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先进的技术信息
VUI 30-12 N1
整流模块
三相功率因数校正
典型的整流市电电源
P
n
= 15千瓦
在V
n
= 400 V 3 ; F
T
= 15千赫;牛逼
C
= 80°C
晶体管T
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
不重复
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
95
65
100
V
CES
10
V
V
A
A
A
s
特点
NPT IGBT与低饱和电压
快速恢复外延二极管( FRED )
模块封装:
-
-
-
-
高集成度
焊接端子用于PCB安装
孤立DCB陶瓷基板
大爬和走的距离
应用
三相整流器与功率因数
校正,设置如下:
从三相电源输入
- 宽范围的输入电压
- 电源电流近似正弦
同相的电源电压
- 拓扑许可证来控制过流
如在箱子输入电压的峰
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1.7
1.9
4.5
1.8
400
100
70
500
70
3.0
2.2
3.3
240
0.6
2.0
6.5
1.6
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.3 K / W
K / W
=输出
- 直流环节
- 降压型转换器 - 产出减少
电压
- 可能提供升压转换器,
逆变器等。
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
R
thJH
I
C
= 20 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 20 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
所需的组件
- 每一个功率半导体模块
- 一个电感器和每一个电容器
在电网侧相
- 输出电感器,这取决于供给
电路
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 50 A
与散热器调糊
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2001 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ,
D- 68623兰佩尔泰姆
电话: + 49-6206-503-0 ,传真: + 49-6206-503627
1-2
IXYS公司
3540巴西特街,圣克拉拉CA 95054
电话: ( 408 ) 982-0700 ,传真: 408-496-0670
106
先进的技术信息
VUI 30-12 N1
二极管D1 - D4
符号
V
RRM
I
F25
I
F80
符号
V
F
I
R
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thJH
模块
符号
T
VJ
T
英镑
V
ISOL
M
d
符号
I
ISOL
1毫安; 50/60赫兹; T = 1分
安装扭矩( M5 )
条件
(T
VJ
d
A
, d
S
重量
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
条件
最大额定值
-40...+150
-40...+125
3600
2 - 2.5
°C
°C
V~
Nm
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
I
F
= 20 A;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
R
= V
RRM
;
T
VJ
= 25°C
V
R
= 0.8V
RRM
; T
VJ
= 125°C
I
F
= 30A ;迪
F
/ DT = -250 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 540 V
传热贴
最大额定值
1200
40
25
V
A
A
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.2
1.9
2
16
400
2.6
2.4
0.75
V
V
mA
mA
A
ns
1.3 K / W
K / W
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
5
35
mm
g
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IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ,
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106
先进的技术信息
VUI 30-12 N1
整流模块
三相功率因数校正
典型的整流市电电源
P
n
= 15千瓦
在V
n
= 400 V 3 ; F
T
= 15千赫;牛逼
C
= 80°C
晶体管T
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
不重复
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
95
65
100
V
CES
10
V
V
A
A
A
s
特点
NPT IGBT与低饱和电压
快速恢复外延二极管( FRED )
模块封装:
-
-
-
-
高集成度
焊接端子用于PCB安装
孤立DCB陶瓷基板
大爬和走的距离
应用
三相整流器与功率因数
校正,设置如下:
从三相电源输入
- 宽范围的输入电压
- 电源电流近似正弦
同相的电源电压
- 拓扑许可证来控制过流
如在箱子输入电压的峰
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1.7
1.9
4.5
1.8
400
100
70
500
70
3.0
2.2
3.3
240
0.6
2.0
6.5
1.6
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.3 K / W
K / W
=输出
- 直流环节
- 降压型转换器 - 产出减少
电压
- 可能提供升压转换器,
逆变器等。
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
R
thJH
I
C
= 20 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 20 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
所需的组件
- 每一个功率半导体模块
- 一个电感器和每一个电容器
在电网侧相
- 输出电感器,这取决于供给
电路
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 50 A
与散热器调糊
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2001 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ,
D- 68623兰佩尔泰姆
电话: + 49-6206-503-0 ,传真: + 49-6206-503627
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IXYS公司
3540巴西特街,圣克拉拉CA 95054
电话: ( 408 ) 982-0700 ,传真: 408-496-0670
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VUI 30-12 N1
二极管D1 - D4
符号
V
RRM
I
F25
I
F80
符号
V
F
I
R
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thJH
模块
符号
T
VJ
T
英镑
V
ISOL
M
d
符号
I
ISOL
1毫安; 50/60赫兹; T = 1分
安装扭矩( M5 )
条件
(T
VJ
d
A
, d
S
重量
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
条件
最大额定值
-40...+150
-40...+125
3600
2 - 2.5
°C
°C
V~
Nm
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
I
F
= 20 A;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
R
= V
RRM
;
T
VJ
= 25°C
V
R
= 0.8V
RRM
; T
VJ
= 125°C
I
F
= 30A ;迪
F
/ DT = -250 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 540 V
传热贴
最大额定值
1200
40
25
V
A
A
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.2
1.9
2
16
400
2.6
2.4
0.75
V
V
mA
mA
A
ns
1.3 K / W
K / W
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
5
35
mm
g
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VUI30-12N1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
VUI30-12N1
IXYS
24+
9000
Module
原装正品现货
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
VUI30-12N1
IXYS
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
VUI30-12N1
IXYS/艾赛斯
24+
32883
MODULE
公司现货,全新原厂原装正品!
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
VUI30-12N1
IXYS
24+
10000
模块
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
VUI30-12N1
IXYS
24+
5000
模块
全新原装现货,原厂代理。
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电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
VUI30-12N1
IXYS
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
VUI30-12N1
IXYS
24+
2100
MODULE
一级代理/全新原装现货 供应!!!
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
VUI30-12N1
IXYS
24+
2100
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一级代理/全新原装 现货 供应!!!
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
VUI30-12N1
IXYS
2024
286
MOUDLE
上海原装现货,专营模块
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电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
联系人:张小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室 (亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
VUI30-12N1
IXYS
22+
1200
模块
公司专业分销产品,全新原装!
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