初步W24256
32K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24256是一个正常的速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为32768
×
8比特
运行在一个单一的5伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
低功耗：
访问时间： 70纳秒（最大）
主动： 300毫瓦
待机： 250
W
单5V电源
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
封装采用28引脚600密耳DIP， 330万SOP
与标准型1 TSOP （ 8毫米
×
13.4
mm)
销刀豆网络gurations
框图
CLK GEN 。
A12
A14
A2
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
预充电CKT 。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-pin
DIP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
DD
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A3
A4
A5
A6
A7
A13
I/O1
I/O8
核心单元阵列
512行
64× 8列
数据
CNTRL 。
CLK
将军
I / O CKT 。
列解码器
WE
CS
OE
A11 A10 A1 A0 A8 A9
引脚说明
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
符号
A0A14
I/O1I/O8
CS
WE
28-pin
TSOP
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
OE
V
DD
V
SS
-1-
出版日期： 1999年10月
修订版A1
初步W24256
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±
10%; V
SS
= 0V ;牛逼
A
= 0
°
C至70
°
C)
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
VI / O = V
SS
到V
DD
， CS = V
IH
（分）或
OE
= V
IH
（分）或
WE
= V
IL
（ MAX 。 ）
分钟。
-0.5
+2.2
-5
-5
TYP 。 *
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+1
+5
+5
单位
V
V
A
A
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
备用电源
当前
V
OL
V
OH
I
DD
I
SB
I
SB1
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
CS
= V
IL
（最大） ，I / O = 0毫安，
周期=分钟，占空比= 100 ％
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
-
60
3
100
50
V
V
mA
mA
A
A
CS = V
IH
（分钟） ，循环=分钟。
占空比= 100 ％
CS
≥
V
DD
-0.2V
L
LL
注意：典型参数周围温度T下测量
A
= 25° C和V
DD
= 5V.
-2-
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