【W24LH832K×8 CMOS静态RAM概述该W24LH8是一个正常的速度，极低的功耗CMOS静态】,IC型号W24LH8Q-55LE,W24LH8Q-55LE PDF资料,W24LH8Q-55LE经销商,ic,电子元器件-51电子网

W24LH8

32K

×

8 CMOS静态RAM

概述

该W24LH8是一个正常的速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为32768

×

8比特

工作在宽电压范围从2.7V至5.5V电源供电。该W24LH8家庭， W24LH8-55LE

和W24LH8-55LI ，能满足各种工作温度的要求。该装置是

采用Winbond公司的高性能CMOS技术制造。

特点

低功耗

访问时间： 55纳秒（ 5V

±10%),

100纳秒（ 3V

±10%)

2.7V至5.5V的电源电压

全静态操作

所有输入和输出直接TTL兼容

三态输出

备用电池操作能力

数据保持电压： 2V （分钟）

可用的软件包： 330万SOP标准

键入1 TSOP （ 8毫米

×

13.4 mm)

销刀豆网络gurations

框图

CLK GEN 。

A12

A14

预充电CKT 。

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28-pin

SOP

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

DD

#WE

A13

A8

A9

A11

#OE

A10

#CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A13

I/O1

I/O8

R

O

W

D

E

C

O

D

E

R

核心单元阵列

512行

64× 8列

数据

CNTRL 。

CLK

将军

I / O CKT 。

列解码器

#WE

#CS

#OE

A11 A10 A1 A0 A8 A9

引脚说明

#OE

A11

A9

A8

A13

#WE

V

DD

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

A10

#CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

V

SS

I/O3

I/O2

I/O1

A0

A1

A2

符号

A0A14

I/O1I/O8

#CS

#WE

#OE

V

DD

V

SS

描述

地址输入

数据输入/输出

片选输入

写使能输入

输出使能输入

电源

地

28-pin

TSOP

-1-

出版日期： 2001年3月

修订A3

W24LH8

真值表

#CS

H

L

#OE

X

H

L

X

#WE

X

H

L

模式

未选择

输出禁用

读

写

I/O1I/O8

高Z

数据输出

DATA IN

V

DD

当前

I

SB

, I

SB

1

I

DD

I

DD

I

DD

DC特性

绝对最大额定值

参数

电源电压V

SS

潜力

输入/输出到V

SS

潜力

允许功耗

储存温度

工作温度

LE

LI

等级

-0.5到+7.0

-0.5到V

DD

+0.5

1.0

-65到+150

-20到85

-40到85

单位

V

W

°C

注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响

该装置。

工作特性

(V

SS

= 0V ;牛逼

A

（℃） = -2085为LE ; -40至85为LI）

参数

输入低电压

输入高电压

输入漏电流

输出漏电流

符号。

V

IL

V

IH

I

LI

I

LO

测试条件

-

V

IN

= V

SS

到V

DD

V

I / O

= V

SS

到V

DD,

#CS = V

IH

（分）或

#OE = V

IH

（分）或

#WE = V

IL

（ MAX 。）

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1.0毫安

分钟。

-0.5

+2.0

-1

马克斯。

+0.6

V

DD

+0.5

+1

单位

V

A

输出低电压

输出高电压

V

OL

V

OH

-

2.2

0.4

-

V

-2-

W24LH8

经营特色，继续

参数

符号。

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

工作电源

当前

备用电源

当前

I

DD

I

SB

I

SB1

#CS = V

IL

（最大），I / O = 0毫安，

周期=分钟。占空比= 100 ％

#CS = V

IH

（分钟），循环=分钟。

占空比= 100 ％

#CS

≥

V

DD

-0.2V

5V

3V

-

0.5

70

40

1

5

mA

A

注意：典型参数周围温度T下测量

A

= 25° C和V

DD

= 5V/ 3V.

电容

(T

A

= 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容

输入/输出电容

符号。

C

IN

C

I / O

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

AC特性

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载

0V至2.4V

5纳秒

1.5V

请参见下面的图纸

条件

AC测试负载和波形

1 TTL

产量

100 pF的

INCLUDING

夹具

范围

,

1 TTL

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

（对于T

CLZ ，

T

OLZ ，

T

CHZ

T

OHZ ，

T

WHZ ，

T

OW

)

2.4V

0V

5纳秒

90%

10%

90%

10%

5纳秒

-3-

出版日期： 2001年3月

修订A3

W24LH8

AC特性，继续

(V

SS

= 0V ;牛逼

A

（℃） = -2085为LE ; -40至85为LI）

读周期

参数

符号

3V

±10%

分钟。

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

输出使能到输出有效

芯片选择到输出中低Z

输出使能到输出中低Z

芯片取消选择到输出中高Z

输出禁止到输出中高Z

从地址变更输出保持

这些参数进行采样，而不是100 ％测试

5V

±10%

分钟。

55

-

10

5

-

10

马克斯。

-

55

30

-

20

-

单位

马克斯。

-

100

50

-

35

-

T

RC

T

AA

T

ACS

T

AOE

T

CLZ

*

T

OLZ

*

T

CHZ

*

T

OHZ

*

T

OH

100

-

15

5

-

15

nS

写周期

参数

符号

3V

±10%

分钟。

写周期时间

芯片的选择要写入的结束

地址有效到写结束

地址建立时间

把脉冲宽度

写恢复时间

#CS ， #WE

数据有效到写结束

从写结束数据保持

写在高Z输出

输出禁止到输出中高Z

输出写入结束活动

这些参数进行采样，而不是100 ％测试

T

WC

T

CW

T

AW

T

AS

T

WP

T

WR

T

DW

T

DH

T

WHZ

*

T

OHZ

*

T

OW

100

80

0

70

0

40

0

-

5

马克斯。

-

35

-

5V

±10%

分钟。

55

40

0

30

0

25

0

-

5

马克斯。

-

20

-

nS

单位

-4-

W24LH8

时序波形

读周期1

（地址控制）

T

RC

地址

T

OH

D

OUT

T

AA

T

OH

读周期2

（片选控制）

#CS

T

ACS

T

CLZ

D

OUT

T

CHZ

读周期3

（输出使能控制）

T

RC

地址

牛逼AA

#OE

T

AOE

T

OLZ

#CS

T

ACS

D

OUT

T

CLZ

T

CHZ

T

OHZ

T

OH

-5-

出版日期： 2001年3月

修订A3