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W29C020C
256K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W29C020C是2兆, 5伏的CMOS只闪组织为256K内存
×
8位。该
装置可以写入(擦除和编程)的在系统使用标准的5V电源。一个12伏
V
PP
不是必需的。的W29C020C结果快速写入独特的单元架构(擦除/编程)
具有极低的电流消耗的操作相对于其他可比较的5伏的闪存
产品。该装置还可以写通过使用标准EPROM (擦除和编程)
程序员。
特点
单5伏写(擦除和编程)
软件和硬件的数据保护
低功耗
工作电流:25 mA(典型值)
A
(典型值)。
操作
快速页写操作
每页128字节
页写(擦除/编程)周期: 10毫秒
( MAX 。 )
有效字节写入(擦除/编程)周期
时间: 39
S
可选的软件保护的数据写入
快速的芯片擦除操作: 50毫秒
两次与锁定8 KB的引导块
整个芯片的循环: 10K (典型值)。
读访问时间: 70/90/120纳秒
二十年的数据保留
自动写(擦除/编程)与时序
内部V
PP
GENERATION
写结束(擦除/编程)检测
切换位
数据轮询
锁存地址和数据
所有输入和输出直接TTL兼容
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32引脚600密耳DIP , 32引脚
TSOP和32引脚PLCC
-1-
出版日期: 2002年2月18日
修订版A4
W29C020C
销刀豆网络gurations
框图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
V
DD
#WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
DD
V
SS
#CE
#OE
#WE
控制
产量
卜FF器
DQ0
.
.
DQ7
32-pin
DIP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A0
.
.
解码器
8K字节引导块(可选)
CORE
ARRAY
8K字节引导块(可选)
A
1
2
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A
1
5
3
A
1
6
2
N
C
V #
W
D E
A
1
7
.
A17
1 32 31 30
29
28
27
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
32-pin
PLCC
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
引脚说明
符号
32
31
30
29
28
27
D
Q
1
Q
2 D
D
Q
3
D
Q
4
D
Q
5
D
Q
6
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
无连接
A11
A9
A8
A13
A14
A17
#WE
V
DD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A0
A17
DQ0
DQ7
#CE
#OE
#WE
V
DD
GND
NC
32-pin
TSOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
-2-
W29C020C
功能说明
读取模式
该W29C020C的读操作是由#CE和#OE ,这两者都必须为低电平控制
主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时,芯片
被取消选择,并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制,用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时,无论#CE或#OE高。
指的是读周期的时序波形的进一步细节。
页写模式
该W29C020C写入(擦除/编程)以页为单位。每个页面包含128个字节的
数据。如果数据页内的字节将被改变,数据的整个页必须被加载到
装置。该页面的写操作期间没有装入任何字节将被删除,以"FF hex" 。
通过强制#CE和#WE低和#OE高启动写操作。写程序
包括两个步骤。步骤1是字节负载循环,其中,所述主机写入的页缓冲器
装置。
步骤2是一个内部写(擦除/编程)的周期,在此期间,在页面缓冲器中的数据是
同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。
在字节负载周期中,地址是通过任一#CE或#WE的下降沿锁存
为准过去。该数据由任一#CE或#WE的上升沿,取发生锁存
第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器(T
BLC
) 200
S
初始字节负载周期之后, W29C020C将停留在页面载入周期。额外的字节可以
然后被连续加载。页面载入周期将被终止,内部写
(擦除/编程)周期将开始,如果没有额外的字节装入页缓冲器A7至A17指定
页面地址。被加载到页缓冲器中的所有字节都必须具有相同的页面地址。 A0到
A6指定页面内的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序装载
不是必需的。
在内部写周期,在页缓冲器中的所有数据,即128字节的数据,同时写入
到存储器阵列。在完成内部写周期之前,主机可以自由地执行
其它任务,例如,获取由系统中的其它位置的数据,以准备写入的下一页。
软件保护的数据写
该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是
启用时,任何写操作需要3个字节的命令序列(与特定的数据到一个特定的
地址)的数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令序列
开始页面加载周期,没有这种写操作将不会被激活。这写方案
为防止意外的写入周期,如在噪声触发的周期最佳的保护
系统上电和断电。
该W29C020C附带启用该软件的数据保护。要启用该软件的数据
保护方案,执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该
器件将进入软件的数据保护模式,以及任何后续的写操作必须
前面三个字节的命令序列的周期。一旦启用,该软件的数据保护将
保持启用状态,除非禁用指令发出。电源转换不会复位软件
数据保护功能。要重置设备未受保护的模式,一个6字节的命令序列
所需。有关特定代码的信息,请参阅命令代码的软件数据保护
在工作模式的表。有关时序波形信息,请参见时序图
下文。
出版日期: 2002年2月18日
修订版A4
-3-
W29C020C
硬件数据保护
存储在W29C020C的数据的完整性也是硬件以下列方式保护:
( 1 )噪声/毛刺保护:小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。
(2) V
DD
上电/掉电检测:写和读操作被禁止时, V
DD
小于
2.5V.
( 3 )写禁止模式:强制#OE低, #CE高,或#WE高会抑制写操作。这
防止在上电或掉电期间意外写入。
(4) V
DD
上电延时:当V
DD
达到其层次感,设备会自动超时5
任何写(擦除/编程)操作前毫秒。
芯片擦除模式
整个装置可以通过使用一个六字节的软件指令代码被删除。请参见软件芯片
擦除时序图。
引导块操作
有两个引导块( 8K字节的每个)在该装置中,其可以被用于存储引导代码。一
它们位于所述第一8K字节,而另一个位于所述最后一个8K字节的存储器。该
第一8K或存储器的最后一个8K可以通过使用一个7字节的命令被设置为引导块
序列。
请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置
数据指定的块不能被擦除或编程(编程锁定) ;其他内存
位置可以通过常规的编程方法来改变。一旦引导块编程
锁定功能被激活时,芯片擦除功能将被禁用。为了检测是否在引导
块功能设置上的两个8K块,用户可以执行6字节的命令序列:进入
产品标识模式(参见命令代码的识别/引导块锁定检测方法
具体的代码) ,然后从地址"00002 hex"读(用于第一8K字节)或"3FFF2 hex" (对于
最后8K字节)。如果输出数据是"FF十六进制, "引导块编程锁定功能被激活;如果
输出数据是"FE进制, "的锁定功能被停用并且块可以被编程。
返回到正常操作时,执行一个3字节的命令序列退出的识别模式。
对于特定的代码,请参阅命令代码识别/引导块锁定检测。
数据轮询( DQ7 ) - 写状态检测
该W29C020C包括数据查询功能,以指示写周期的结束。当
W29C020C是在内部写周期,任何试图从在加载的最后一个字节读DQ7
页面/字节负载周期将接收的真实数据的补码。一旦写周期被完成。
DQ7会显示真实数据。看到#OE轮询时序图。
-4-
W29C020C
翻转位( DQ6 ) - 写状态检测
除了数据轮询, W29C020C提供了另一种方法,用于确定写操作的结束
周期。在内部写周期,任何尝试连续读取DQ6将产生交变0
和为1。当写周期完成时,在0和1的这个触发将停止。该装置是
然后准备下一次操作。见翻转位时序图。
产品标识
产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程
设备会自动匹配的设备,其正确的擦除和编程算法。
的制造商,设备码可通过软件或硬件的操作来访问。在
软件接入模式,一个6字节的命令序列,可以被用来访问该产品ID。一
从地址读"00000 hex"输出制造商代码"DA hex."发件人地址"00001读
hex"输出设备代码"45 hex."产品ID的操作可以通过一个三字节被终止
命令序列。
在硬件访问方式,访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低, #WE激活
高,并提高A9至12伏。
注意: SID读功能的硬件,不包含在所有部分;请参阅订购信息。
TABLE操作模式
操作模式选择
经营范围:0 70℃ (环境温度) ,V
DD
= 5V
±10
%, V
SS
= 0V, V
HH
= 12V
模式
#CE
待机
写禁止
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
输出禁用
5伏的软件芯片
抹去
产品编号
X
V
IL
V
IL
V
IL
#OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
#WE
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
A
IN
A
IN
X
X
X
X
A
IN
引脚
地址
DOUT
DIN
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
高Z
D
IN
制造商代码DA
(十六进制)
器件代码
45 (十六进制)
DQ 。
A0 = V
IL
; A1
A17 = V
IL
;
A9 = V
HH
A0 = V
IH
; A1
A17 = V
IL
;
A9 = V
HH
-5-
出版日期: 2002年2月18日
修订版A4
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