初步W27L010
128K
×
8电可擦除EPROM
概述
该W27L010是一种高速，低功耗电可擦除和可编程只读
只读存储器组织为131072
×
8位。它仅需要一个到3.6V电源在3.0V的范围内
正常的读模式。该W27L010提供电芯片擦除功能。
特点
高速存取时间：
一百二十零分之九十○纳秒（最大）
阅读工作电流： 10毫安（最大）
擦除/编程工作电流：
30毫安（最大）
A
（ MAX 。 ）
低电压供电范围， 3.0V至3.6V
+ 14V的擦除/ + 12V的编程电压
全静态操作
所有输入和输出直接TTL / CMOS
兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚600密耳DIP ， 450
万SOP及PLCC
销刀豆网络gurations
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚DIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/
V V P
P·C G N
P·C M C
1
3 3
2 1
VCC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
PGM
CE
OE
控制
产量
卜FF器
Q0
.
.
Q7
A0
.
解码器
.
A16
CORE
ARRAY
V
CC
GND
V
PP
引脚说明
符号
A0A16
Q0Q7
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
A A A
1 1 1
2 5 6
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
4
5
6
7
8
9
10
11
12 1
13 4
3
0 29
28
27
26
32引脚PLCC
25
24
23
1 1 1 1 1 2 22
5 6 7 8 9 0 21
3 2
Q Q摹Q Q Q Q
1 2 N 3 4 5 6
D
CE
OE
PGM
V
PP
V
CC
GND
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
项目启用
编程/擦除电源电压
电源
地
无连接
-1-
出版日期： 1999年2月
修订版A1
初步W27L010
功能说明
读取模式
像常规UVEPROMs ，该W27L010具有两个控制功能，这两者在产生数据
的输出。
CE是功率控制和片选。 OE控制输出缓冲器到栅极的数据到输出引脚。
当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟从CE到输出
(T
CE
） ，以及数据可在输出
OE
OE的下降沿后，如果T
加
和T
CE
计时
得到满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，要求多达一半的内容
一个小时） ，则W27L010采用电擦除。一般情况下，该芯片可以在100毫秒内被删除
采用EPROM写入器具有特殊的擦除算法。
擦除模式进入当V
PP
被升高到V
PE
(14V), V
CC
= V
CE
（ 5V ） ，低CE ， OE高， A9 =
V
HH
（ 14V ） ， A0低
,
和所有其他地址引脚为低电平，数据输入引脚高。脉冲PGM低启动
擦除操作。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅擦除
利润率。此模式将擦除操作后，如果要输入V
PP
= V
PE
（ 14V ） ， CE低， OE低
,
PGM高
.
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V), V
CC
= V
CP
（ 5V ） ，CE低
,
OE集锦，地址引脚等于所需的地址，与所述输入
销等于所需输入。脉冲PGM低开始编程操作。
程序校验模式
所有在芯片中的字节必须进行验证，以检查其是否已被成功
编程所需的数据或没有。因此，在每个字节进行编程，编程验证
操作应该被执行。该程序验证模式可自动确保大幅
项目保证金。该模式将在程序运行后，如果输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ，CE低
,
OE低
,
和PGM高。
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当CE高，擦除或者非目标芯片编程被抑制，从而使除
CE，该W27L010可能有共同的投入。
-2-
初步W27L010
待机模式
在待机模式下显著降低V
CC
电流。该模式进入时， CE高。在待机状态
模式下，所有输出处于高阻抗状态，独立的OE和PGM的。
两线输出控制
由于EPROM中的大内存阵列经常使用的， W27L010提供两个控制输入
多个内存连接。两线控制提供尽可能低的功耗内存
耗散，并确保不会发生数据总线争用。
系统注意事项
EPROM电源开关特性需要仔细的去耦装置。系统设计人员
关注三个供电电流的问题：待机电流水平（ ISB） ，有源电流水平（ ICC）
并制作了CE的上升沿和下降沿的瞬态电流峰值。瞬态电流
大小取决于设备输出的容性和感性负载。两线控制
适当的去耦电容的选择将抑制瞬态电压尖峰。每个设备都应该有
a 0.1
F
陶瓷电容器连接在其Vcc和GND之间。这种高频率，低inherent-
电感电容应尽可能靠近设备。此外，对于每八个
设备， 4.7
F
电解电容应放置在阵列的电源连接
之间的Vcc和GND 。大容量电容器将克服由PC电路板迹线电压衰退
电感。
TABLE操作模式
V
CC
= 3.3V, V
PP
= 12V, V
PE
= 14V, V
HH
= 12V, V
CP
= 5V ，X = V
IH
或V
IL
模式
CE
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
抹去
擦除验证
禁止删除
产品识别系统，
生产厂家
产品标识符的设备
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
±0.3V
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
引脚
PGM
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
PE
X
X
V
HH
V
HH
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CP
V
CP
V
CP
V
CP
V
CP
V
CP
V
CC
V
CC
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PE
V
PE
V
PE
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
FF （十六进制）
D
OUT
高Z
DA （十六进制）
01 （十六进制）
-3-
出版日期： 1999年2月
修订版A1
初步W27L010
DC特性
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
所有引脚相对于地面除V电压
CC,
V
PP
和A9引脚
在V电压
CC
引脚对地
在V电压
PP
引脚对地
电压A9引脚相对于地面
等级
0至+70
-65到+125
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到+7
-0.5至14.5
-0.5至14.5
单位
°C
°C
V
V
V
V
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
DC擦除特性
(T
A
= 25° C
±5°
C，V
CC
= 5.0V
±10%,
V
HH
= 14V)
参数
符号。
条件
分钟。
范围
典型值。
-
-
马克斯。
10
30
单位
A
mA
输入负载电流
V
CC
擦除电流
I
LI
I
CP
V
IN
= V
IL
或V
IH
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
PGM = V
IL
， A9 = V
HH
-10
-
V
PP
擦除电流
I
PP
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
PGM = V
IL
， A9 = V
HH
-
-
30
mA
输入低电压
输入高电压
输出低电压（验证）
输出高电压（验证）
A9擦除电压
V
PP
擦除电压
V
CC
电源电压（擦除）
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
V
PE
V
CE
-
-
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
-
-
-
-0.3
2.4
-
2.4
13.25
13.25
4.5
-
-
-
-
14.0
14.0
5.0
0.8
5.5
0.45
-
14.25
14.25
5.5
V
V
V
V
V
V
V
注： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
-4-
初步W27L010
128K
×
8电可擦除EPROM
概述
该W27L010是一种高速，低功耗电可擦除和可编程只读
只读存储器组织为131072
×
8位。它仅需要一个到3.6V电源在3.0V的范围内
正常的读模式。该W27L010提供电芯片擦除功能。
特点
高速存取时间：
一百二十零分之九十○纳秒（最大）
阅读工作电流： 10毫安（最大）
擦除/编程工作电流：
30毫安（最大）
A
（ MAX 。 ）
低电压供电范围， 3.0V至3.6V
+ 14V的擦除/ + 12V的编程电压
全静态操作
所有输入和输出直接TTL / CMOS
兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚600密耳DIP ， 450
万SOP及PLCC
销刀豆网络gurations
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚DIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/
V V P
P·C G N
P·C M C
1
3 3
2 1
VCC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
PGM
CE
OE
控制
产量
卜FF器
Q0
.
.
Q7
A0
.
解码器
.
A16
CORE
ARRAY
V
CC
GND
V
PP
引脚说明
符号
A0A16
Q0Q7
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
A A A
1 1 1
2 5 6
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
4
5
6
7
8
9
10
11
12 1
13 4
3
0 29
28
27
26
32引脚PLCC
25
24
23
1 1 1 1 1 2 22
5 6 7 8 9 0 21
3 2
Q Q摹Q Q Q Q
1 2 N 3 4 5 6
D
CE
OE
PGM
V
PP
V
CC
GND
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
项目启用
编程/擦除电源电压
电源
地
无连接
-1-
出版日期： 1999年2月
修订版A1
初步W27L010
功能说明
读取模式
像常规UVEPROMs ，该W27L010具有两个控制功能，这两者在产生数据
的输出。
CE是功率控制和片选。 OE控制输出缓冲器到栅极的数据到输出引脚。
当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟从CE到输出
(T
CE
） ，以及数据可在输出
OE
OE的下降沿后，如果T
加
和T
CE
计时
得到满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，要求多达一半的内容
一个小时） ，则W27L010采用电擦除。一般情况下，该芯片可以在100毫秒内被删除
采用EPROM写入器具有特殊的擦除算法。
擦除模式进入当V
PP
被升高到V
PE
(14V), V
CC
= V
CE
（ 5V ） ，低CE ， OE高， A9 =
V
HH
（ 14V ） ， A0低
,
和所有其他地址引脚为低电平，数据输入引脚高。脉冲PGM低启动
擦除操作。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅擦除
利润率。此模式将擦除操作后，如果要输入V
PP
= V
PE
（ 14V ） ， CE低， OE低
,
PGM高
.
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V), V
CC
= V
CP
（ 5V ） ，CE低
,
OE集锦，地址引脚等于所需的地址，与所述输入
销等于所需输入。脉冲PGM低开始编程操作。
程序校验模式
所有在芯片中的字节必须进行验证，以检查其是否已被成功
编程所需的数据或没有。因此，在每个字节进行编程，编程验证
操作应该被执行。该程序验证模式可自动确保大幅
项目保证金。该模式将在程序运行后，如果输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ，CE低
,
OE低
,
和PGM高。
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当CE高，擦除或者非目标芯片编程被抑制，从而使除
CE，该W27L010可能有共同的投入。
-2-
初步W27L010
待机模式
在待机模式下显著降低V
CC
电流。该模式进入时， CE高。在待机状态
模式下，所有输出处于高阻抗状态，独立的OE和PGM的。
两线输出控制
由于EPROM中的大内存阵列经常使用的， W27L010提供两个控制输入
多个内存连接。两线控制提供尽可能低的功耗内存
耗散，并确保不会发生数据总线争用。
系统注意事项
EPROM电源开关特性需要仔细的去耦装置。系统设计人员
关注三个供电电流的问题：待机电流水平（ ISB） ，有源电流水平（ ICC）
并制作了CE的上升沿和下降沿的瞬态电流峰值。瞬态电流
大小取决于设备输出的容性和感性负载。两线控制
适当的去耦电容的选择将抑制瞬态电压尖峰。每个设备都应该有
a 0.1
F
陶瓷电容器连接在其Vcc和GND之间。这种高频率，低inherent-
电感电容应尽可能靠近设备。此外，对于每八个
设备， 4.7
F
电解电容应放置在阵列的电源连接
之间的Vcc和GND 。大容量电容器将克服由PC电路板迹线电压衰退
电感。
TABLE操作模式
V
CC
= 3.3V, V
PP
= 12V, V
PE
= 14V, V
HH
= 12V, V
CP
= 5V ，X = V
IH
或V
IL
模式
CE
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
抹去
擦除验证
禁止删除
产品识别系统，
生产厂家
产品标识符的设备
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
±0.3V
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
引脚
PGM
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
PE
X
X
V
HH
V
HH
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CP
V
CP
V
CP
V
CP
V
CP
V
CP
V
CC
V
CC
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PE
V
PE
V
PE
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
FF （十六进制）
D
OUT
高Z
DA （十六进制）
01 （十六进制）
-3-
出版日期： 1999年2月
修订版A1
初步W27L010
DC特性
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
所有引脚相对于地面除V电压
CC,
V
PP
和A9引脚
在V电压
CC
引脚对地
在V电压
PP
引脚对地
电压A9引脚相对于地面
等级
0至+70
-65到+125
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到+7
-0.5至14.5
-0.5至14.5
单位
°C
°C
V
V
V
V
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
DC擦除特性
(T
A
= 25° C
±5°
C，V
CC
= 5.0V
±10%,
V
HH
= 14V)
参数
符号。
条件
分钟。
范围
典型值。
-
-
马克斯。
10
30
单位
A
mA
输入负载电流
V
CC
擦除电流
I
LI
I
CP
V
IN
= V
IL
或V
IH
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
PGM = V
IL
， A9 = V
HH
-10
-
V
PP
擦除电流
I
PP
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
PGM = V
IL
， A9 = V
HH
-
-
30
mA
输入低电压
输入高电压
输出低电压（验证）
输出高电压（验证）
A9擦除电压
V
PP
擦除电压
V
CC
电源电压（擦除）
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
V
PE
V
CE
-
-
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
-
-
-
-0.3
2.4
-
2.4
13.25
13.25
4.5
-
-
-
-
14.0
14.0
5.0
0.8
5.5
0.45
-
14.25
14.25
5.5
V
V
V
V
V
V
V
注： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
-4-
QQ：2880707522 复制
