VSML3710
威世半导体
高功率红外发光二极管，符合RoHS ， 940纳米，
砷化镓铝/砷化镓
特点
封装类型：表面贴装
封装形式： PLCC - 2
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
峰值波长：
λ
p
= 940纳米
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
94
8553
半强度角：
= ± 60°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
包装与红外发射器系列VEMT3700匹配
描述
VSML3710是红外线， 940纳米的发光二极管
砷化镓铝/砷化镓技术，高辐射力，成型
一个PLCC -2封装的表面安装（ SMD ） 。
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
IR在断续器，传感器和反射式发射器
传感器
红外发射器在低空间应用
家电
轻触键盘
产品概述
部件
VSML3710
I
e
（毫瓦/ SR）
8
（度）
± 60
λ
P
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSML3710-GS08
VSML3710-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
=
100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
价值
5
100
200
1
160
单位
V
mA
mA
A
mW
文档编号： 81300
修订版1.3 ， 04 09月08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
317
VSML3710
威世半导体
高功率红外发光二极管，
符合RoHS ， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
命中率。图11 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，焊接在PCB
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
250
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
180
120
100
80
60
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
R
thJA
= 250 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21343
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21344
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
4
25
8
60
35
- 0.6
± 60
940
50
0.2
800
500
800
500
0.44
20
分钟。
典型值。
1.35
2.6
- 1.8
100
马克斯。
1.6
3.0
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
www.vishay.com
318
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81300
修订版1.3 ， 04 09月08
VSML3710
高功率红外发光二极管，
符合RoHS ， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
威世半导体
10 000
100
0.01
1000
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
100
15903
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
10
1
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
0.1
10
0
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射强度与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
Φ
e
-
1000
10
3
100
10
2
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
1
10
1
10
0
0
13600
1
2
3
4
0.1
10
0
94
8740
V
F
- 前进
电压
(V)
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 辐射功率与正向电流
1.2
I
F
= 1毫安
I
F
- 前进
电压
(V)
1.6
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
16848
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
文档编号： 81300
修订版1.3 ， 04 09月08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
319
VSML3710
威世半导体
高功率红外发光二极管，
符合RoHS ， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
0°
1.25
10°
20°
30°
Φ
REL
- 相对辐射功率
e
I
ê相对
- 相对辐射强度
1.0
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
0.6
94
8013
0.4
0.2
0
14291
λ
-
波长
（纳米）
图。 9 - 相对辐射功率与波长
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
3.5 ± 0.2
1.75 ± 0.1
PIN码识别
0.9
贴装焊盘布局
1.2
覆盖区域
同
阻焊
2.8 ± 0.15
C
A
2.6 (2.8)
2.2
4
2.4
3 + 0.15
1.6 (1.9)
20541
焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。舷梯
up
3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
文档编号： 81300
修订版1.3 ， 04 09月08
19841
时间（s）
图。 11 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020D
www.vishay.com
320
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
4
- 角位移
VSML3710
高功率红外发光二极管，
符合RoHS ， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
威世半导体
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。该
磁带引出可包括载带，只要盖
磁带未连接到载体带。最少
组件之后是载带拖车用至少75
空隔间，并与盖带密封。
10.0
9.0
胶带
120°
吸塑带
4.5
3.5
2.5
1.5
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
13.00
12.75
63.5
60.5
部件腔
94
8670
图。 12 - 吸塑带
3.5
3.1
2.2
2.0
180
178
14.4最大。
94
8665
图。 15 - 卷轴- GS08的尺寸
10.4
8.4
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
120°
4.5
3.5
2.5
1.5
0.25
13.00
12.75
62.5
60.0
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
94
8668
图。 13 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
321
329
14.4最大。
18857
图。 16 - 卷轴- GS18的尺寸
盖带去除力
去除力在于n的0.1 N和1.0在去除
速度为5毫米/秒。为了防止部件从
飞出的水泡，盖带必须拉断
在180 °相对于进给方向的角度。
德缫丝方向
94
8158
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
图。 14 - 开始与卷筒结束
文档编号： 81300
修订版1.3 ， 04 09月08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
321
VSML3710
威世半导体
高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓
特点
封装类型：表面贴装
封装形式： PLCC - 2
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
峰值波长：
λ
p
= 940纳米
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
94 8553
半强度角：
= ± 60°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅光电探测器良好的光谱匹配
包装与红外发射器系列VEMT3700匹配
描述
VSML3710是红外线， 940纳米的发光二极管
砷化镓铝/砷化镓技术，高辐射力，成型
在PLCC -2封装的表面安装（ SMD ） 。
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
了解更多有关Vishay的汽车级产品
要求在：
www.vishay.com/applications
应用
IR在断续器，传感器和反射式发射器
传感器
红外发射器在低空间应用
家电
轻触键盘
产品概述
部件
VSML3710
I
e
（毫瓦/ SR）
8
（度）
± 60
λ
p
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
800
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSML3710-GS08
VSML3710-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81300
修订版1.4 ， 03 -NOV- 09
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
VSML3710
威世半导体
高功率红外发光二极管，
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
180
120
100
80
60
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5
100
200
1
160
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
250
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
=
100 μs
t
p
= 100 μs
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
命中率。图11 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，焊接在PCB
T
sd
R
thJA
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70 80
90
100
R
thJA
= 250 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
21343
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21344
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81300
修订版1.4 ， 03 -NOV- 09
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
4
25
8
60
35
- 0.6
± 60
940
50
0.2
800
500
800
500
0.44
20
分钟。
典型值。
1.35
2.6
- 1.8
100
马克斯。
1.6
3
单位
V
V
毫伏/ K
μA
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
VSML3710
高功率红外发光二极管，
威世半导体
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10 000
t
p
/T = 0.005
100
T
AMB
< 60℃
0.01
1000
0.02
0.05
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
100
0.2
0.5
DC
1
10
0.1
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
15903
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
0.1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射强度与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
Φ
e
-
1000
10
3
100
10
2
t
P
= 100 s
t
P
/T = 0.001
10
1
10
1
10
0
0
13600
1
2
3
4
0.1
10
0
94 8740
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 辐射功率与正向电流
1.2
I
F
= 1毫安
I
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
0.4
16848
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
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VSML3710
威世半导体
高功率红外发光二极管，
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
0°
1.25
10°
20°
30°
I
E，相对
- 相对辐射强度
Φ
REL
- 相对辐射功率
e
1.0
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
14291
λ
- 波长（nm ）
94 8013
图。 9 - 相对辐射功率与波长
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
包装尺寸
以毫米为单位
3.5
± 0.2
1.75
± 0.1
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
PIN码识别
0.9
贴装焊盘布局
1.2
区域覆盖
阻焊
2.8
± 0.15
C
A
2.6 (2.8)
2.2
4
2.4
3
+ 0.15
1.6 (1.9)
水彩编号： 6.541-5067.01-4
问题： 5 ; 08年4月11日
20541
焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
地板寿命： 168
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级3 ， ACC 。以J- STD- 020 。
烘干
时间（s）
19841
图。 11 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
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- 角位移
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高功率红外发光二极管，
威世半导体
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。
磁带引出可包括载带，只要
盖带未连接到载体带。最少
组件之后是载带挂车与至少
75空隔间，并与盖带密封。
10.0
9.0
胶带
120°
吸塑带
4.5
3.5
2.5
1.5
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
13.00
12.75
63.5
60.5
部件腔
94 8670
图。 12 - 吸塑带
180
178
14.4最大。
94 8665
3.5
3.1
2.2
2.0
图。 15 - 卷轴- GS08的尺寸
10.4
8.4
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
120°
4.5
3.5
2.5
1.5
0.25
13.00
12.75
62.5
60.0
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
94 8668
图。 13 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
德缫丝方向
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
321
329
14.4最大。
18857
图。 16 - 卷轴- GS18的尺寸
盖带去除力
去除力在于n的0.1 N和1.0在去除
速度为5毫米/秒。为了防止部件从
飞出的水泡，盖带必须拉断
在180 °相对于进给方向的角度。
94 8158
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
图。 14 - 开始与卷筒结束
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