VSMB2943SLX01
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威世半导体
高速红外发光二极管， 940纳米， GaAlAs的， MQW
特点
封装类型：表面贴装
包装形式：侧视图
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.3× 2.55 X 2.3
AEC- Q101标准
峰值波长：
p
= 940纳米
高可靠性
描述
VSMB2943SLX01是红外线， 940纳米，侧视
在GaAlAs的多量子阱发光二极管（ MQW）
技术具有高辐射功率和高转速，成型
在清晰，不着色的塑料包装（含镜头）的表面
安装（ SMD ） 。
高辐射功率
高辐射强度
半强度角：
= ± 25°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与检测VEMD2023SLX01和包装相匹配
VEMT2023SLX01
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
应用
兼容IrDA数据传输
微型光障
光断续器
光开关
远程控制
红外触摸屏
产品概述
部件
VSMB2943SLX01
I
e
（毫瓦/ SR）
20
（度）
± 25
p
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
15
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMB2943SLX01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 3000件， 3000件/卷
包装形式
SIDE VIEW
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
1.0版， 26 -FEB- 13
根据图9 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，导致7毫米，
焊接在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
½
100 μs
t
p
= 100 μs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
160
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
250
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 83479
1
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VSMB2943SLX01
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威世半导体
180
120
100
80
60
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70 80
90
100
R
thJA
= 250 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
21343
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21344
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
的辐射温度系数
动力
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
p
上升时间
下降时间
截止频率
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安， 20 ％至80％
I
F
= 100毫安， 20 ％至80％
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 1毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
毫瓦/平方厘米
2
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1毫安
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
TK
VF
I
R
C
J
I
e
I
e
e
TK =
e
TK =
e
p
TK =
p
t
r
t
f
f
c
920
10
70
20
170
40
- 1.1
- 0.51
± 25
940
25
0.25
15
15
23
960
30
分钟。
1.15
典型值。
1.35
2.2
- 1.8
- 1.1
10
马克斯。
1.6
单位
V
V
毫伏/ K
毫伏/ K
μA
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
1.0版， 26 -FEB- 13
文档编号： 83479
2
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
1000
180
I
ê相对
- 相对辐射强度（ ％ ）
I
F
= 1毫安
160
140
120
I
F
= 100毫安
100
80
60
t
p
= 20毫秒
40
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
t
p
= 100 s
t
p
/T= 0.001
1
0
1
2
3
21534
V
F
- 正向电压（ V）
21444
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 相对辐射强度与环境温度
V
楼REL
- 相对正向电压（ ％ ）
110
108
106
104
102
100
98
96
94
92
90
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
I
F
= 1毫安
t
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安
100
Φ
ê相对
- 相对辐射功率（ ％ ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
840
880
920
960
1000
1040
I
F
= 30毫安
21443
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21445
λ
- 波长（nm ）
图。 4 - 相对正向电压与环境温度
图。 7 - 相对辐射功率与波长
1000
0°
I
ê相对
- 相对辐射强度
t
p
= 100 s
10°
20°
30°
- 角位移
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
100
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
22694
I
F
- 正向电流（ A）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射强度对比角位移
1.0版， 26 -FEB- 13
文档编号： 83479
3
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焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
威世半导体
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
烘干
时间（s）
19841
图。 9 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
包装尺寸
以毫米为单位：
VSMB2943SL
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4
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包带和卷盘尺寸
以毫米为单位：
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