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W24258
32K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24258是一个正常的速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为32768
×
8比特
工作在宽电压范围从2.7V至5.5V电源供电。该W24258系列， W24258-
70LE和W24258-70LI ，能满足各种工作温度的要求。该装置是
采用Winbond公司的高性能CMOS技术制造。
特点
低功耗：
主动： 350毫瓦（最大）
待机： 6
W
(max.)/3V
25
W
(max.)/5V
访问时间（最大） 70纳秒/ 5V
百纳秒（最大） / 3V系统
单3V / 5V电源供电
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
封装采用28引脚600密耳DIP， 330万SOP
与标准型1 TSOP （ 8毫米
×
13.4
mm)
销刀豆网络gurations
框图
CLK GEN 。
A12
A14
A2
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
预充电CKT 。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-pin
DIP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
DD
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A3
A4
A5
A6
A7
A13
I/O1
I/O8
核心单元阵列
512行
64× 8列
数据
CNTRL 。
CLK
将军
I / O CKT 。
列解码器
WE
CS
OE
A11 A10 A1 A0 A8 A9
引脚说明
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
28-pin
TSOP
符号
A0A14
I/O1I/O8
CS
WE
OE
V
DD
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
-1-
出版日期： 1998年11月
修订版A8
W24258
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
LE
LI
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
-20到85
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%;
V
DD
= 3V
±10%;
V
SS
= 0V ;牛逼
A
（℃） = -2085为LE ; -40至85为LI）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏
当前
输出漏
当前
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD,
CS = V
IH
（分）或
OE = V
IH
（分）或
WE = V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
5V
±10%
分钟。
-0.5
+2.2
-1
-1
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+1
+1
3V
±10%
分钟。
-0.5
+2.0
-1
-1
马克斯。
+0.6
V
DD
+0.5
+1
+1
单位
V
V
A
A
输出低电压
输出高
电压
V
OL
V
OH
-
2.4
0.4
-
-
2.2
0.4
-
V
V
-2-
W24258
经营特色，继续
参数
符号。
测试条件
分钟。
5V
±10%
典型值。
3V
±10%
单位
马克斯。分钟。典型值。马克斯。
操作
电源
当前
待机
电源
当前
I
DD
CS = V
IL
（最大） ，I / O = 0毫安，
周期=分钟，占空比= 100 ％
CS = V
IH
（分钟） ，循环=
分钟，占空比= 100 ％
CS
≥
V
DD
-0.2V
-
-
70
-
-
30
mA
I
SB
-
-
3
-
-
1
mA
I
SB
1
-
0.7
5
-
0.5
2
A
注意：典型参数周围温度T下测量
A
= 25° C和V
DD
= 5V / 3V.
电容
(V
DD
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号。
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
条件
3V
±10%,
0V至2.4V
5V
±10%,
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参见下面的图纸
AC测试负载和波形
1 TTL
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
（对于T
CLZ ，
T
OLZ ，
T
CHZ ，
T
OHZ ，
T
WHZ ，
T
OW
)
2.4V/3.0V
0V
5纳秒
90%
10%
90%
10%
5纳秒
1 TTL
-3-
出版日期： 1998年11月
修订版A8
W24258
AC特性，继续
(V
DD
= 5V
±10%;
V
DD
= 3V
±10%;
V
SS
= 0V ;牛逼
A
（℃） = -2085为LE ; -40至85为LI）
读周期
参数
符号。
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
5V
马克斯。
-
70
70
35
-
-
30
30
-
分钟。
100
-
-
-
15
5
-
-
15
3V
马克斯。
-
100
100
50
-
-
35
35
-
单位
T
RC
T
AA
T
ACS
T
AOE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
70
-
-
-
10
5
-
-
10
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
写周期
参数
符号。
分钟。
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
CS ， WE
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR
T
DW
T
DH
T
WHZ
*
T
OHZ
*
T
OW
70
50
50
0
50
0
30
0
-
-
5
5V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
-
分钟。
100
70
70
0
70
0
50
0
-
-
10
3V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
-
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
单位
-4-
W24258
时序波形
读周期1
（地址控制）
T
RC
地址
T
OH
D
OUT
T
AA
T
OH
读周期2
（片选控制）
CS
T
ACS
T
CLZ
D
OUT
T
CHZ
读周期3
（输出使能控制）
T
RC
地址
T
AA
OE
T
AOE
T
OLZ
CS
T
ACS
D
OUT
T
CLZ
T
CHZ
T
OHZ
T
OH
-5-
出版日期： 1998年11月
修订版A8
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