W28J800B/T

8M(512K

×

16/1M

×

8)

BOOT BLOCK FLASH MEMORY

表盒内的

1.一般DESCRIPTION.................................................................................................................. 3

2.特点......................................................................................................................................... 3

3.产品概述...................................................................................................................... 4

4.框图..............................................................................................................................五

块组织........................................................................................................................... 6

5.引脚配置....................................................................................................................... 6

6.引脚说明............................................................................................................................. 7

作者：七原则OPERATION........................................................................................................... 8

数据保护................................................................................................................................ 8

8.总线操作............................................................................................................................. 10

Read............................................................................................................................................... 10

输出禁用............................................................................................................................... 10

待机.......................................................................................................................................... 10

重置.............................................................................................................................................. 10

读取识别码.................................................................................................................... 11

OTP（一次性编程） Block.................................................................................................... 12

写............................................................................................................................................... 12

9.命令DEFINITIONS................................................................................................................ 13

读阵列命令................................................................................................................... 15

读取识别码Command................................................................................................... 15

读状态寄存器命令.............................................. .................................................. ... 15

清除状态寄存器命令.............................................. .................................................. ... 16

块擦除命令.................................................................................................................. 16

整片擦除命令............................................................................................................. 16

字/字节写命令........................................................................................................... 17

块擦除挂起命令.............................................. .................................................. ... 17

字/字节写操作挂起命令............................................ ................................................ 18

定座和永久船闸位命令.......................................... ................................... 18

清除块锁位Command.................................................................................................... 19

OTP程序命令............................................................................................................... 20

块锁定由#WP ............................................................................................................. 20

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出版日期： 2002年11月18日

修订A3

W28J800B/T

10.设计考虑......................................................................................................... 31

三线输出Control............................................................................................................... 31

RY / BY ＃和WSM Polling.............................................................................................................. 31

电源去耦.............................................................................................................. 31

V

PP

跟踪印刷电路板............................................. ................................................. 31

V

DD

, V

PP

， #RESET转换....................................................................................................... 31

上电/下保护............................................................................................................ 32

功耗.......................................................................................................................... 32

数据保护法................................................................................................................. 32

11.电气特性.............................................. .................................................. ... 33

绝对最大额定值* .......................................................................................................... 33

工作条件..................................................................................................................... 33

Capacitance(1)............................................................................................................................... 34

AC输入/输出测试条件............................................ .................................................. ..... 34

直流特性......................................................................................................................... 35

交流特性 - 只读操作（ 1 ） ........................................ ...................................... 37

AC特征 - 写操作（ 1 ） .......................................... ............................................ 40

复位操作........................................................................................................................... 44

块擦除，整片擦除，字/字节写和锁定位配置性能（ 3 ） ...... 45

12.附加INFORMATION......................................................................................................... 46

推荐工作Conditions............................................................................................ 46

13.订购INFORMATION........................................................................................................... 48

14.包装DIMENSION.................................................................................................................. 48

15.版本历史....................................................................................................................... 49

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W28J800B/T

1.概述

该W28J800B / T闪存芯片是一种高密度，高性价比的，非易失性，读/写存储器

装置适合于广泛的应用范围。它操作过的V

DD

= 2.7V至3.6V ，采用V

PP

2.7V的

至3.6V或11.7V至12.3V 。这种低电压工作能力enbales在低功耗应用中使用。

该IC提供引导，参数和主建筑阻挡，以及低电压和

扩展循环。这些功能提供了适合于便携式终端和一个高度灵活的设备

个人计算机。此外，增强的暂停功能提供了两种理想的解决方案

代码和数据存储应用。为安全的代码的存储的应用程序，例如网络，其中

代码可以直接执行出闪光或下载到DRAM ，该器件还提供了四个级别的

保护。它们是：绝对的保护，使当V

PP

≤

V

PPLK

;选择硬件阻塞;

灵活的软件拦截;或写保护。这些替代方案为设计人员提供全面的

控制自己的代码安全性的需求。该装置是采用0.25 。制造

m

工艺技术。

它有业界标准封装， 48引脚TSOP ，这使得它非常适合小型房地产

应用程序。

2.特点

低电压操作

V

DD

= V

PP

= 2.7V至3.6V单电压

OTP（一次性编程）座

3963字+ 4 Word程序只阵列

用户可配置的×8或×16运行

高性能读取时间

90纳秒（V

DD

= 2.7V至3.6V ）

工作温度

0 ° C至+ 70 ° C（ W28J800BT / TT90C ）

-40 ° C至+ 85°C （ W28J800BT / TT90L ）

低功耗管理

2

A

典型待机电流

自动节能模式减小

I

CCR

在静态模式

120

A

典型读取电流

增强的自动暂停选项

字/字节写入暂停阅读

块擦除挂起到Word /字节写

块擦除挂起阅读

增强的数据保护功能

绝对保护与V

PP

≤

V

PPLK

块擦除，整片擦除，字/字节

写和锁定位配置锁定

电源转换期间

块锁定与指挥#WP

永久锁固

自动块擦除，整片擦除，低

电源管理字/字节写和

锁定位配置

命令用户界面（CUI ）

状态寄存器（ SR ）

优化阵列无阻塞架构

两个4K字（ 8K字节）引导块

六4K字（ 8K字节）参数块

十五32K字（ 64K字节）主块

顶部或底部启动位置

扩展循环能力

最低100000块擦除周期

低功耗

工作电流：20 mA（典型值）

A

（典型值）。

SRAM兼容写接口

行业标准包装

48引脚TSOP

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出版日期： 2002年11月18日

修订A3

W28J800B/T

3.产品概述

该产品是组织为16的512K字一个高性能8M位引导块闪存

比特或8比特的1M字节。在512K的字/ 1M字节的数据被安排在两个4K的字/ 8k的字节的引导

块，六4K字/ 8K字节的参数块和15 32K字/ 64K字节这是主要模块

单独擦除，可锁定和解锁的系统。存储器映射是如图3所示。

专用V

PP

销给了完整的数据保护时， V

PP

≤

V

PPLK

.

A命令的用户界面（CUI）作为系统处理器和内部之间的界面

该装置的操作。写到崔有效的命令序列启动设备的自动化。一

内部写状态机（ WSM ）自动执行必要的算法和时序

块擦除，整片擦除，字/字节写和锁定位的配置操作。

块擦除操作擦除设备的32K字/ 64K字节的块内1.2S通常是一个（ 3V

V

DD

, 3V V

PP

） ， 4K字/ 8K字节的块通常在0.6秒（ 3V V

DD

, 3V V

PP

其他的）独立

块。每个块可独立擦除的最小100,000次。块擦除挂起模式

允许系统软件暂停块擦除，从任何其它块的读取或写入数据。

写入存储器的数据在设备的32k的字块的通常的字/字节为单位进行

在33

S

(3V V

DD

, 3V V

PP

） ， 64K字节的块通常在31

S

(3V V

DD

, 3V V

PP

） ， 4K字

在典型的36块

S

(3V V

DD

, 3V V

PP

） ， 8K字节的块通常在32

S

(3V V

DD

, 3V

V

PP

） 。字/字节写操作挂起模式使系统能够读取数据或任何其他执行代码

快闪存储器阵列的位置。

个别块锁定使用的比特的组合， 39块锁定位，一个永久锁定位和

#WP销，以锁定和解锁的块。块锁定位闸块擦除，整片擦除和字/字节

写操作，而永久锁定位的门阻断锁定位的修改和锁定块

交替。锁定位配置操作（设置块锁定位，设置永久锁定位和清除

块锁定位命令）设置和清除锁定位。

状态寄存器指示时， WSM的块擦除，整片擦除，字/字节写入或锁定位

配置操作完成。

该RY / BY ＃输出的同时提供硬件信号给WSM活动的一个附加指标

的状态（相对于软件轮询）和屏蔽状态（中断背景块擦除掩蔽，

例如） 。用RY / ＃状态查询被最小化这两个CPU开销和系统电源

消费。当低， RY / BY ＃表明WSM正在执行块擦除，整片擦除，

字/字节写入或锁定位配置。 RY / BY ＃ - Z高表明WSM是准备一个新的

命令，块擦除暂停（和字/字节写操作无效） ，字/字节写入暂停，

或设备处于复位状态。

存取时间为90纳秒（T

AVQV

）在工作温度范围和V

DD

电源电压范围

的2.7V至3.6V 。

自动省电（ APS）的功能显着减少活性时，该设备是在当前

静态模式（地址不切换） 。在APS模式，典型的我

CCR

电流为2

A

（CMOS）在3.0V

V

DD

.

当#CE和#RESET引脚在V

DD

中，我

CC

CMOS待机模式下被启用。当#RESET

引脚为V

SS

，复位模式被激活，最大限度地减少功耗，并提供写

保护。复位时间（t

PHQV

）从#RESET需要切换到较高的输出是有效的。

同样地，该装置具有一个唤醒时间（t

PHEL

）从RESET ＃高，直到写入到崔的认可。

随着#RESET在V

SS

中， WSM复位和状态寄存器被清除。

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W28J800B/T

改写为"0"有点已经持有一个数据"0"可能会使该位未擦除。以免

这个潜在"stuck bit"失败，重新编程（从"1"改变数据到"0" ）当满足下列

应为：

节目"0"在您要更改的数据从"1"到"0"位。

计划"1"的是已经持有一个数据"0".位（注：因为只有擦除过程

可以将数据更改从"0"到"1" ，编程"1"一个位保存数据"0"不会

改变的数据）。

例如，更改数据"10111101"到"10111100"需要"11111110"编程。

4.框图

DQ0 -DQ15

输出缓冲器

输入缓冲器

I / O逻辑

识别码

注册

产量

多路复用器

状态

注册

数据

注册

命令

用户

接口

VDD

#byte

#CE

#WE

#OE

#reset

#WP

数据

比较

参数块0

参数块1

参数块2

参数块3

参数块4

参数块5

引导块0

引导块1

A1-A18

主座13

主座14

主座0

主座1

输入

卜FF器

Y

解码器

Y型GATING

写

状态

机

OTP座

RY / BY ＃

编程/擦除

高压开关

VPP

地址

LATCH

X

解码器

32K-Word

(64K-Byte)

主要模块

x 15

VDD

VSS

地址

计数器

图1.框图

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出版日期： 2002年11月18日

修订A3