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VVZB 120
三相半控
整流桥
用IGBT ，快恢复二极管
对于制动系统
V
RRM
V
1200
1400
1600
VVZB 120-12 IO1
VVZB 120-14 IO1
VVZB 120-16 IO1
TYPE
V
RRM
= 1200-1600 V
I
DAV
= 120 A
符号
I
DAV
I
疲劳风险管理
/I
真有效值
I
FSM
/I
TSM
I
2
t
整流桥
条件
T
例
= 80℃，正弦波120度
T
例
= 80 ° C，每腿
T
VJ
= 25 ° C， T = 10毫秒，V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 ° C， T = 10毫秒，V
R
= 0 V
T
VJ
= 25 ° C， T = 10毫秒，V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 ° C， T = 10毫秒，V
R
= 0V
T
VJ
= T
VJM
重复的，我
T
= 150 A
F = 50 Hz时，T
P
= 200 s
V
D
=
2
/
3
V
DRM
I
G
= 0.45 A,
非重复性的，我
T
= I
D（ AV ）
/3
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
=
2
/
3
V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
D（ AV ）
/3
t
P
= 30 s
t
P
= 300 s
t
P
= 10毫秒
最大额定值
120
77
750
670
2810
2240
150
A
A
A
A
A
A
A / μs的
特点
焊接连接的PCB
MOUNTING
隔离电压3600 V
超快续流二极管
方便的封装外形
（ di / dt的）
cr
应用
驱动变频器与制动系统
500
1000
10
5
1
0.5
A / μs的
优势
V / μs的
W
W
W
W
V
V
A
A
A
W
V
A
A
A
A
A
W
031
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAVM
V
CES
V
GE
I
C25
I
C80
I
CM
P
合计
V
RRM
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
FRM
I
FSM
P
合计
快恢复二极管
IGBT
在一个封装2的功能
无需外部隔离
容易用两个螺丝安装
适用于波峰焊
高温和功率循环
能力
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
例
= 25 ° C， DC
T
例
= 80 ° C，DC
t
p
=脉冲宽度限制T
VJM
1200
±
20
78
52
140
222
1200
T
例
= 80°C
T
例
= 80℃ ，矩形D = 0.5
T
例
= 80℃ ，矩形D = 0.5
T
例
= 80 ° C，T
P
= 10微秒， F = 5千赫
T
VJ
= 45℃， t为10毫秒
T
VJ
= 150℃， t为10毫秒
T
例
= 80°C
27
38
待定
200
180
64
根据IEC 60747数据
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-3
VVZB 120
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
0.3
5
1.47
mA
mA
V
I
R
, I
D
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
整流桥
V
R
= V
RRM
/V
DRM
,
V
R
= V
RRM
/V
DRM
, T
VJ
= 150°C
I
F
= 100 A,
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 150°C
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
T
VJ
T
VJ
T
VJ
=
=
=
=
25°C
-40°C
25°C
-40°C
0.85
V
5毫瓦
1.5
1.6
100
200
0.2
10
450
200
2
150
90
11
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
s
s
C
A
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJH
V
BR （CES）上
V
GE （日）
I
GES
I
CES
V
CESAT
t
SC
（ SCSOA ）
T
VJ
= T
VJM
; V
D
=
2
/
3
V
DRM
T
VJ
= T
VJM
; V
D
=
2
/
3
V
DRM
V
D
= 6 V ;牛逼
G
= 30 s
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= T
VJM
; V
D
= 6 V ;
GK
=
V
D
= ½ V
DRM
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= 100 V; V
D
=
2
/
3
V
DRM
; t
P
= 200 s
的dv / dt = 10 V / μs的;我
T
= 120 A; -di / DT = 10 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
-di / DT = 0.64 A / μs的;我
T
/I
F
= 50 A
每个晶闸管/二极管;正弦120 °埃尔。
每个晶闸管/二极管;正弦120 °埃尔。
V
GS
= 0 V，I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
V
GE
=
±
20 V
V
CE
= 0.8 V
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
,T
VJ
= 150°C
V
GE
= 15 V，I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.6 V
CES
, T
VJ
= 125°C,
R
G
= 11
W,
不重复
1200
5
1 K / W
1.3 K / W
8
500
0.5
3
3.35
10
100
9
65
200
待定
待定
4.1
5.7
V
V
nA
mA
mA
V
s
A
nF
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.32 K / W
0.45 K / W
RBSOA
C
IES
t
D（上）
t
D（关闭）
t
ri
t
fi
E
on
E
关闭
R
thJC
R
thJH
IGBT
V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.8 V
CES
, T
VJ
= 125°C,
R
G
= 11
W,
钳位感性负载， L = 100 μH
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0 V
V
CE
= 0.6 V
CES
, I
C
= 25 A
V
GE
= 15 V ，R
G
= 11
W
感性负载; L = 100 μH
T
VJ
= 125°C
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-3
VVZB 120
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
3
0.75
7
2.55
mA
mA
V
I
R
V
F
V
T0
r
T
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thJH
快恢复二极管
V
R
V
R
I
F
= V
RRM
,
T
VJ
= 25°C
= 0.8 V
RRM
,T
VJ
= 150°C
= 30 A,
T
VJ
= 25°C
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 150°C
I
F
V
R
I
F
V
R
= 30 A， - 二
F
/ DT = 240 A / μs的
= 100 V
= 1 A,
= 30 V
- 二
F
/ DT = 100 A / μs的
16
40
1.65
V
18.2毫瓦
18
60
A
ns
1.1 K / W
1.5 K / W
常见的特定连接的阳离子
最大额定值
-40...+150
150
-40...+125
50/60赫兹
I
ISOL
1毫安
模块
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
d
S
d
A
a
R
25
B
25/100
T = 1分
t=1s
(M5)
（ 10-32 UNF ）
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
g
mm
mm
M / S
2
kW
K
3000
3600
2-2.5
18-22
80
12.7
11
50
2.1
3560
安装力矩
典型值。
表面的爬电距离
在空袭的距离
最大允许的加速度
热敏电阻
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-3
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VTF366BX
VI-LUL-EV
VBD15-D48-D5
VN5770AKTR-E
VRE202CA
VCO190-190T
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    VVZB120-12IO1
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VVZB120-12IO1
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