W24010
128K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24010是正常速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为131072
×
8比特
工作在宽电压范围从2.7V至5.5V电源供电。该W24010系列， W24010-
70LE和W24010-70LI ，能满足各种工作温度的要求。该装置是
采用Winbond公司的高性能CMOS技术制造。
特点
低功耗：
主动： 350毫瓦（最大）
待机： 15
W
（最大） / 3V系统
50
W
（最大） / 5V
访问时间（最大） 70纳秒/ 5V
百纳秒（最大） / 3V系统
单3V / 5V电源供电
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
封装采用32引脚600密耳DIP， 450万SOP ，
标准型1 TSOP （ 8毫米
×
20毫米）和
小键入一个TSOP （ 8毫米
×
13.4 mm)
销刀豆网络gurations
框图
CLK GEN 。
A16
预充电CKT 。
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A14
A12
A4
A3
A2
A7
A6
A5
A9
I/O1
:
I/O8
数据
CNTRL 。
CLK
将军
WE
CS1
CS2
OE
A15 A13 A8 A1 A0 A11A10
I / O CKT 。
列解码器
D
E
C
O
D
E
R
R
O
W
核心单元阵列
1024行
128× 8列
引脚说明
符号
A0A16
I/O1I/O8
CS1，CS2
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
出版日期： 1998年11月
修订A6
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
-1-
W24010
真值表
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
LE
LI
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
-20到85
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%;
V
DD
= 3V
±10%;
V
SS
= 0V ;牛逼
A
（℃） = -2085 LE时，在-40 85为LI）的
参数
符号。
测试条件
分钟。
5V
TYP 。 *
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+1
+1
分钟。
-0.5
+2.0
-1
-1
3V
TYP 。 *
-
-
-
-
马克斯。
+0.6
V
DD
+0.5
+1
+1
单位
输入低电压
输入高电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
VI / O = V
SS
到V
DD
,
CS1
= V
IH
（分）
或CS2 = V
IL
（ MAX 。 ）
或OE = V
IH
（分）
or
WE
= V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
-0.5
+2.2
-1
-1
V
V
A
A
输出低电压
输出高
电压
V
OL
V
OH
-
2.4
-
-
0.4
-
-
2.2
-
-
0.4
-
V
V
-2-
W24010
AC特性，继续
(V
DD
= 5 V
±10%;
V
DD
= 3 V
±10%;
V
SS
= 0 V ;牛逼
A
（℃） = -2085 LE时，在-40 85为LI）的
读周期
参数
符号。
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
5V
马克斯。
-
70
70
35
-
-
30
30
-
分钟。
100
-
-
-
15
5
-
-
15
3V
马克斯。
-
100
100
50
-
-
35
35
-
单位
T
RC
T
AA
T
ACS
T
AOE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
70
-
-
-
10
5
-
-
10
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
写周期
参数
符号。
分钟。
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
CS1
1，CS 2 ，我们
5V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
-
分钟。
100
70
70
0
70
0
50
0
-
-
10
3V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
-
单位
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR
T
DW
T
DH
T
WHZ
*
T
OHZ
*
T
OW
70
50
50
0
50
0
30
0
-
-
5
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
-4-
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