W27E257
32K
×
8电可擦除EPROM
概述
该W27E257是一个高速，低功耗电可擦除和可编程只读
内存组织为32768
×
8位可以工作在单5伏电源。该W27E257
提供电芯片擦除功能。这部分是相同的EPROM作家的事业作为
W27E256.
特点
高速存取时间：
100/120/150纳秒（最大）
阅读工作电流：15 mA（典型值）
擦除/编程工作电流
1毫安（典型值）。
A
（典型值）。
单5V电源
+ 14V的擦除/ + 12V的编程电压
全静态操作
所有输入和输出直接TTL / CMOS
兼容
三态输出
可用的软件包： 28引脚600密耳DIP和
32引脚PLCC
销刀豆网络gurations
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-pin
DIP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
Q0
.
.
Q7
CE
OE
控制
产量
卜FF器
A0
.
.
A14
VCC
GND
VPP
解码器
CORE
ARRAY
A V
V A A
A 1 P N C 1 1
7个P C C 4 3
4 3 2
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
6
7
8
9
10
11
12 1
13 4
1
3
2
3
1
3
0 29
28
27
26
25
24
23
22
2
0 21
引脚说明
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
Q7
Q6
符号
A0A14
Q0Q7
CE
OE
V
PP
V
CC
GND
NC
32-pin
PLCC
1
5
1
6
1 1
7 8
1
9
Q Q G N
1 2 N
D
Q Q Q
3 4 5
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
编程/擦除电源电压
电源
地
无连接
出版日期： 1997年1月
修订A3
-1-
W27E257
功能说明
读取模式
像常规UVEPROMs中， W27E257有两个控制功能，这两者产生的数据
在输出端。
CE是功率控制和片选。 OE控制输出缓冲器到栅极的数据到输出引脚。
当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟从CE到输出
(T
CE
） ，以及数据可在输出
OE
OE的下降沿后，如果T
加
和T
CE
计时
得到满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，要求多达一半的内容
一个小时） ，在W27E257采用电擦除。一般情况下，该芯片可以在100毫秒内被删除
采用EPROM写入器具有特殊的擦除算法。
擦除模式进入当V
PP
被升高到V
PE
(14V), V
CC
= V
CE
（ 5V ） ， OE = V
IH
（ 2V或以上，但
比V低
CC
） ， A9 = V
HH
（ 14V ） ， A0 = V
IL
（ 0.8V或以下，但比GND更高），以及所有其它
地址引脚等于V
IL
和数据输入引脚等于V
IH
。脉冲CE低开始擦除操作。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅擦除
利润率。此模式将擦除操作后，如果要输入V
PP
= V
PE
（ 14V ） ，CE = V
IH
和OE =
V
IL
.
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V), V
CC
= V
CP
（ 5V ） ， OE = V
IH
中，地址管脚等于所需的地址，并输入引脚
等于期望的输入。脉冲CE低开始编程操作。
程序校验模式
所有在芯片中的字节必须进行验证，以检查是否他们已经成功地
编程所需的数据。因此，在每个字节进行编程，编程验证
操作应该被执行。该程序验证模式可自动确保大幅
项目保证金。该模式将在程序运行后，如果输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ，CE = V
IH
,
和OE = V
IL
.
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当CE = V
IH
，擦除或者非目标芯片编程被抑制，从而使除
CE和OE引脚， W27E257可能有共同的投入。
-2-
W27E257
待机模式
在待机模式下显著降低V
CC
电流。该模式时进入CE = V
IH
。在
待机模式中，所有的输出均处于高阻抗状态，独立的OE 。
两线输出控制
由于EPROM中的大内存阵列经常使用的， W27E257提供了两个控制输入
多个内存连接。两线控制提供尽可能低的功耗内存
耗散，并确保不会发生数据总线争用。
系统注意事项
EPROM电源开关特性需要仔细的去耦装置。系统设计人员
有兴趣的三种电源电流问题：待机电流水平（我
SB
） ，有源电流电平（I
CC
） ，以及
通过CE的上升沿和下降沿产生的瞬态电流峰值。瞬态电流幅值
依赖于器件输出的电容和电感负载。两线的控制和适当的
去耦电容的选择将抑制瞬态电压尖峰。每个设备应该具有0.1
F的陶瓷电容连接它的V之间
CC
和GND 。这种高频率，低inherent-
电感电容应尽可能靠近设备。此外，对于每八个
设备， 4.7
F
电解电容应放置在阵列的电源连接
V之间
CC
和GND 。大容量电容器将克服由PC电路板迹线电压衰退
电感。
TABLE操作模式
(V
PP
= 12V, V
PE
= 14V, V
HH
= 12V, V
CP
= 5V ，X = V
IH
或V
IL
)
模式
CE
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
抹去
擦除验证
禁止删除
产品标识，生产厂家
产品标识符的设备
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
±0.3V
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
引脚
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
PE
X
X
V
HH
V
HH
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CP
V
CP
V
CP
V
CC
V
CC
V
CP
V
CC
V
CC
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PE
V
PE
V
PP
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
D
IH
D
OUT
高Z
DA （十六进制）
02 （十六进制）
-3-
出版日期： 1997年1月
修订A3
W27E257
DC特性
绝对最大额定值
参数
环境温度与功耗的应用
储存温度
所有引脚相对于地面除V电压
PP,
A9
和V
CC
引脚
在V电压
PP
引脚对地
电压A9引脚相对于地面
在V电压
CC
引脚对地
等级
-55到+125
-65到+125
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5至14.5
-0.5至14.5
-0.5到+7
单位
°C
°C
V
V
V
V
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
DC擦除特性
(T
A
= 25° C
±5°
C，V
CC
= 5.0V
±10%)
参数
输入负载电流
V
CC
擦除电流
V
PP
擦除电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压（验证）
输出高电压（验证）
A9擦除电压
V
PP
擦除电压
V
CC
电源电压（擦除）
符号。
I
LI
I
CP
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
V
PE
V
CE
条件
分钟。
V
IN
= V
IL
或V
IH
CE = V
IL
CE = V
IL
-
-
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
-
-
-
-10
-
-
-0.3
2.4
-
2.4
13.75
13.75
4.5
范围
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
14
14
5.0
马克斯。
10
30
30
0.8
5.5
0.45
-
14.25
14.25
5.5
单位
A
mA
mA
V
V
V
-
V
V
V
注： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
电容
(V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
12
单位
pF
pF
-4-
W27E257
32K
×
8电可擦除EPROM
概述
该W27E257是一个高速，低功耗电可擦除和可编程只读
内存组织为32768
×
8位可以工作在单5伏电源。该W27E257
提供电芯片擦除功能。这部分是相同的EPROM作家的事业作为
W27E256.
特点
高速存取时间：
100/120/150纳秒（最大）
阅读工作电流：15 mA（典型值）
擦除/编程工作电流
1毫安（典型值）。
A
（典型值）。
单5V电源
+ 14V的擦除/ + 12V的编程电压
全静态操作
所有输入和输出直接TTL / CMOS
兼容
三态输出
可用的软件包： 28引脚600密耳DIP和
32引脚PLCC
销刀豆网络gurations
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-pin
DIP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
Q0
.
.
Q7
CE
OE
控制
产量
卜FF器
A0
.
.
A14
VCC
GND
VPP
解码器
CORE
ARRAY
A V
V A A
A 1 P N C 1 1
7个P C C 4 3
4 3 2
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
6
7
8
9
10
11
12 1
13 4
1
3
2
3
1
3
0 29
28
27
26
25
24
23
22
2
0 21
引脚说明
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
Q7
Q6
符号
A0A14
Q0Q7
CE
OE
V
PP
V
CC
GND
NC
32-pin
PLCC
1
5
1
6
1 1
7 8
1
9
Q Q G N
1 2 N
D
Q Q Q
3 4 5
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
编程/擦除电源电压
电源
地
无连接
出版日期： 1997年1月
修订A3
-1-
W27E257
功能说明
读取模式
像常规UVEPROMs中， W27E257有两个控制功能，这两者产生的数据
在输出端。
CE是功率控制和片选。 OE控制输出缓冲器到栅极的数据到输出引脚。
当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟从CE到输出
(T
CE
） ，以及数据可在输出
OE
OE的下降沿后，如果T
加
和T
CE
计时
得到满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，要求多达一半的内容
一个小时） ，在W27E257采用电擦除。一般情况下，该芯片可以在100毫秒内被删除
采用EPROM写入器具有特殊的擦除算法。
擦除模式进入当V
PP
被升高到V
PE
(14V), V
CC
= V
CE
（ 5V ） ， OE = V
IH
（ 2V或以上，但
比V低
CC
） ， A9 = V
HH
（ 14V ） ， A0 = V
IL
（ 0.8V或以下，但比GND更高），以及所有其它
地址引脚等于V
IL
和数据输入引脚等于V
IH
。脉冲CE低开始擦除操作。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅擦除
利润率。此模式将擦除操作后，如果要输入V
PP
= V
PE
（ 14V ） ，CE = V
IH
和OE =
V
IL
.
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V), V
CC
= V
CP
（ 5V ） ， OE = V
IH
中，地址管脚等于所需的地址，并输入引脚
等于期望的输入。脉冲CE低开始编程操作。
程序校验模式
所有在芯片中的字节必须进行验证，以检查是否他们已经成功地
编程所需的数据。因此，在每个字节进行编程，编程验证
操作应该被执行。该程序验证模式可自动确保大幅
项目保证金。该模式将在程序运行后，如果输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ，CE = V
IH
,
和OE = V
IL
.
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当CE = V
IH
，擦除或者非目标芯片编程被抑制，从而使除
CE和OE引脚， W27E257可能有共同的投入。
-2-
W27E257
待机模式
在待机模式下显著降低V
CC
电流。该模式时进入CE = V
IH
。在
待机模式中，所有的输出均处于高阻抗状态，独立的OE 。
两线输出控制
由于EPROM中的大内存阵列经常使用的， W27E257提供了两个控制输入
多个内存连接。两线控制提供尽可能低的功耗内存
耗散，并确保不会发生数据总线争用。
系统注意事项
EPROM电源开关特性需要仔细的去耦装置。系统设计人员
有兴趣的三种电源电流问题：待机电流水平（我
SB
） ，有源电流电平（I
CC
） ，以及
通过CE的上升沿和下降沿产生的瞬态电流峰值。瞬态电流幅值
依赖于器件输出的电容和电感负载。两线的控制和适当的
去耦电容的选择将抑制瞬态电压尖峰。每个设备应该具有0.1
F的陶瓷电容连接它的V之间
CC
和GND 。这种高频率，低inherent-
电感电容应尽可能靠近设备。此外，对于每八个
设备， 4.7
F
电解电容应放置在阵列的电源连接
V之间
CC
和GND 。大容量电容器将克服由PC电路板迹线电压衰退
电感。
TABLE操作模式
(V
PP
= 12V, V
PE
= 14V, V
HH
= 12V, V
CP
= 5V ，X = V
IH
或V
IL
)
模式
CE
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
抹去
擦除验证
禁止删除
产品标识，生产厂家
产品标识符的设备
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
±0.3V
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
引脚
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
PE
X
X
V
HH
V
HH
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CP
V
CP
V
CP
V
CC
V
CC
V
CP
V
CC
V
CC
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PE
V
PE
V
PP
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
D
IH
D
OUT
高Z
DA （十六进制）
02 （十六进制）
-3-
出版日期： 1997年1月
修订A3
W27E257
DC特性
绝对最大额定值
参数
环境温度与功耗的应用
储存温度
所有引脚相对于地面除V电压
PP,
A9
和V
CC
引脚
在V电压
PP
引脚对地
电压A9引脚相对于地面
在V电压
CC
引脚对地
等级
-55到+125
-65到+125
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5至14.5
-0.5至14.5
-0.5到+7
单位
°C
°C
V
V
V
V
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
DC擦除特性
(T
A
= 25° C
±5°
C，V
CC
= 5.0V
±10%)
参数
输入负载电流
V
CC
擦除电流
V
PP
擦除电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压（验证）
输出高电压（验证）
A9擦除电压
V
PP
擦除电压
V
CC
电源电压（擦除）
符号。
I
LI
I
CP
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
V
PE
V
CE
条件
分钟。
V
IN
= V
IL
或V
IH
CE = V
IL
CE = V
IL
-
-
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
-
-
-
-10
-
-
-0.3
2.4
-
2.4
13.75
13.75
4.5
范围
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
14
14
5.0
马克斯。
10
30
30
0.8
5.5
0.45
-
14.25
14.25
5.5
单位
A
mA
mA
V
V
V
-
V
V
V
注： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
电容
(V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
12
单位
pF
pF
-4-
QQ：2880707522 复制
