VSMS3700
威世半导体
红外发光二极管， 950纳米，砷化镓
特点
封装类型：表面贴装
封装形式： PLCC - 2
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
峰值波长：
λ
p
= 950 nm的
高可靠性
半强度角：
= ± 60°
低正向电压
94 8553
适用于高脉冲电流操作
=好
光谱
光电探测器
匹配
同
Si
包装与红外发射器系列VEMT3700匹配
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
描述
VSMS3700是红外线， 950 nm的发光的砷化镓二极管
技术，成型的PLCC -2封装的表面
安装（ SMD ） 。
铅（Pb） -free回流焊
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
了解更多有关Vishay的汽车级产品
要求在：
www.vishay.com/applications
应用
在触感键盘红外源
IR低空间应用的二极管
PCB安装红外线感应器
发射器的微型光遮断器
产品概述
部件
VSMS3700
I
e
（毫瓦/ SR）
4.5
（度）
± 60
λ
P
（纳米）
950
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMS3700-GS08
VSMS3700-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81373
修订版1.3 ， 03 -NOV- 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
322
VSMS3700
威世半导体
红外发光二极管， 950纳米，
砷化镓
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
180
120
100
80
60
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5
100
200
1.5
170
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
250
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
=
100 μs
t
p
= 100 μs
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
命中率。图11 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，焊接在PCB
T
sd
R
thJA
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70 80
90
100
R
thJA
= 250 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
21341
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21342
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
www.vishay.com
323
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81373
修订版1.3 ， 03 -NOV- 09
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
EN 60825-1
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1.5 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
1.6
30
4.5
35
15
- 0.8
± 60
950
50
0.2
800
400
800
400
0.5
8
分钟。
典型值。
1.3
1.8
- 1.3
100
马克斯。
1.7
单位
V
V
毫伏/ K
μA
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
VSMS3700
红外发光二极管， 950纳米，
砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
威世半导体
10 000
100
0.01
1000
0.02
0.05
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
100
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
10
100
0.2
0.5
DC
1
10
0.1
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
0.1
10
0
94 7956
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
10
1
10
2
10
3
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射强度与正向电流
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
94 7996
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
1
0
1
2
3
4
0.1
10
0
94 8012
10
1
10
2
10
3
10
4
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 辐射功率与正向电流
1.2
V
F REL
- 相对正向电压（V）的
1.6
1.1
I
F
= 10毫安
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
1.0
0.9
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
0.4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
文档编号： 81373
修订版1.3 ， 03 -NOV- 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
324
VSMS3700
威世半导体
红外发光二极管， 950纳米，
砷化镓
1.25
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
I
E，相对
- 相对辐射强度
1.0
0°
10°
20°
30°
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
900
950
λ
- 波长（nm ）
1000
94 8013
94 7994
图。 9 - 相对辐射功率与波长
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
3.5
± 0.2
1.75
± 0.1
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
PIN码识别
0.9
贴装焊盘布局
1.2
区域覆盖
阻焊
2.8
± 0.15
C
A
2.6 (2.8)
2.2
4
2.4
3
+ 0.15
1.6 (1.9)
水彩编号： 6.541-5067.01-4
问题： 5 ; 08年4月11日
20541
模具的位置（仅供参考）
X = +/- 0.2毫米centrical
Y = +/- 0.2毫米centrical
Z = 1.13毫米+/- 0.25毫米，从部件的模具底部的顶
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325
如有技术问题，请联系：
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文档编号： 81373
修订版1.3 ， 03 -NOV- 09
4
- 角位移
VSMS3700
红外发光二极管， 950纳米，
砷化镓
焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
3.5
3.1
2.2
2.0
威世半导体
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
最大。 100秒
4.1
3.9
0.25
94 8668
19841
时间（s）
图。 11 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
图。 13 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
地板寿命： 168
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级3 ， ACC 。以J- STD- 020 。
德缫丝方向
94 8158
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
图。 14 - 开始与卷筒结束
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。
磁带引出可包括载带，只要
盖带未连接到载体带。最少
组件之后是载带挂车与至少
75空隔间，并与盖带密封。
胶带
吸塑带
部件腔
94 8670
图。 12 - 吸塑带
文档编号： 81373
修订版1.3 ， 03 -NOV- 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
326
VSMS3700
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ， 950纳米，砷化镓
特点
封装类型：表面贴装
封装形式： PLCC - 2
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
峰值波长：
λ
p
= 950 nm的
高可靠性
半强度角：
= ± 60°
低正向电压
94
8553
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
包装与红外发射器系列VEMT3700匹配
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
描述
VSMS3700是红外线， 950 nm的发光的砷化镓二极管
技术，成型的PLCC -2封装的表面
安装（ SMD ） 。
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
在触感键盘红外源
IR低空间应用的二极管
PCB安装红外线感应器
发射器的微型光遮断器
产品概述
部件
I
e
（毫瓦/ SR）
（度）
± 60
λ
P
（纳米）
950
t
r
（纳秒）
800
VSMS3700
4.5
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMS3700-GS08
VSMS3700-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
命中率。图11 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，焊接在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
=
100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1.5
170
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
250
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
www.vishay.com
322
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81373
修订版1.2 ， 04 09月08
VSMS3700
红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
950纳米，砷化镓
180
120
100
80
60
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
R
thJA
= 250 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21341
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21342
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
EN 60825-1
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1.5 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
1.6
30
4.5
35
15
- 0.8
± 60
950
50
0.2
800
400
800
400
0.5
8.0
分钟。
典型值。
1.3
1.8
- 1.3
100
马克斯。
1.7
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
文档编号： 81373
修订版1.2 ， 04 09月08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
323
VSMS3700
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
950纳米，砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10 000
100
0.01
1000
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
100
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
10
1
1
0.01
95 9985
0.1
0.1
1
10
10
0
94 7956
10
1
10
2
10
3
10
4
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射强度与正向电流
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
94 7996
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
1
0
1
2
3
4
0.1
10
0
94
8012
10
1
10
2
10
3
10
4
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 辐射功率与正向电流
1.2
V
F REL
- 相对正向
电压
(V)
1.6
1.1
I
F
= 10毫安
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
1.0
0.9
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
0.4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
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324
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81373
修订版1.2 ， 04 09月08
VSMS3700
红外发光二极管，符合RoHS ，
威世半导体
950纳米，砷化镓
0°
I
ê相对
- 相对辐射强度
10°
20°
30°
- 角位移
1.25
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
1.0
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
900
950
1000
0.6
94
8013
0.4
0.2
0
94 7994
λ
-
波长
（纳米）
图。 9 - 相对辐射功率与波长
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
3.5 ± 0.2
1.75 ± 0.1
PIN码识别
0.9
贴装焊盘布局
1.2
覆盖区域
同
阻焊
2.8 ± 0.15
C
A
2.6 (2.8)
2.2
4
2.4
3 + 0.15
1.6 (1.9)
20541
模具的位置（仅供参考）
X = +/- 0.2毫米centrical
Y = +/- 0.2毫米centrical
Z = 1.13毫米+/- 0.25毫米，从部件的模具底部的顶
4
文档编号： 81373
修订版1.2 ， 04 09月08
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VSMS3700
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
950纳米，砷化镓
焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
3.5
3.1
2.2
2.0
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。舷梯
up
3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
0.25
19841
时间（s）
94
8668
图。 11 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020D
图。 13 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
德缫丝方向
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
94
8158
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
图。 14 - 开始与卷筒结束
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。该
磁带引出可包括载带，只要盖
磁带未连接到载体带。最少
组件之后是载带拖车用至少75
空隔间，并与盖带密封。
胶带
吸塑带
部件腔
94
8670
图。 12 - 吸塑带
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