VSK.170PbF ， VSK.250PbF系列
威世半导体
SCR / SCR和SCR /二极管
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 170 A / 250一个
特点
高电压
电隔离底板
3500 V
RMS
隔离电压
工业标准封装
简化机械设计，快速组装
高浪涌能力
大爬电距离
UL认证文件E78996
MAGN -A- PAK
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
描述
这种新的VSK系列MAGN -A- PAK模块采用高
电压大功率晶闸管/晶闸管和晶闸管/二极管
七个基本配置。该半导体是
从金属基底电隔离，从而使公共
散热器和紧凑组件被构建的。它们可以是
相互连接，以形成单相或三相桥
或AC开关时，模块连接在
反并联模式。这些模块被用于一般
目的应用，如电池充电器，电焊工，
电机驱动器， UPS等。
产品概述
I
T（ AV ）
170 A/250 A
主要额定值及特点
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
I
2
t
V
DRM
/V
RRM
T
J
范围
50赫兹
60赫兹
50赫兹
60赫兹
特征
85 °C
VSK.170..
170
377
5100
5350
131
119
1310
高达1600
- 40至130
VSK.250..
250
555
8500
8900
361
330
3610
截至2000年
kA
2
s
kA
2
s
V
°C
A
单位
文档编号： 94417
修订： 02 -JUL- 10
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1
VSK.170PbF ， VSK.250PbF系列
威世半导体
SCR / SCR和SCR /二极管
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 170 A / 250一个
电气规格
电压额定值
类型编号
电压
CODE
04
08
VSK.170-
10
12
14
16
04
08
10
VSK.250-
12
14
16
18
20
V
RRM
/V
DRM
，最大重复
反向峰值和OFF状态
阻断电压
V
400
800
1000
1200
1400
1600
400
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
V
RSM
最大
非重复性峰值
反向电压
V
500
900
1100
1300
1500
1700
500
900
1100
1300
1500
1700
1900
2100
60
50
50
I
RRM
/I
DRM
在130℃下
最大
mA
通态传导
参数
最大平均通态电流
在外壳温度
最大RMS通态电流
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
测试条件
180度通电，半正弦波
作为AC开关
T = 10毫秒
最大峰值，单周期导通状态
非重复性，浪涌电流
I
TSM
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
我最大
2
吨融合
I
2
t
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
我最大
2
t
对于融合
低水平值或阈值电压
阈值电压高的电平值
低水平值通态斜率电阻
高层次的价值通态斜率电阻
最大通态压降
最大保持电流
最大电流闭锁
I
2
t
V
T(TO)1
V
T(TO)2
r
t1
r
t2
V
TM
I
H
I
L
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
正弦
半波，
初始的T
J
=
T
J
最大
VSK.170
170
85
377
5100
5350
4300
4500
131
119
92.5
84.4
1310
0.89
1.12
1.34
0.96
1.60
500
1000
VSK.250
250
85
555
8500
8900
7150
7500
361
330
255
233
3610
0.97
1.00
0.60
0.57
1.44
500
1000
mA
V
m
kA
2
s
V
kA
2
s
A
单位
A
°C
吨= 0.1毫秒至10毫秒，没有再通电的
(16.7 % x
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
X我
T（ AV ）
),
T
J
= T
J
最大
（I GT ;
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
X我
T（ AV ）
), T
J
= T
J
最大
(16.7 % x
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
X我
T（ AV ）
),
T
J
= T
J
最大
（I GT ;
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
X我
T（ AV ）
), T
J
= T
J
最大
I
TM
=
X我
T（ AV ）
, T
J
= T
J
最大， 180度通电，
平均功率= V
T（ TO ）
X我
T（ AV ）
+ r
f
X（我
T（ RMS ）
)
2
阳极电源= 12 V ，最初我
T
= 30 A，T
J
= 25 °C
阳极电源= 12V，电阻负载= 1
,
栅极脉冲： 10 V ， 100微秒，T
J
= 25 °C
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VSK.170PbF ， VSK.250PbF系列
SCR / SCR和SCR /二极管
威世半导体
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 170 A / 250一个
开关
参数
典型的延迟时间
典型上升时间
典型关断时间
符号
t
d
t
r
t
q
测试条件
T
J
= 25 ° C，栅极电流= 1二
g
/ DT = 1 A / μs的
V
d
= 0.67 % V
DRM
I
TM
= 300 A;的di / dt = 15A / μs的;牛逼
J
= T
J
最大;
V
R
= 50 V ;的dV / dt = 20 V / μs的;门0 V， 100
VSK.170
VSK.250
单位
1.0
2.0
50至150
μs
闭塞
参数
最大反向峰值和
断态泄漏电流
RMS绝缘电压
断态电压临界上升率
符号
I
RRM ，
I
DRM
V
插件
dv / dt的
测试条件
T
J
= T
J
最大
50Hz时，电路的基础上，所有的终端短路时， 25 ℃， 1秒
T
J
= T
J
最大的，指数的，以67％为V
DRM
VSK.170
50
3000
1000
VSK.250
60
单位
mA
V
V / μs的
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值栅极电流
最大峰值负栅极电压
最大所需的直流栅极电压来触发
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+ I
GM
- V
GT
V
GT
测试条件
t
p
5毫秒，T
J
= T
J
最大
F = 50 Hz时，T
J
= T
J
最大
t
p
5毫秒，T
J
= T
J
最大
t
p
5毫秒，T
J
= T
J
最大
T
J
= - 40 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= T
J
最大
T
J
= - 40 °C
所需的最大直流栅极电流触发
最大栅极电压，这将不会触发
最大栅极电流触发willnot
上升的最大速率导通电流
I
GT
V
GD
I
GD
的di / dt
T
J
= 25 °C
T
J
= T
J
最大
T
J
= T
J
最大额定V
DRM
应用的
T
J
= T
J
最大额定V
DRM
应用的
T
J
= T
J
最大的，我
TM
= 400 A,
为V
DRM
应用的
阳极电源= 12 V ，
电阻性负载; RA = 1
阳极电源= 12 V ，
电阻性负载; RA = 1
VSK.170
VSK.250
单位
W
A
10.0
2.0
3.0
5.0
4.0
3.0
2.0
350
200
100
0.25
10.0
500
V
mA
A / μs的
mA
V
热和机械规格
参数
接线工作和存储
温度范围
最大热电阻，
每个结点的结到外壳
典型热阻，
案件每个模块散热片
MAP到散热器
安装扭矩± 10 ％
母线到地图
大约重量
机箱样式
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装表面平整，光滑，润滑
一个安装化合物推荐
和扭矩后应复查
一段约3小时，以使该
该化合物的扩散。
测试条件
VSK.170
VSK.250
单位
°C
- 40至130
0.17
0.02
0.125
K / W
0.02
46
Nm
500
17.8
MAGN -A- PAK
g
盎司
文档编号： 94417
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VSK.170PbF ， VSK.250PbF系列
威世半导体
SCR / SCR和SCR /二极管
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 170 A / 250一个
R
传导PER JUNCTION
器件
VSK.170-
VSK.250-
正弦传导AT＆T
J
最大
180°
0.009
0.009
120°
0.010
0.010
90°
0.010
0.014
60°
0.020
0.020
30°
0.032
0.032
矩形传导AT＆T
J
最大
180°
0.007
0.007
120°
0.011
0.011
90°
0.015
0.015
60°
0.020
0.020
30°
0.033
0.033
单位
K / W
记
表示热电阻R的增加
thJC
当器件工作在不同的导通角比DC操作
最大允许外壳温度（ ℃）
120
110
100
90
80
70
60
0
40
VSK.170 ..系列
R
thJC
（DC） = 0.17 K / W
最大通态平均功耗（ W）
130
300
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
通态平均电流（A）
180°
120°
90°
60°
30°
导通角
RMS限制
30°
导通角
60°
90°
120°
180°
80
120
160
200
VSK.170 ..系列
每结
T
J
= 125°C
通态平均电流（A）
图。 1 - 额定电流特性
图。 3 - 通态功耗特性
最大允许外壳温度（ ℃）
120
110
100
90
30°
80
70
60
0
50
100
VSK.170 ..系列
R
thJC
（DC） = 0.17 K / W
最大通态平均功耗（ W）
130
350
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
通态平均电流（A）
导通时间
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
导通时间
60°
90°
120°
180°
DC
250
300
VSK.170 ..系列
每结
T
J
= 125°C
150
200
通态平均电流（A）
图。 2 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
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VSK.170PbF ， VSK.250PbF系列
SCR / SCR和SCR /二极管
威世半导体
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 170 A / 250一个
峰值半正弦波通态电流（A ）
峰值半正弦波通态电流（A ）
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1
10
100
等幅半周期电流脉冲数（N ）
5000
4500
4000
3500
3000
2500
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 130°C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
最大非重复浪涌柯伦吨
对比脉冲序列的持续时间。控制
传导可能不保。
初始的T
J
= 130°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
VSK.170 ..系列
每结
VSK.170 ..系列
每结
0.1
脉冲串持续时间（ S）
2000
0.01
1
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
最大总通态功耗（ W）
400
350
180°
120°
90°
60°
30°
0.
25
0.
3
0.
2
K/
W
16
0.
W
K/
0.1
2
W
K/
R
第1S
8
0. 0
W
K/
A
300
250
200
导通角
150
100
50
0
0
50
K/
W
K/
W
=0
.0 4
K / W
0.3
5
-D
K / W
ê LT
aR
VSK.170 ..系列
每个模块
T
J
= 130°C
100 150 200 250 300 350 400
0
RMS总输出电流（ A）
20
40
60
80
100
120
最大允许环境温度（ ° C）
图。 7 - 通态功耗特性
1000
最大总功率损耗（ W）
SA
R
th
0.
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
50
100
150
200
250
300
0
350
2× VSK.170 ..系列
单相桥
连接的
T
J
= 130°C
180°
（正弦）
180°
（矩形）
0.
1
0.1
04
0.
08
06
0.
W
K/
K/
W
K/
W
. 02
=0
W
K/
W
K/
0. 1
6
0 .2
2K
/W
-D
K/
W
ê LT
a
K / W
0. 2
5K
/W
0.35
K / W
R
20
40
60
80
100
120
总输出电流（A ）
最大允许环境温度（ ° C）
图。 8 - 通态功耗特性
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