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W26L010A
64K
×
16个高速CMOS静态RAM
概述
该W26L010A是组织为65,536高速，低功耗的CMOS静态RAM
×
16位的
运行在一个单一的3.3伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
该W26L010A具有低有效芯片选择，独立的上部和下部字节选择，和一个快
输出使能。无时钟或刷新需要。单独的字节选择控件（
LB
和UB ）允许
单个字节写入和读取。
LB
控制I / 01 -I / O 8 ，低位字节。 UB控制I / O9-
I / O16 ，高字节。这个装置是非常适合于高密度，高速系统使用
应用程序。
特点
高速存取时间： 10/12纳秒（最大）
低功耗：
主动： 530毫瓦（最大）
单身
+3.3V
电源
全静态操作
无时钟或刷新
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
数据字节控制
LB
(I/O1I/O8),
UB
(I/O9I/O16)
可用的软件包： 44引脚400密耳SOJ和
44针TSOP （ II ）
引脚配置
框图
V
DD
V
SS
A0
.
.
解码器
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
DD
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A5
A6
A7
A8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44-PIN
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A15
A14
A13
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
DD
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A12
A11
A10
A9
NC
A15
CORE
ARRAY
UB
CS
OE
WE
LB
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O16
引脚说明
符号
A0A15
I/O1I/O16
CS
WE
OE
LB
UB
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
低字节选择I / O1 -I / O8
高字节选择I / O9 -I / O16
电源
地
无连接
-1-
出版日期： 1998年7月
修订A3
W26L010A
真值表
CS
OE
X
H
L
L
L
X
X
X
X
WE
LB
UB
X
X
L
H
L
L
H
L
H
模式
未选择
输出禁用
2字节读取
低字节读
高字节读
2字节的写
低字节写入
高字节写
输出禁用
I/O1I/O8
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
高Z
高Z
I/O9I/O16
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
高Z
V
DD
当前
I
SB
, I
SB1
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
X
X
X
L
L
H
L
L
H
H
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
1.5
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
-2-
W26L010A
工作特性
(V
DD
= 3.3V
±5%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏
当前
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD
输出引脚处于高Z，
见真值表
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
CS = V
IL
（最大） ，周期=
分钟。
I / O =开放，占空比= 100 ％
10
12
分钟。
-0.5
+2.0
-10
-10
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.3
+10
+10
单位
V
V
A
A
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
-
160
140
30
10
V
V
mA
I
SB
I
SB1
CS = V
IH
（分钟） ，循环=分钟。
CS = V
DD
-0.2V ， I / O =开放
所有其他引脚= V
DD
-0.2V/GND
mA
mA
注：在V典型特性进行评价
DD
= 3.3V ，T
A
= 25° C.
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号。
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3V
2纳秒
1.5V
C
L
= 30 pF的，我
OH
/I
OL
= -4毫安/ 8毫安
条件
-3-
出版日期： 1998年7月
修订A3
W26L010A
AC测试负载和波形
R1 320欧姆
R1 320欧姆
3.3V
产量
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
350欧姆
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
350欧姆
3.3V
（适用于T
CLZ ，
T
BLZ ，
T
OLZ ，
T
CHZ ，
T
BHZ ，
T
OHZ ，
T
WHZ ，
T
OW
)
3.0V
90%
10%
2纳秒
10%
90%
0V
2纳秒
(V
DD
= 3.3V
±5%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
（ 1 ）读周期
参数
符号。
W26L010A-10
W26L010A-12
单位
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
从地址变更输出保持
片选到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
输出使能到输出中低Z
输出禁止到输出中高Z
UB ， LB选择要输出在低Z
UB
,
LB
取消选择到输出中高Z
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
马克斯。
-
10
10
5
5
5
5
5
分钟。
12
3
3
0
0
马克斯。
-
12
12
6
6
6
6
6
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
T
RC
T
AA
T
ACS
T
OE
T
BA
T
OH
T
CLZ *
T
CHZ *
T
OLZ *
T
OHZ
*
T
BLZ *
T
BHZ *
10
3
3
0
0
-4-
W26L010A
AC特性，继续
（ 2 ）写周期
参数
符号。
W26L010A-10
W26L010A-12
单位
分钟。
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
UB ， LB选择完写的
把脉冲宽度
写恢复时间
CS ， WE
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
BW
T
WP
T
WR
T
DW
T
DH
T
WHZ *
T
OW *
10
9
9
0
9
9
0
6
0
3
马克斯。
6
分钟。
12
10
10
0
10
10
0
7
0
3
马克斯。
7
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
写结束到输出有效
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
-5-
出版日期： 1998年7月
修订A3
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