VSK.230..PbF系列
威世半导体
SCR / SCR和SCR /二极管
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 230
特点
高压
电绝缘底板
3500 V
RMS
隔离电压
工业标准封装
简化机械设计，快速组装
高浪涌能力
大爬电距离
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
MAGN -A- PAK
描述
这种新的VSK系列MAGN -A- PAK模块采用高
电压大功率晶闸管/晶闸管和晶闸管/二极管
七个基本配置。该半导体是
从金属基底电隔离，从而使公共
散热器和紧凑组件被构建的。它们可以是
相互连接，以形成单相或三相桥
或AC开关时，模块连接在
反并联模式。这些模块被用于一般
目的应用，如电池充电器，电焊工，
电机驱动器， UPS等。
产品概述
I
T（ AV ）
230 A
主要额定值及特点
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
I
2
√t
V
DRM
/V
RRM
T
J
范围
50赫兹
60赫兹
50赫兹
60赫兹
特征
85 °C
值
230
510
7500
7850
280
260
280
截至2000年
- 40至130
kA
2
s
kA
2
√s
V
°C
A
单位
电气规格
电压额定值
类型编号
电压
CODE
08
12
VSK.230-
16
18
20
V
RRM
/V
DRM
，最大重复
反向峰值和OFF状态
阻断电压
V
800
1200
1600
1800
2000
V
RSM
最大
非重复性峰值
反向电压
V
900
1300
1700
1900
2100
50
I
RRM
/I
DRM
在130℃下
最大
mA
文档编号： 93053
修订： 02 -JUL- 10
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1
VSK.230..PbF系列
威世半导体
通态传导
参数
最大平均通态电流
在外壳温度
最大RMS通态电流
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
测试条件
180度通电，半正弦波
作为AC开关
T = 10毫秒
最大峰值，单周期导通状态
非重复性，浪涌电流
I
TSM
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
我最大
2
吨融合
I
2
t
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
我最大
2
√t
对于融合
低水平值或阈值电压
阈值电压高的电平值
低水平值通态斜率电阻
高层次的价值通态斜率
阻力
最大通态压降
最大保持电流
最大电流闭锁
I
2
√t
V
T(TO)1
V
T(TO)2
r
t1
r
t2
V
TM
I
H
I
L
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
正弦
半波，
初始的T
J
=
T
J
最大
值
230
85
510
7500
7850
6300
6600
280
256
198
181
2800
1.03
1.07
0.77
mΩ
0.73
1.59
500
1000
mA
V
kA
2
√s
V
kA
2
s
A
单位
A
°C
SCR / SCR和SCR /二极管
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 230
吨= 0.1毫秒至10毫秒，没有再通电的
(16.7 % x
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
),
T
J
= T
J
最大
（I GT ;
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
= T
J
最大
(16.7 % x
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
),
T
J
= T
J
最大
（I GT ;
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
= T
J
最大
I
TM
=
π
X我
T（ AV ）
, T
J
= T
J
最大， 180度通电，
平均功率= V
T（ TO ）
X我
T（ AV ）
+ r
f
X（我
T（ RMS ）
)
2
阳极电源= 12 V ，最初我
T
= 30 A，T
J
= 25 °C
阳极电源= 12V，电阻负载= 1
Ω,
栅极脉冲： 10 V ， 100微秒，T
J
= 25 °C
开关
参数
典型的延迟时间
典型上升时间
典型关断时间
符号
t
d
t
r
t
q
测试条件
T
J
= 25 ° C，栅极电流= 1二
g
/ DT = 1 A / μs的
V
d
= 0.67 % V
DRM
I
TM
= 300 A;的di / dt = 15A / μs的;牛逼
J
= T
J
最大;
V
R
= 50 V ;的dV / dt = 20 V / μs的;门0 V， 100
Ω
值
1.0
2.0
50至150
μs
单位
闭塞
参数
最大反向峰值和
断态泄漏电流
RMS绝缘电压
断态电压临界上升率
符号
I
RRM ，
I
DRM
V
插件
dv / dt的
测试条件
T
J
= T
J
最大
50Hz时，电路的基础上，所有的终端短路时， 25 ℃， 1秒
T
J
= T
J
最大的，指数的，以67％为V
DRM
值
50
3000
1000
单位
mA
V
V / μs的
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SCR / SCR和SCR /二极管
威世半导体
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 230
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值栅极电流
最大峰值负栅极电压
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+ I
GM
- V
GT
V
GT
测试条件
t
p
≤
5毫秒，T
J
= T
J
最大
F = 50 Hz时，T
J
= T
J
最大
t
p
≤
5毫秒，T
J
= T
J
最大
t
p
≤
5毫秒，T
J
= T
J
最大
T
J
= - 40 °C
最大所需的直流栅极电压来触发
T
J
= 25 °C
T
J
= T
J
最大
T
J
= - 40 °C
所需的最大直流栅极电流触发
I
GT
V
GD
I
GD
的di / dt
T
J
= 25 °C
T
J
= T
J
最大
最大栅极电压，这将不会触发
最大栅极电流触发willnot
上升的最大速率导通电流
T
J
= T
J
最大额定V
DRM
应用的
T
J
= T
J
最大额定V
DRM
应用的
T
J
= T
J
最大的，我
TM
= 400 A,
为V
DRM
应用的
阳极电源= 12 V ，
电阻性负载; RA = 1
Ω
阳极电源= 12 V ，
电阻性负载; RA = 1
Ω
值
10.0
2.0
3.0
5.0
4.0
3.0
2.0
350
200
100
0.25
10.0
500
V
mA
A / μs的
mA
V
单位
W
A
热和机械规格
参数
结工作温度范围
存储温度范围
最大热电阻，
每个结点的结到外壳
典型热阻，
案件每个模块散热片
MAP到散热器
安装扭矩± 10 ％
母线到地图
大约重量
机箱样式
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装表面平整，光滑，润滑
一个安装化合物推荐
和转矩应后进行复核
约3小时的周期内，以允许的传播
的化合物。
测试条件
值
- 40至130
- 40150
0.125
K / W
0.02
单位
°C
46
Nm
500
17.8
MAGN -A- PAK
g
盎司
ΔR
传导PER JUNCTION
器件
VSK.230-
正弦传导AT＆T
J
最大
180°
0.009
120°
0.010
90°
0.010
60°
0.020
30°
0.032
矩形传导AT＆T
J
最大
180°
0.007
120°
0.011
90°
0.015
60°
0.020
30°
0.033
单位
K / W
记
表示热电阻R的增加
thJC
当器件工作在不同的导通角比DC操作
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SCR / SCR和SCR /二极管
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 230
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
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SCR / SCR和SCR /二极管
威世半导体
（ MAGN -A- PAK功率模块） ， 230
图。 7 - 通态功耗特性
图。 8 - 通态功耗特性
图。 9 - 通态功耗特性
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