VSMY7850X01
威世半导体
高功率红外发光二极管，
850纳米，表面发射器技术
特点
封装类型：表面贴装
包装形式：小星
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 6.0× 7.0 ×1.5
峰值波长：
p
= 850 nm的
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 60°
低正向电压
专为高驱动电流：高达1 A的直流和高达
4脉冲A
低热阻，R
thJP
= 10 K / W
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ） -free回流焊
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
21783
描述
VSMY7850X01是红外线， 850nm的发光二极管的基础
表面发射器技术，具有较高的辐射功率和
高速模低热阻小星
封装。 A 42万芯片提供了出色的低正向
电压，并允许该装置的直流操作高达1 A.
应用
对于CMOS摄像头红外照明（ CCTV）
驾驶辅助系统
机器视觉红外数据传输
产品概述
部件
VSMY7850X01
I
e
（毫瓦/ SR）
170
（度）
± 60
p
（纳米）
850
t
r
（纳秒）
20
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMY7850X01-GS08
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 2000件， 2000件/卷
包装形式
小星
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/引脚
文档编号： 81145
1.0版， 31 -MAR- 11
命中率。图7中， J-STD- 20
命中率。 J- STD- 051 ，焊接在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
½
100 μs
t
p
= 100 μs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJP
价值
5
1
2
4
2.5
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
10
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
K / W
www.vishay.com
1
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
VSMY7850X01
威世半导体
高功率红外发光二极管，
850纳米，表面发射器技术
3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
P
V
- 功耗（ W）
2
1.5
1
R
thJP
= 10 K / W
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
I
F
- 正向电流（ A）
2.5
R
thJP
= 10 K / W
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
p
上升时间
下降时间
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 1 A，T
p
= 20毫秒
I
F
= 4 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 1 A
V
R
= 5 V
I
F
= 1 A，T
p
= 20毫秒
I
F
= 4 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 1 A，T
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
I
e
I
e
e
TK =
e
p
TK =
p
t
r
t
f
130
170
630
520
- 0.5
± 60
850
30
0.2
15
18
分钟。
典型值。
2.0
3.2
- 0.2
10
390
马克斯。
2.5
单位
V
V
毫伏/ K
μA
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
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2
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81145
1.0版， 31 -MAR- 11
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VSMY7850X01
高功率红外发光二极管，
威世半导体
850纳米，表面发射器技术
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10
0°
10°
20°
30°
I
E，相对
- 相对辐射强度
t
p
= 100 s
I
F
- 正向电流（ A）
1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.1
0.01
0.001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
94 8013
V
F
- 正向电压（ V）
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 相对辐射强度对比角位移
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
t
p
= 100 s
100
10
1
0.01
21778
0.1
1
10
I
F
- 正向电流（ A）
图。 4 - 辐射强度与正向电流
1
Φ
E，相对
- 相对辐射功率
0.75
0.5
0.25
0
650
21776
750
850
950
λ-
波长（nm ）
图。 5 - 相对辐射功率与波长
文档编号： 81145
1.0版， 31 -MAR- 11
如有技术问题，请联系：
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3
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- 角位移
VSMY7850X01
威世半导体
高功率红外发光二极管，
850纳米，表面发射器技术
大坪尺寸
以毫米为单位
20846
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4
如有技术问题，请联系：
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文档编号： 81145
1.0版， 31 -MAR- 11
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VSMY7850X01
高功率红外发光二极管，
威世半导体
850纳米，表面发射器技术
包装尺寸
以毫米为单位
20848
文档编号： 81145
1.0版， 31 -MAR- 11
如有技术问题，请联系：
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5
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VSMY7850X01
www.vishay.com
威世半导体
高功率红外发光二极管， 850纳米，
表面发射器技术
特点
21783
描述
VSMY7850X01是红外线， 850nm的发光二极管的基础
表面发射器技术，具有较高的辐射功率和
高速模低热阻小星
封装。 A 42万芯片提供了出色的低正向
电压，并允许该装置的直流操作高达1 A.
封装类型：表面贴装
包装形式：小星
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 6.0× 7.0 ×1.5
峰值波长：
p
= 850 nm的
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 60°
低正向电压
专为高驱动电流：高达1 A的直流和高达
5 A脉冲
低热阻，R
thJP
= 10 K / W
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ） -free回流焊
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
应用
红外照明的CMOS摄像头（ CCTV）
驾驶员辅助系统
机器视觉红外数据传输
3D电视
产品概述
部件
VSMY7850X01
I
e
（毫瓦/ SR）
170
（度）
± 60
p
（纳米）
850
t
r
（纳秒）
20
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMY7850X01-GS08
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 2000件， 2000件/卷
包装形式
小星
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/引脚
1.0版， 27军， 11
命中率。图7中， J-STD- 20
命中率。 J- STD- 051 ，焊接在PCB
1
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5
1
2
5
2.5
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
10
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81145
t
p
/T = 0.5, t
p
½
100 μs
t
p
= 100 μs
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJP
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VSMY7850X01
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威世半导体
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
3
P
V
- 功耗（ W）
2
1.5
1
R
thJP
= 10 K / W
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
I
F
- 正向电流（ A）
2.5
R
thJP
= 10 K / W
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
p
上升时间
下降时间
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 1 A，T
p
= 20毫秒
I
F
= 5 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 1 A
V
R
= 5 V
I
F
= 1 A，T
p
= 20毫秒
I
F
= 5 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 1 A，T
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
I
e
I
e
e
TK =
e
p
TK =
p
t
r
t
f
分钟。
典型值。
2.0
3.5
- 0.2
不是设计用于反向操作
130
170
780
520
- 0.5
± 60
850
30
0.2
15
18
390
马克斯。
2.5
单位
V
V
毫伏/ K
μA
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
1.0版， 27军， 11
2
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emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81145
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
10
0°
10°
20°
30°
t
p
= 100 s
I
E，相对
- 相对辐射强度
I
F
- 正向电流（ A）
1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
94 8013
V
F
- 正向电压（ V）
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 相对辐射强度对比角位移
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
t
p
= 100 s
100
10
1
0.01
0.1
1
10
I
F
- 正向电流（ A）
图。 4 - 辐射强度与正向电流
1
Φ
E，相对
- 相对辐射功率
0.75
0.5
0.25
0
650
21776
750
850
950
λ-
波长（nm ）
图。 5 - 相对辐射功率与波长
1.0版， 27军， 11
3
如有技术问题，请联系：
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文档编号： 81145
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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- 角位移
VSMY7850X01
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大坪尺寸
以毫米为单位
威世半导体
20846
1.0版， 27军， 11
4
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文档编号： 81145
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以毫米为单位
威世半导体
20848
1.0版， 27军， 11
5
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