初步W27E01
128K
×
8电可擦除EPROM
1.概述
在W27E01是高速，低功耗电可擦除和可编程只读
只读存储器组织为131,072
×
8位。它仅需要一个在5.0V的范围内的供应
±10%
in
正常的读模式。该W27E01提供了一种电芯片擦除功能。
2.特点
单电源电压：
5.0V
±10%
高速存取时间：
九十○分之七十〇纳秒（最大）
阅读工作电流：30 MA（最大）
擦除/编程工作电流：
30毫安（最大）
A
（ MAX 。 ）
+ 12V的擦除/编程电压
全静态操作
所有输入和输出直接TTL / CMOS
兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚600密耳DIP ， 32引脚
PLCC和32引脚STSOP
3.引脚配置
4.框图
V
DD
VSS
V
PP
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
PDIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
#PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
4
5
6
7
8
9
10
11
12 1
13 4
3
2
1
A A A
1 1 1
2 5 6
V
p
p
#
V P
G N
M C
3
2
3
1
3
0 29
28
27
26
25
24
23
2 22
0 21
#PGM
#CE
#OE
控制
产量
卜FF器
Q0
.
.
Q7
32引脚PLCC
1
5
1
6
1 1
7 8
1
9
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
Q7
A0
.
.
A16
解码器
CORE
ARRAY
Q Q V Q Q Q Q
1 2 s 3 4 5 6
s
5.引脚说明
A11
A9
A8
A13
A14
NC
#PGM
V
DD
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32引脚STSOP
#OE
A10
#CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
V SS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
符号
A0
A16
Q0
Q7
#CE
#OE
#PGM
V
PP
V
DD
VSS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
项目启用
编程/擦除电源电压
电源
地
无连接
-1-
出版日期： 2002年5月30日
修订版A1
初步W27E01
6.功能描述
读取模式
像常规UVEPROMs中， W27E01具有两个控制功能，并在这两个产生数据
的输出。
#CE是功率控制和片选。 #OE控制所述输出缓冲器到栅极的数据到输出引脚。
当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟从#CE到输出
(T
CE
） ，以及数据可在输出
OE
#OE的下降沿之后，如果T
加
和T
CE
计时
得到满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，需要长达半的内容
小时） ，在W27E01采用电擦除。通常，该芯片可在100毫秒通过使用擦除
EPROM写入器有特殊的擦除算法。
擦除模式进入当V
PP
被升高到V
PE
(12V), V
DD
= V
CE
（5V） ， #CE低， #OE高，A9 = V
HH
（ 12V ） ， A0低
,
和所有其他地址引脚为低电平，数据输入引脚高。脉冲#PGM低的开始
擦除操作。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅擦除
利润率。此模式将擦除操作后，如果要输入V
DD
= V
PE
（5V） ， #CE低， #OE低，
#PGM高
.
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V),
V
DD
= V
CP
（5V） ， #CE低， #OE高时，地址引脚等于所需的地址，并输入引脚
等于期望的输入。脉冲#PGM低开始编程操作。
程序校验模式
所有在芯片中的字节必须进行验证，以检查其是否已被成功编程
与所需的数据或没有。因此，在每个字节进行编程，程序验证操作应
来执行。该程序验证模式可自动确保重大项目保证金。此模式
该程序运行后，如果将输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ， #CE低， #OE低
,
和#PGM高。
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当#CE高，擦除或者非目标芯片编程被抑制，从而使除
#CE的W27E01可能有共同的投入。
-2-
初步W27E01
待机模式
在待机模式下显著降低V
DD
电流。该模式进入时#CE高。在待机状态
模式下，所有输出处于高阻抗状态，独立#OE和#PGM的。
两线输出控制
由于EPROM中的大内存阵列经常使用的， W27E01提供两个控制输入
多个内存连接。两线控制提供尽可能低的内存功耗
并确保不会发生数据总线争用。
系统注意事项
EPROM电源开关特性需要仔细的去耦装置。系统设计人员
关注三个供电电流的问题：待机电流水平（我
SB
） ，有源电流电平（I
CC
） ，以及
通过#CE的上升沿和下降沿产生的瞬态电流峰值。瞬态电流幅值
依赖于器件输出的电容和电感负载。两线的控制和适当的去耦
电容选择将抑制瞬态电压尖峰。每个设备应该具有0.1
F
陶瓷的
电容连接它的V之间
DD
和Vss 。这种高频率，低固有电感电容
应放置在尽可能靠近到设备。此外，每八台设备，一个4.7
F
电解电容应放置在V之间的阵列的电源连接
DD
和Vss 。
大容量电容器将克服由PC电路板寄生电感电压衰退。
7.表操作模式
V
DD
= 5.0V
±10%,
VPP = VP
E
= V
HH
= 12V, V
CP
= V
PE
= 5V ，X = V
IH
或V
IL
模式
#CE
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
抹去
擦除验证
禁止删除
产品
标识符制造商
产品标识符的设备
V
IL
V
IL
V
IH
V
DD
±0.3V
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
#OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
#PGM
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
X
X
X
引脚
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
PE
X
X
V
HH
V
HH
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
CP
V
CP
V
CP
V
CP
V
PE
V
CP
V
DD
V
DD
V
PP
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
PP
V
PP
V
PP
V
PE
V
PP
V
PE
V
DD
V
DD
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
FF （十六进制）
D
OUT
高Z
DA （十六进制）
01 （十六进制）
-3-
出版日期： 2002年5月30日
修订版A1
初步W27E01
8.直流特性
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
所有引脚相对于地面除V电压
DD,
V
PP
和A9引脚
在V电压
DD
引脚对地
在V电压
PP
引脚对地
电压A9引脚相对于地面
等级
0至+70
-65到+125
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到+7.0
-0.5至14.5
-0.5至14.5
单位
°C
°C
V
V
V
V
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
9.电容
(V
DD
= 5.0V
±10%,
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
12
单位
pF
pF
10.读操作直流特性
(V
DD
= 5.0V
±10%,
T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入负载电流
输出漏
当前
待机V
DD
当前
（ TTL输入）
待机V
DD
当前
（ CMOS输入）
V
DD
工作电流
V
PP
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
PP
工作电压
符号。
I
LI
I
LO
I
SB
I
SB
1
I
CC
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
PP
条件
V
IN
= 0V至V
DD
V
OUT
= 0V至V
DD
#CE = V
IH
#CE = V
DD
±0.2V
#CE = V
白细胞介素，
I
OUT
= 0 mA时，
F = 5兆赫
V
PP
= V
DD
-
-
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -0.1毫安
-
范围
分钟。
-5
-10
-
-
-
-
-0.3
2.0
-
2.4
V
DD -
0.7
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
5
10
1
100
30
10
0.8
V
DD
+0.5
0.4
-
V
DD
单位
A
A
mA
A
mA
A
V
V
V
V
V
-4-
QQ：2881677436 复制
