W24257
32K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24257是一个缓慢的速度，低功耗CMOS静态RAM组织为32768
×
8位，经营
在单5伏电源。该器件采用Winbond公司的高性能制造
CMOS技术。
特点
低功耗：
主动： 325毫瓦（最大）
待机： 75
W
（最大） （LL版）
150
W
（最大） （L-版本）
访问时间： 70纳秒（最大）
单身
+5V
电源
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
封装采用28引脚330密耳SOP ，
标准型1 TSOP （8毫米× 13.4毫米）
销刀豆网络gurations
框图
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
V
DD
#WE
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
A0
.
.
A14
解码器
CORE
ARRAY
28-pin
SOP
23
22
21
20
19
18
17
16
15
#CS
#OE
#WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
#OE
A11
A9
A8
A13
#WE
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-pin
TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
#CS
I / O 8
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
V
SS
I / O 3
I / O 2
I / O 1
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0A14
I/O1I/O8
#CS
#WE
#OE
V
DD
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
-1-
出版日期： 2001年2月
修订版A16
W24257
真值表
#CS
H
L
L
L
#OE
X
H
L
X
#WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃的LL / L -2085 ℃， LE）的
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD,
#CS = V
IH
（分钟）或#OE = V
IH
（分）或
#WE = V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 4.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
#CS = V
IL
（分） ，
I / O = 0毫安周期=分钟，
占空比= 100 ％
#CS = V
IH
（分）
周期=分钟，占空比= 100 ％
#CS
≥
V
DD
-0.2V
LL / LE
L
分钟。
-0.5
+2.2
-2
-2
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+2
+2
单位
V
V
A
A
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.4
-
-
-
-
0.4
-
70
V
V
mA
I
SB
I
SB1
-
-
-
-
-
-
3
15
30
mA
A
A
注：典型特征是在V
DD
= 5V ，T
A
= 25° C.
-2-
W24257
AC特性，继续
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃的LL / L -2085 ℃， LE）的
读周期
参数
符号
W24257-70
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
T
RC
T
AA
T
ACS
T
AOE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
70
-
-
-
10
5
-
-
10
马克斯。
-
70
70
35
-
-
30
30
-
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
单位
写周期
参数
符号
W24257-70
分钟。
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
#CS ， #WE
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR
T
DW
T
DH
T
WHZ
*
T
OHZ
*
T
OW
70
60
60
0
45
0
30
0
-
-
0
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
-
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
单位
-4-
W24257
32K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24257是一个缓慢的速度，低功耗CMOS静态RAM组织为32768
×
8位，经营
在单5伏电源。该器件采用Winbond公司的高性能制造
CMOS技术。
特点
低功耗：
主动： 325毫瓦（最大）
待机： 75
W
（最大） （LL版）
150
W
（最大） （L-版本）
访问时间： 70纳秒（最大）
单身
+5V
电源
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
封装采用28引脚330密耳SOP ，
标准型1 TSOP （8毫米× 13.4毫米）
销刀豆网络gurations
框图
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
V
DD
#WE
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
A0
.
.
A14
解码器
CORE
ARRAY
28-pin
SOP
23
22
21
20
19
18
17
16
15
#CS
#OE
#WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
#OE
A11
A9
A8
A13
#WE
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-pin
TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
#CS
I / O 8
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
V
SS
I / O 3
I / O 2
I / O 1
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0A14
I/O1I/O8
#CS
#WE
#OE
V
DD
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
-1-
出版日期： 2001年2月
修订版A16
W24257
真值表
#CS
H
L
L
L
#OE
X
H
L
X
#WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃的LL / L -2085 ℃， LE）的
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD,
#CS = V
IH
（分钟）或#OE = V
IH
（分）或
#WE = V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 4.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
#CS = V
IL
（分） ，
I / O = 0毫安周期=分钟，
占空比= 100 ％
#CS = V
IH
（分）
周期=分钟，占空比= 100 ％
#CS
≥
V
DD
-0.2V
LL / LE
L
分钟。
-0.5
+2.2
-2
-2
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+2
+2
单位
V
V
A
A
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.4
-
-
-
-
0.4
-
70
V
V
mA
I
SB
I
SB1
-
-
-
-
-
-
3
15
30
mA
A
A
注：典型特征是在V
DD
= 5V ，T
A
= 25° C.
-2-
W24257
AC特性，继续
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃的LL / L -2085 ℃， LE）的
读周期
参数
符号
W24257-70
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
T
RC
T
AA
T
ACS
T
AOE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
70
-
-
-
10
5
-
-
10
马克斯。
-
70
70
35
-
-
30
30
-
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
单位
写周期
参数
符号
W24257-70
分钟。
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
#CS ， #WE
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR
T
DW
T
DH
T
WHZ
*
T
OHZ
*
T
OW
70
60
60
0
45
0
30
0
-
-
0
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
-
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
单位
-4-
QQ：2880707522 复制
