VTS40100CT
新产品
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.375 V ,在我
F
= 5 A
主要额定值及特点
I
F( AV
)
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
100 V
250 A
TO-220AB
3
2
1
0.61 V
150 °C
销1
3脚
销2
例
特点
沟槽MOS肖特基技术
低正向压降,低功率损耗
高效率运行
低热阻
浸焊260℃ 40秒
机械数据
案例:
TO-220AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
安装扭矩:
最大10磅
典型应用
对于高频率逆变器的使用,开关电源
用品,续流二极管,或门二极管,直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有规定编
参数
最大重复峰值反向电压
RMS反向电压
阻断电压DC
最大正向平均整流电流
(参见图1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
每腿重复峰值反向电流
在T
p
= 2微秒, 1千赫
变化的电压率(额定V
R
)
工作结存储温度范围
每个器件
每腿
每腿
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
VTS40100CT
100
70
100
40
20
250
1.0
10000
- 20至+ 150
单位
V
V
V
A
A
A
V
°C
文档编号88926
08-Dec-05
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VTS40100CT
威世通用半导体
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定编
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
V
F
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
( BR )
典型值。
100(最低)
0.463
0.535
0.664
0.375
0.445
0.605
13.7
8.4
I
R
69.6
22.5
马克斯。
-
-
-
0.73
-
-
0.67
500
15
1000
45
A
mA
A
mA
V
单位
V
正向电压
(1)
在我
F
= 5 A
每腿
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
反向电流在额定V
RM ( 1 )
每腿
在V
R
= 70 V
在V
R
= 100 V
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定编
参数
每腿典型热阻
符号
R
θJC
VTS40100CT
2.0
单位
° C / W
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明)
50
300
峰值正向浪涌电流( A)
0
25
50
75
100 125
外壳温度( ° C)
150
175
平均正向电流( A)
40
250
200
150
30
20
100
10
50
0
0
1
10
100
数
环,在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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文档编号88926
08-Dec-05
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文档编号: 91000
修订: 08 -APR- 05
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