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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第128页 > VVZ24-14IO1
VVZ 24
三相半控
整流桥
I
DAVM
= 27 A
V
RRM
= 1200-1600 V
V
RSM
V
帝斯曼
V
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
1200
1400
1600
TYPE
5
7
4
2
1
6
3
1
2
5
3
6
4
7
8
VVZ 24-12io1
VVZ 24-14io1
VVZ 24-16io1
8
符号
I
DAV
I
DAVM
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
K
= 100 ℃;模
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
21
27
16
300
320
270
290
450
430
365
350
150
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
特点
q
q
q
q
q
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3600 V
平面钝化芯片
焊接端子
UL注册的电子72873
应用
q
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
q
q
输入整流器的开关模式电源
电源（SMPS ）
软启动电容充电
电力驱动及助剂
优势
q
q
q
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= T
VJM
重复的，我
T
= 50 A
F = 400赫兹，T
P
=200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 1/3 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
500
1000
10
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
g
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
10
5
1
0.5
-40...+125
125
-40...+125
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
安装力矩
典型值。
T = 1分
t=1s
(M5)
（ 10-32 UNF ）
3000
3600
2-2.5
18-22
28
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管，除非另有说明。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-3
744
VVZ 24
符号
I
R
, I
D
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
测试条件
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
F
, I
T
= 30 A，T
VJ
= 25°C
对于只功率损耗计算
(T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
特征值
5
0.3
1.45
mA
mA
V
1
V
16毫瓦
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
V
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
ms
ms
mC
K / W
K / W
K / W
K / W
V
GD
I
GD
I
L
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
I
G
= 0.3 A;吨
G
= 30
ms
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.3 A;迪
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= 125°C ;我
T
= 15 A，T
p
= 300
女士，
-di / DT = 10 A / MS
V
R
= 100 V， dv / dt的= 20 V / ms的，V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
马克斯。允许加速
（典型值） 。 150
75
2.1
0.35
2.7
0.45
7 mm
7 mm
50米/ s的
2
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-3
VVZ 24
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
1
1
2
3
6
4
5
4: P
GAV
= 0.5 W
I
GD
, T
VJ
= 125°C
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
0.1
1
10
100
1000
I
G
mA
图。 1浪涌过载每块芯片的电流
I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
吨随时间的变化（1-10毫秒）
每个芯片
图。 3门极触发特性
触发：
图。 4功耗与直接输出电流和环境温度
3
ZTH
JK
K / W
ZTH
JK
2
常量Z的
thJK
计算
1
i
1
2
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
t
10
2
R
THI
（K / W）
0.17
1.4
1.1
t
i
(s)
0.028
0.44
2.6
0
10
-3
版权所有2000 IXYS所有权利。
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750
图。 5瞬态热阻抗结到散热器
VVZ 24
三相半控
整流桥
I
DAVM
= 27 A
V
RRM
= 1200-1600 V
2
1
6
3
1
2
5
3
6
4
7
8
V
RSM
V
帝斯曼
V
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
1200
1400
1600
TYPE
5
7
4
VVZ 24-12io1
VVZ 24-14io1
VVZ 24-16io1
8
符号
I
DAV
I
DAVM
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
K
= 100 ℃;模
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
21
27
16
300
320
270
290
450
430
365
350
150
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
特点
q
q
q
q
q
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3600 V
平面钝化芯片
焊接端子
UL注册的电子72873
应用
q
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
q
q
输入整流器的开关模式电源
电源（SMPS ）
软启动电容充电
电力驱动及助剂
优势
q
q
q
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= T
VJM
重复的，我
T
= 50 A
F = 400赫兹，T
P
=200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 1/3 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
500
1000
10
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
g
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
10
5
1
0.5
-40...+125
125
-40...+125
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
安装力矩
典型值。
T = 1分
t=1s
(M5)
（ 10-32 UNF ）
3000
3600
2-2.5
18-22
28
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管，除非另有说明。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有 2003 IXYS所有权利。
1-3
303
VVZ 24
符号
I
R
, I
D
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
测试条件
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
F
, I
T
= 30 A，T
VJ
= 25°C
对于只功率损耗计算
(T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
特征值
5
0.3
1.45
mA
mA
V
1
V
16毫瓦
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
V
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
ms
ms
mC
K / W
K / W
K / W
K / W
V
GD
I
GD
I
L
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
I
G
= 0.3 A;吨
G
= 30
ms
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.3 A;迪
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= 125°C ;我
T
= 15 A，T
p
= 300
女士，
-di / DT = 10 A / MS
V
R
= 100 V， dv / dt的= 20 V / ms的，V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
马克斯。允许加速
（典型值） 。 150
75
2.1
0.35
2.7
0.45
7 mm
7 mm
50米/ s的
2
版权所有 2003 IXYS所有权利。
2-3
VVZ 24
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
1
1
2
3
6
4
5
4: P
GAV
= 0.5 W
I
GD
, T
VJ
= 125°C
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
0.1
1
10
100
1000
I
G
mA
图。 1浪涌过载每块芯片的电流
I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
吨随时间的变化（1-10毫秒）
每个芯片
图。 3门极触发特性
触发：
图。 4功耗与直接输出电流和环境温度
3
ZTH
JK
K / W
ZTH
JK
2
常量Z的
thJK
计算
1
i
1
2
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
t
10
2
R
THI
（K / W）
0.17
1.4
1.1
t
i
(s)
0.028
0.44
2.6
0
10
-3
版权所有 2003 IXYS所有权利。
3-3
750
图。 5瞬态热阻抗结到散热器
VVZ 24
三相半控
整流桥
I
DAVM
= 27 A
V
RRM
= 1200-1600 V
V
RSM
V
帝斯曼
V
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
1200
1400
1600
TYPE
5
7
4
2
1
6
3
1
2
5
3
6
4
7
8
VVZ 24-12io1
VVZ 24-14io1
VVZ 24-16io1
8
符号
I
DAV
I
DAVM
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
K
= 100 ℃;模
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
21
27
16
300
320
270
290
450
430
365
350
150
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
特点
q
q
q
q
q
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3600 V
平面钝化芯片
焊接端子
UL注册的电子72873
应用
q
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
q
q
输入整流器的开关模式电源
电源（SMPS ）
软启动电容充电
电力驱动及助剂
优势
q
q
q
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= T
VJM
重复的，我
T
= 50 A
F = 400赫兹，T
P
=200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 1/3 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
500
1000
10
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
g
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
10
5
1
0.5
-40...+125
125
-40...+125
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
安装力矩
典型值。
T = 1分
t=1s
(M5)
（ 10-32 UNF ）
3000
3600
2-2.5
18-22
28
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管，除非另有说明。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-3
744
VVZ 24
符号
I
R
, I
D
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
测试条件
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
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I
F
, I
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= 30 A，T
VJ
= 25°C
对于只功率损耗计算
(T
VJ
= 125°C)
V
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V
D
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VJ
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VJ
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T
VJ
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T
VJ
= -40°C
T
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D
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V
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DRM
T
VJ
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T
VJ
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T
VJ
= 125°C
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
特征值
5
0.3
1.45
mA
mA
V
1
V
16毫瓦
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
V
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
ms
ms
mC
K / W
K / W
K / W
K / W
V
GD
I
GD
I
L
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
I
G
= 0.3 A;吨
G
= 30
ms
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.3 A;迪
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= 125°C ;我
T
= 15 A，T
p
= 300
女士，
-di / DT = 10 A / MS
V
R
= 100 V， dv / dt的= 20 V / ms的，V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
马克斯。允许加速
（典型值） 。 150
75
2.1
0.35
2.7
0.45
7 mm
7 mm
50米/ s的
2
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2-3
VVZ 24
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
1
1
2
3
6
4
5
4: P
GAV
= 0.5 W
I
GD
, T
VJ
= 125°C
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
0.1
1
10
100
1000
I
G
mA
图。 1浪涌过载每块芯片的电流
I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
吨随时间的变化（1-10毫秒）
每个芯片
图。 3门极触发特性
触发：
图。 4功耗与直接输出电流和环境温度
3
ZTH
JK
K / W
ZTH
JK
2
常量Z的
thJK
计算
1
i
1
2
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
t
10
2
R
THI
（K / W）
0.17
1.4
1.1
t
i
(s)
0.028
0.44
2.6
0
10
-3
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3-3
750
图。 5瞬态热阻抗结到散热器
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