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VUO 70
三相
整流桥
I
DAV
= 70 A
V
RRM
= 800-1600 V
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
类型
A
E
D
C
B
VUO
VUO
VUO
VUO
70-08NO7
70-12NO7
70-14NO7
70-16NO7
符号
I
DAV
I
FSM
条件
T
C
= 100℃,模
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
70
550
600
500
550
1520
1520
1250
1250
-40...+150
150
-40...+125
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
g
特点
包以铜基板
隔离电压3000 V
平面钝化芯片
低正向压降
"快于电源端子
应用
供应直流电源设备
输入整流器的PWM逆变器
电池的直流电源
场供应直流电机
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
符号
I
R
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
优势
易于使用两颗螺钉安装
空间和减轻重量
改进的温度和功率
循环能力
体积小,重量轻
2500
3000
5 ± 15 %
44 ± 15 %
110
安装扭矩( M5 )
( 10-32 UNF )
典型值。
条件
V
R
= V
RRM
;
V
R
= V
RRM
;
I
F
= 150 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
特征值
0.5
10
1.7
0.8
8
1.45
0.242
1.9
0.317
16.1
7.5
50
mA
mA
V
V
m
K / W
K / W
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
对于只功率损耗计算
二极管;直流电流
模块
二极管,直流电流
模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
马克斯。允许加速
版权所有 2003 IXYS所有权利。
1-2
316
根据IEC 60747的数据指的是单个二极管,除非另有说明
对于电阻性负载的电桥输出。 IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
VUO 70
30
A
I F ( OV )
------
我FSM
IFSM ( A)
TVJ=45°C
TVJ=150°C
500
550
4
10
2
As
25
20
15
10
5
IF
T=150°C
1.6
1.4
3
TVJ=45°C
1.2
10
TVJ=150°C
1
0 V RRM
0.8
1/2 V RRM
T=25°C
VF
0.6
1 V RRM
0
10
2
1
1
V
2
1.5
0.4
10
0
10
1
T [毫秒] 10
2
10
3
4
T [毫秒]
6
10
图。 1
正向电流与
每个二极管的压降
图。 2
浪涌每二极管过载电流
I
FSM
:峰值。 T:时间
图。 3
i
2
DT与时间的关系
每个二极管或晶闸管( 1-10ms )
100
200
[W]
PSD 41
0.38 0.26
0.51
= RTHCA [ K / W]
TC
105
110
80
DC
[A]
sin.180°
rec.120°
rec.60°
rec.30°
175
150
60
115
125
0.76
120
40
100
1.26
125
130
75
50
25
PVTOT
0
DC
sin.180°
rec.120°
rec.60°
rec.30°
20
135
2.76
140
145
IDAV
0
°C
150
50
100
TC ( ℃)
150
200
20
IFAVM
40
60
0
[A]
50
TAMB
100
[K]
150
图。 4
功耗与直接输出电流和
环境温度
Fig.5
最大正向电流
在外壳温度
K / W
3
2
thJK
thJC
1
ZTH
0.01
图。 6
0.1
T [ S]
1
10
316
每个二极管或晶闸管的瞬态热阻抗,计算
2-2
版权所有 2003 IXYS所有权利。
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