W24L011A
128K
×
8高速CMOS静态RAM
概述
该W24L011A是一款高速，低功耗CMOS组织为131072 ×8位的静态RAM
运行在一个单一的3.3伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
高速存取时间： 15年10月12日纳秒
+ 3.3V单电源供电
中心电源/接地引脚配置
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚300密耳SOJ ，小
TSOP -I （8× 13.4毫米） ， TSOP- I（8 ×20mm的）
和400万SOJ
销刀豆网络gurations
A0
A1
A2
A3
CS ＃
I/O1
I/O2
VCC
VSS
I/O3
I/O4
WE＃
A4
A5
A6
A7
A16
A15
A14
A13
OE ＃
I/O8
I/O7
VSS
VCC
I/O6
I/O5
A12
A11
A10
A9
A8
框图
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
A0
.
.
A16
解码器
CORE
ARRAY
CS
OE
WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
引脚说明
符号
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE ＃
I/O8
I/O7
VSS
VCC
I/O6
I/O5
A12
A11
A10
A9
A8
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
A0
A1
A2
A4
CS ＃
I/O1
I/O2
VCC
VSS
I/O3
I/O4
WE＃
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A0
A16
I/O1
I/O8
CS
WE
OE
V
DD
V
SS
32-pin
TSOP
-1-
出版日期： 2002年4月26日
修订A3
W24L011A
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I/O1
I/O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
DD
= 3.3V
±5%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
符号。
VI
L
VI
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
DD
测试条件
-
-
VIN = V
SS
到V
DD
VI / O = V
SS
到V
DD
， CS = V
IH
（分）或
OE = V
IH
（分钟）或WE = V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
CS = V
IL
（最大值） ， I / O = 0毫安
周期= MIM 。 ，占空比= 100 ％
10
12
15
分钟。
-0.5
+2.0
-10
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.8
V
DD
+0.5
+10
单位
V
V
A
A
V
V
-10
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+10
0.4
-
130
120
100
15
5
mA
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB
1
CS = V
IH
（分）
CS
≥
V
DD
-0.2V
mA
mA
注：典型特征是在V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25° C.
-2-
W24L011A
128K
×
8高速CMOS静态RAM
概述
该W24L011A是一款高速，低功耗CMOS组织为131072 ×8位的静态RAM
运行在一个单一的3.3伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
高速存取时间： 15年10月12日纳秒
+ 3.3V单电源供电
中心电源/接地引脚配置
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚300密耳SOJ ，小
TSOP -I （8× 13.4毫米） ， TSOP- I（8 ×20mm的）
和400万SOJ
销刀豆网络gurations
A0
A1
A2
A3
CS ＃
I/O1
I/O2
VCC
VSS
I/O3
I/O4
WE＃
A4
A5
A6
A7
A16
A15
A14
A13
OE ＃
I/O8
I/O7
VSS
VCC
I/O6
I/O5
A12
A11
A10
A9
A8
框图
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
A0
.
.
A16
解码器
CORE
ARRAY
CS
OE
WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
引脚说明
符号
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE ＃
I/O8
I/O7
VSS
VCC
I/O6
I/O5
A12
A11
A10
A9
A8
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
A0
A1
A2
A4
CS ＃
I/O1
I/O2
VCC
VSS
I/O3
I/O4
WE＃
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A0
A16
I/O1
I/O8
CS
WE
OE
V
DD
V
SS
32-pin
TSOP
-1-
出版日期： 2002年4月26日
修订A3
W24L011A
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I/O1
I/O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
DD
= 3.3V
±5%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
符号。
VI
L
VI
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
DD
测试条件
-
-
VIN = V
SS
到V
DD
VI / O = V
SS
到V
DD
， CS = V
IH
（分）或
OE = V
IH
（分钟）或WE = V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
CS = V
IL
（最大值） ， I / O = 0毫安
周期= MIM 。 ，占空比= 100 ％
10
12
15
分钟。
-0.5
+2.0
-10
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.8
V
DD
+0.5
+10
单位
V
V
A
A
V
V
-10
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+10
0.4
-
130
120
100
15
5
mA
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB
1
CS = V
IH
（分）
CS
≥
V
DD
-0.2V
mA
mA
注：典型特征是在V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25° C.
-2-
