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W2465
8K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W2465是组织为8192慢速度，低功耗CMOS静态RAM
×
8位，经营
在单5伏电源。该器件采用Winbond公司的高性能制造
CMOS技术。
特点
低功耗：
主动： 250毫瓦（最大）
待机： 100
W
（最大） （LL版）
250
W
（最大） （L-版本）
访问时间： 70/100纳秒（最大）
+ 5V单电源供电
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
可用的软件包： 28引脚600密耳DIP ，
330万SOP和300万裸泳
引脚配置
框图
V
DD
V
SS
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
DD
WE
CS
A8
A9
A11
A0
.
.
A12
解码器
CORE
ARRAY
CS2
CS1
OE
WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
引脚说明
符号
A0A12
I/O1I/O8
CS1，CS2
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
-1-
出版日期： 1997年4月
修订版A8
W2465
真值表
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
V
OL
V
OH
I
DD
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD
CS1
= V
IH
（分钟）或CS2
= V
IL
（最大值）或
OE
= V
IH
（分）或
WE
= V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 4.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
70
CS1
= V
IL
（ MAX 。 ）
CS2 = V
IH
（分）
I / O = 0 mA时，
100
周期=分钟。
占空比= 100 ％
CS1
= V
IH
（分钟）或CS2
= V
IL
（最大） ，周期=分钟。
占空比= 100 ％
LL
CS1
≥
V
DD
-0.2V
分钟。
-0.5
+2.2
-2
-2
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+2
+2
单位
V
V
A
A
-
2.4
-
-
-
-
-
-
0.4
-
70
60
V
V
mA
mA
备用电源
当前
I
SB
-
-
3
mA
I
SB
1
-
-
-
-
20
50
A
A
或CS2
≤
0.2V
注：典型特征是在V
DD
= 5 V ，T
A
= 25° C.
L
-2-
W2465
电容
(V
DD
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号。
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.6V至2.4V
5纳秒
1.5V
C
L
= 100 pF的，我
OH
/I
OL
= -1毫安/ 4毫安
条件
AC测试负载和波形
R1 1000欧姆
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
660欧姆
5V
产量
R1 1000欧姆
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
660欧姆
（对于T
CLZ1,
T
CLZ2,
T
OLZ ，
T
CHZ1,
T
OHZ ，
T
WHZ ，
T )
CHZ2,
T
OW
2.4V
90%
10%
5纳秒
10%
90%
0.6V
5纳秒
-3-
出版日期： 1997年4月
修订版A8
W2465
AC特性，继续
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
CS1
符号。
T
RC
T
AA
T
ACS
1
T
ACS
2
T
AOE
CS1
W2465-70
分钟。
70
-
-
-
-
5
5
5
-
-
-
10
马克斯。
-
70
70
70
35
-
-
-
30
30
30
-
W2465-10
分钟。
100
-
-
-
-
10
10
5
-
-
-
10
马克斯。
-
100
100
100
50
-
-
-
35
35
35
-
单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
CS2
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
T
CLZ1
*
T
CLZ2
*
T
OLZ
*
T
CHZ1
*
T
CHZ2
*
T
OHZ
*
T
OH
CS2
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
CS1
CS2
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
符号。
T
WC
T
CW1
T
CW2
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR1
T
WR2
T
DW
T
DH
T
WHZ
*
T
OHZ
*
T
OW
CS1
CS2
W2465-70
分钟。
马克斯。
70
-
60
-
60
60
0
45
0
0
30
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
-
W2465-10
分钟。
马克斯。
100
-
80
-
80
80
0
60
0
0
40
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
-
单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
CS1
,
WE
CS2
-4-
W2465
时序波形
读周期1
（地址控制）
T
RC
地址
T
OH
D
OUT
T
AA
T
OH
读周期2
（片选控制）
CS1
T
ACS1
T
CHZ1
CS2
T
ACS2
T
CHZ2
T
CLZ1
D
OUT
T
CLZ2
读周期3
（输出使能控制）
T
RC
地址
T
AA
OE
T
AOE
T
OLZ
T
OH
CS1
T
ACS1
T
CLZ1
T
CHZ1
CS2
T
ACS2
T
CLZ2
T
CHZ2
T
OHZ
D
OUT
-5-
出版日期： 1997年4月
修订版A8
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