操作。见翻转位时序图。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个6字节的命令序列，可以被用来访问该产品ID。读

从地址"00000 hex"输出制造商代码"DA hex."发件人地址"00001 hex"阅读

输出所设备代码"46 hex."产品ID的操作可以通过一个三字节被终止

命令序列。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低， #WE激活

高，并提高A9至12伏。

注意： SID读功能的硬件，不包含在所有部分;请参阅订购信息。

TABLE操作模式

操作模式选择

经营范围：0 70 ℃的正常产品， -40 85℃ W29C040xxxxK ，V

= 5V

±10

%, V

= 0V, V

= 12V

模式

#CE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

产品编号

#OE

#WE

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码DA

（十六进制）

DQ 。

A0 = V

; A1

A18 = V

;

A9 = V

A0 = V

; A1

A18 = V

;器件代码

46 （十六进制）

A9 = V

-5-

出版日期： 2002年5月6日

修订A9