先进的技术信息
VUI 30-12 N1
整流模块
三相功率因数校正
典型的整流市电电源
P
n
= 15千瓦
在V
n
= 400 V 3 ; F
T
= 15千赫;牛逼
C
= 80°C
晶体管T
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
不重复
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
95
65
100
V
CES
10
V
V
A
A
A
s
特点
NPT IGBT与低饱和电压
快速恢复外延二极管( FRED )
模块封装:
-
-
-
-
高集成度
焊接端子用于PCB安装
孤立DCB陶瓷基板
大爬和走的距离
应用
三相整流器与功率因数
校正,设置如下:
从三相电源输入
- 宽范围的输入电压
- 电源电流近似正弦
同相的电源电压
- 拓扑许可证来控制过流
如在箱子输入电压的峰
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1.7
1.9
4.5
1.8
400
100
70
500
70
3.0
2.2
3.3
240
0.6
2.0
6.5
1.6
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.3 K / W
K / W
=输出
- 直流环节
- 降压型转换器 - 产出减少
电压
- 可能提供升压转换器,
逆变器等。
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
R
thJC
R
thJH
I
C
= 20 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 20 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
所需的组件
- 每一个功率半导体模块
相
- 一个电感器和每一个电容器
在电网侧相
- 输出电感器,这取决于供给
电路
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 50 A
与散热器调糊
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2001 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ,
D- 68623兰佩尔泰姆
电话: + 49-6206-503-0 ,传真: + 49-6206-503627
1-2
IXYS公司
3540巴西特街,圣克拉拉CA 95054
电话: ( 408 ) 982-0700 ,传真: 408-496-0670
106
先进的技术信息
VUI 30-12 N1
二极管D1 - D4
符号
V
RRM
I
F25
I
F80
符号
V
F
I
R
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thJH
模块
符号
T
VJ
T
英镑
V
ISOL
M
d
符号
I
ISOL
≤
1毫安; 50/60赫兹; T = 1分
安装扭矩( M5 )
条件
(T
VJ
d
A
, d
S
重量
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
条件
最大额定值
-40...+150
-40...+125
3600
2 - 2.5
°C
°C
V~
Nm
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
I
F
= 20 A;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
R
= V
RRM
;
T
VJ
= 25°C
V
R
= 0.8V
RRM
; T
VJ
= 125°C
I
F
= 30A ;迪
F
/ DT = -250 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 540 V
传热贴
最大额定值
1200
40
25
V
A
A
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.2
1.9
2
16
400
2.6
2.4
0.75
V
V
mA
mA
A
ns
1.3 K / W
K / W
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
5
35
mm
g
版权所有2001 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ,
D- 68623兰佩尔泰姆
电话: + 49-6206-503-0 ,传真: + 49-6206-503627
2-2
IXYS公司
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电话: ( 408 ) 982-0700 ,传真: 408-496-0670
106
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VUI 30-12 N1
整流模块
三相功率因数校正
典型的整流市电电源
P
n
= 15千瓦
在V
n
= 400 V 3 ; F
T
= 15千赫;牛逼
C
= 80°C
晶体管T
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
不重复
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
95
65
100
V
CES
10
V
V
A
A
A
s
特点
NPT IGBT与低饱和电压
快速恢复外延二极管( FRED )
模块封装:
-
-
-
-
高集成度
焊接端子用于PCB安装
孤立DCB陶瓷基板
大爬和走的距离
应用
三相整流器与功率因数
校正,设置如下:
从三相电源输入
- 宽范围的输入电压
- 电源电流近似正弦
同相的电源电压
- 拓扑许可证来控制过流
如在箱子输入电压的峰
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1.7
1.9
4.5
1.8
400
100
70
500
70
3.0
2.2
3.3
240
0.6
2.0
6.5
1.6
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.3 K / W
K / W
=输出
- 直流环节
- 降压型转换器 - 产出减少
电压
- 可能提供升压转换器,
逆变器等。
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
R
thJC
R
thJH
I
C
= 20 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 20 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
所需的组件
- 每一个功率半导体模块
相
- 一个电感器和每一个电容器
在电网侧相
- 输出电感器,这取决于供给
电路
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 50 A
与散热器调糊
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2001 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ,
D- 68623兰佩尔泰姆
电话: + 49-6206-503-0 ,传真: + 49-6206-503627
1-2
IXYS公司
3540巴西特街,圣克拉拉CA 95054
电话: ( 408 ) 982-0700 ,传真: 408-496-0670
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VUI 30-12 N1
二极管D1 - D4
符号
V
RRM
I
F25
I
F80
符号
V
F
I
R
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thJH
模块
符号
T
VJ
T
英镑
V
ISOL
M
d
符号
I
ISOL
≤
1毫安; 50/60赫兹; T = 1分
安装扭矩( M5 )
条件
(T
VJ
d
A
, d
S
重量
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
条件
最大额定值
-40...+150
-40...+125
3600
2 - 2.5
°C
°C
V~
Nm
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
I
F
= 20 A;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
R
= V
RRM
;
T
VJ
= 25°C
V
R
= 0.8V
RRM
; T
VJ
= 125°C
I
F
= 30A ;迪
F
/ DT = -250 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 540 V
传热贴
最大额定值
1200
40
25
V
A
A
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.2
1.9
2
16
400
2.6
2.4
0.75
V
V
mA
mA
A
ns
1.3 K / W
K / W
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
5
35
mm
g
版权所有2001 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ,
D- 68623兰佩尔泰姆
电话: + 49-6206-503-0 ,传真: + 49-6206-503627
2-2
IXYS公司
3540巴西特街,圣克拉拉CA 95054
电话: ( 408 ) 982-0700 ,传真: 408-496-0670
106