【W26L010A64K×16个高速CMOS静态RAM概述该W26L010A是组织为65,536高速，】,IC型号W26L010A,W26L010A PDF资料,W26L010A经销商,ic,电子元器件-51电子网

W26L010A

64K

×

16个高速CMOS静态RAM

概述

该W26L010A是组织为65,536高速，低功耗的CMOS静态RAM

×

16位的

运行在一个单一的3.3伏电源。该器件采用华邦制造高

高性能CMOS技术。

该W26L010A具有低有效芯片选择，独立的上部和下部字节选择，和一个快

输出使能。无时钟或刷新需要。单独的字节选择控件（

LB

和UB ）允许

单个字节写入和读取。

LB

控制I / 01 -I / O 8 ，低位字节。 UB控制I / O9-

I / O16 ，高字节。这个装置是非常适合于高密度，高速系统使用

应用程序。

特点

高速存取时间： 10/12纳秒（最大）

低功耗：

主动： 530毫瓦（最大）

单身

+3.3V

电源

全静态操作

无时钟或刷新

所有输入和输出直接TTL兼容

三态输出

数据字节控制

LB

(I/O1I/O8),

UB

(I/O9I/O16)

可用的软件包： 44引脚400密耳SOJ和

44针TSOP （ II ）

引脚配置

框图

V

DD

V

SS

A0

.

解码器

A0

A1

A2

A3

A4

CS

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

V

DD

V

SS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A5

A6

A7

A8

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44-PIN

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A15

A14

A13

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

V

SS

V

DD

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

A12

A11

A10

A9

NC

A15

CORE

ARRAY

UB

CS

OE

WE

LB

控制

数据I / O

I/O1

.

I/O16

引脚说明

符号

A0A15

I/O1I/O16

CS

WE

OE

LB

UB

V

DD

V

SS

NC

描述

地址输入

数据输入/输出

片选输入

写使能输入

输出使能输入

低字节选择I / O1 -I / O8

高字节选择I / O9 -I / O16

电源

地

无连接

-1-

出版日期： 1998年7月

修订A3

W26L010A

真值表

CS

OE

X

H

L

X

WE

LB

UB

X

L

H

L

H

L

H

模式

未选择

输出禁用

2字节读取

低字节读

高字节读

2字节的写

低字节写入

高字节写

输出禁用

I/O1I/O8

高Z

D

OUT

D

OUT

高Z

D

IN

D

IN

高Z

I/O9I/O16

高Z

D

OUT

高Z

D

OUT

D

IN

高Z

D

IN

高Z

V

DD

当前

I

SB

, I

SB1

I

DD

I

DD

I

DD

I

DD

I

DD

I

DD

I

DD

I

DD

H

L

X

H

L

X

L

H

L

H

DC特性

绝对最大额定值

参数

电源电压V

SS

潜力

输入/输出到V

SS

潜力

允许功耗

储存温度

工作温度

等级

-0.5到+4.6

-0.5到V

DD

+0.5

1.5

-65到+150

0至+70

单位

V

W

°C

注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响

装置。

-2-

W26L010A

工作特性

(V

DD

= 3.3V

±5%,

V

SS

= 0V ，T

A

= 0 70℃ ）

参数

输入低电压

输入高电压

输入漏

当前

输出漏

当前

输出低电压

输出高电压

工作电源

电源电流

待机功耗

电源电流

符号。

V

IL

V

IH

I

LI

I

LO

测试条件

-

V

IN

= V

SS

到V

DD

V

I / O

= V

SS

到V

DD

输出引脚处于高Z，

见真值表

I

OL

= 8.0毫安

I

OH

= -4.0毫安

CS = V

IL

（最大），周期=

分钟。

I / O =开放，占空比= 100 ％

10

12

分钟。

-0.5

+2.0

-10

典型值。

-

马克斯。

+0.8

V

DD

+0.3

+10

单位

V

A

V

OL

V

OH

I

DD

-

2.4

-

0.4

-

160

140

30

10

V

mA

I

SB

I

SB1

CS = V

IH

（分钟），循环=分钟。

CS = V

DD

-0.2V ， I / O =开放

所有其他引脚= V

DD

-0.2V/GND

mA

注：在V典型特性进行评价

DD

= 3.3V ，T

A

= 25° C.

电容

(V

DD

= 3.3V ，T

A

= 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容

输入/输出电容

符号。

C

IN

C

I / O

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

AC特性

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载

0V至3V

2纳秒

1.5V

C

L

= 30 pF的，我

OH

/I

OL

= -4毫安/ 8毫安

条件

-3-

出版日期： 1998年7月

修订A3

W26L010A

AC测试负载和波形

R1 320欧姆

3.3V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

350欧姆

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

350欧姆

3.3V

（适用于T

CLZ ，

T

BLZ ，

T

OLZ ，

T

CHZ ，

T

BHZ ，

T

OHZ ，

T

WHZ ，

T

OW

)

3.0V

90%

10%

2纳秒

10%

90%

0V

2纳秒

(V

DD

= 3.3V

±5%,

V

SS

= 0V ，T

A

= 0 70℃ ）

（ 1 ）读周期

参数

符号。

W26L010A-10

W26L010A-12

单位

分钟。

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

输出使能到输出有效

UB ， LB访问时间

从地址变更输出保持

片选到输出中低Z

芯片取消在高Z输出

输出使能到输出中低Z

输出禁止到输出中高Z

UB ， LB选择要输出在低Z

UB

,

LB

取消选择到输出中高Z

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

马克斯。

-

10

5

分钟。

12

3

0

马克斯。

-

12

6

nS

T

RC

T

AA

T

ACS

T

OE

T

BA

T

OH

T

CLZ *

T

CHZ *

T

OLZ *

T

OHZ

*

T

BLZ *

T

BHZ *

10

3

0

-4-

W26L010A

AC特性，继续

（ 2 ）写周期

参数

符号。

W26L010A-10

W26L010A-12

单位

分钟。

写周期时间

片选写的结束

地址有效到写结束

地址建立时间

UB ， LB选择完写的

把脉冲宽度

写恢复时间

CS ， WE

T

WC

T

CW

T

AW

T

AS

T

BW

T

WP

T

WR

T

DW

T

DH

T

WHZ *

T

OW *

10

9

0

9

0

6

0

3

马克斯。

6

分钟。

12

10

0

10

0

7

0

3

马克斯。

7

nS

数据有效到写结束

从写结束数据保持

写在高Z输出

写结束到输出有效

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

-5-

出版日期： 1998年7月

修订A3