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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第194页 > VSC7991CD
Vitesse公司
半导体公司
先期产品信息
VSC7991
特点
最大上升/ 38ps的下降时间
高速运行
(高达10.7GB / s的NRZ数据)
=差分输入
SONET / SDH的10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
单电源
CML兼容的数据输入
片上50Ω输入端接
50Ω输出阻抗
概述
该VSC7991是与单个7V电源, 10.7GB / s的电吸收调制器(EAM ) /激光二极管驱动器
直接访问的激光调制的FET 。激光器偏置电流和调制电流由外部元件设置
允许的电压电平的精确监测和设置。数据输入是差分端接至50Ω 。
应用
的SONET / SDH @ 2.488Gb / s时, 9.952Gb / s时, 10.7GB / s的
VSC7991框图
60
(1)
60
(1)
50
(1)
DIN
50
(1)
NDOUT
DOUT
300
(1)
NDIN
DCC
注: ( 1 )片上组件。
要人
IMOD
300
(1)
IB
IBN
IP
G52321-0 ,版本2.3
02/26/01
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半导体公司
741卡莱普莱诺卡马里奥, CA 93012
联系电话: ( 800 ) VITESSE 传真: ( 805 ) 987-5896 电子邮件: prodinfo@vitesse.com
互联网: www.vitesse.com
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SDH / SONET 10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
先期产品信息
VSC7991
AC特性
(在推荐的工作条件)
表1 :高速输入/输出
符号
IRL
ORL
参数
输入回波损耗
,
50Ω系统
输出回波损耗, 50Ω系统
典型值
15
12
最大
单位
dB
dB
条件
50MHz至10GHz的
50MHz至10GHz的
表2 :激光驱动器AC电气规格
符号
t
R
t
F
抖动
参数
输出上升和下降时间
输出抖动
过冲/下冲
占空比
典型值
最大
38
15
+10
+25
单位
ps
皮秒/ π-π
%
%
条件
50Ω负载, 20%至80 %以下,V
MOD
= 3V
50Ω负载,V
MOD
= 3V
DCC中的V的范围内
SS
0.5V至V
SS
+2V
10
25
DC特性
(在推荐的工作条件)
表3 :功耗
符号
I
VSS
P
D
参数
电源电流(V
SS
)
总功耗
典型值
300
2040
最大
330
2244
单位
mA
mW
条件
V
SS
=
6.8,
R
L
= 50Ω到GND ,
I
MOD
= 120毫安,V
BIAS
= 0V
V
SS
=
6.8,
R
L
= 50Ω到GND
I
MOD
= 120毫安,V
BIAS
= 0V
表4 :激光驱动器DC电气规格
符号
V
BIAS
V
MOD
V
OCM
IB , IBN
V
IP
V
IH
V
IL
V
SW(1)
DCC
参数
可编程输出失调电压
调制电压幅值
输出电压符合
激光偏置控制电压
激光调制控制电压
输入高电压
输入低电压
输入电压摆幅
占空比控制
0.8
1.5
典型值
最大
0
3
0
V
SS
+
0.7
0
0.60
1000
V
SS
+
2V
单位
V
V
V
V
V
mV
V
MVP -P
条件
10
V
SS
150
1.00
450
V
SS
0.5V
4
注: DIN和NDIN输入需要进行差分驱动。如果单端驱动器是需要的,它是必要的DC偏置添加到未使用的引脚。
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741卡莱普莱诺卡马里奥, CA 93012
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VSC7991
绝对最大额定值
(1)
SONET / SDH的10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
负电源电压(V
SS
).............................................................................................. V
CC
to
8.0V
所有引脚................................................................................................................................................V
SS
为+ 1.5V左右
电源电压(V
SS
) ......................................................................................................................................... 8V
电源电流(I
SS
) .................................................................................................................................... 500毫安
输入电压(V
IN
)........................................................................................................................................
2.0V
输出电压(V
OUT
).................................................................................................................................
4.0V
调制控制电压(V
IP
).........................................................................................................V
SS
0.5V
输出失调电压控制(IB , IBN ) ..........................................................................................................11V
输出偏移控制电流(I
IB
) .............................................................................................................. 50毫安
最高结温范围
..................................................................................... 55°C
至+ 125°C
存储温度范围:
....................................................................................................... 55°C
至+ 125°C
注意:
( 1 )警告: “绝对最大额定值”,强调可应用于设备一次,而不会造成per-
永久性的损坏。在功能上面列出的值是不是暗示。接触这些值长时间可能
影响器件的可靠性。
推荐工作条件
正电压轨( GND ) .............................................................................................................................. 0V
负电压轨(V
SS
)...........................................................................................................
6.5V
to
7.2V
操作外壳温度(T
C1
) ...................................................................................................0°C至75℃
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第3页
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2354μm ( 0.0927" )
IB
垫34
IB
垫35
GND
垫36
GND
垫37
GND
垫38
GND
垫39
GND
垫40
GND
垫41
VSS
垫42
VSS
垫43
VSS
垫44
VSS
垫45
GND
垫46
GND
垫47
GND
垫48
GND
垫1
NDIN
垫2
GND
PAD 3
SDH / SONET 10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
裸模说明
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GND
垫33
DOUT
垫32
GND
垫31
GND
垫30
50m
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(0.002")
图1 :垫分配
GND
垫4
GND
垫5
GND
垫6
GND
垫7
DIN
垫8
GND
垫9
IBN
PAD 23
IP
PAD 22
IP
PAD 21
GND
PAD 20
GND
PAD 19
要人
PAD 18
VSS
垫17
VSS
垫16
VSS
垫15
VSS
垫14
DCC
垫13
GND
垫12
GND
垫11
NC
PAD 10
1754m
(0.0691")
GND
垫29
GND
垫28
GND
垫27
NDOUT
垫26
GND
PAD 25
IBN
PAD 24
VSC7991
先期产品信息
注:所有尺寸都在微米。在垫坐标指定的48个垫被合并为24个大垫。
芯片尺寸: 2354μm X 1754μm ( 0.0927" X 0.0691" )
模具厚度: 381μm ( 0.015" )
焊盘间距: 150微米( 0.0059" )
垫尺寸: 116μm X 116μm ( 0.0046" X 0.0046" )
垫钝化开幕: 100微米X 100微米( 0.0039" X 0.0039" )
抄写尺寸: 50微米( 0.002" )
50m
(0.002")
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先期产品信息
VSC7991
表5 :垫坐标
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
SONET / SDH的10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
信号
名字
GND
NDIN
GND
GND
GND
GND
GND
DIN
GND
NC
GND
GND
VDCC
VSS
VSS
VSS
VSS
要人
GND
GND
IP
IP
IBN
IBN
坐标( μm)的
X
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2146
1996
1846
1696
1546
1396
1246
1027
808
658
508
358
208
58
Y
1546
1396
1246
1061.5
877
692.5
508
358
208
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
PAD
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
信号
名字
GND
NDOUT
GND
GND
GND
GND
GND
DOUT
GND
IB
IB
GND
GND
GND
GND
GND
GND
VSS
VSS
VSS
VSS
GND
GND
GND
坐标( μm)的
X
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
208
358
508
658
808
958
1108
1258
1408
1558
1708
1858
2008
2158
Y
208
358
508
692.5
877
1061.5
1246
1396
1546
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
1696
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特点
最大上升/ 38ps的下降时间
高速运行
(高达10.7GB / s的NRZ数据)
=差分输入
SONET / SDH的10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
单电源
CML兼容的数据输入
片上50Ω输入端接
50Ω输出阻抗
概述
该VSC7991是与单个7V电源, 10.7GB / s的电吸收调制器(EAM ) /激光二极管驱动器
直接访问的激光调制的FET 。激光器偏置电流和调制电流由外部元件设置
允许的电压电平的精确监测和设置。数据输入是差分端接至50Ω 。
应用
的SONET / SDH @ 2.488Gb / s时, 9.952Gb / s时, 10.7GB / s的
VSC7991框图
60
(1)
60
(1)
50
(1)
DIN
50
(1)
NDOUT
DOUT
300
(1)
NDIN
DCC
注: ( 1 )片上组件。
要人
IMOD
300
(1)
IB
IBN
IP
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电吸收调制器/激光二极管驱动器
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AC特性
(在推荐的工作条件)
表1 :高速输入/输出
符号
IRL
ORL
参数
输入回波损耗
,
50Ω系统
输出回波损耗, 50Ω系统
典型值
15
12
最大
单位
dB
dB
条件
50MHz至10GHz的
50MHz至10GHz的
表2 :激光驱动器AC电气规格
符号
t
R
t
F
抖动
参数
输出上升和下降时间
输出抖动
过冲/下冲
占空比
典型值
最大
38
15
+10
+25
单位
ps
皮秒/ π-π
%
%
条件
50Ω负载, 20%至80 %以下,V
MOD
= 3V
50Ω负载,V
MOD
= 3V
DCC中的V的范围内
SS
0.5V至V
SS
+2V
10
25
DC特性
(在推荐的工作条件)
表3 :功耗
符号
I
VSS
P
D
参数
电源电流(V
SS
)
总功耗
典型值
300
2040
最大
330
2244
单位
mA
mW
条件
V
SS
=
6.8,
R
L
= 50Ω到GND ,
I
MOD
= 120毫安,V
BIAS
= 0V
V
SS
=
6.8,
R
L
= 50Ω到GND
I
MOD
= 120毫安,V
BIAS
= 0V
表4 :激光驱动器DC电气规格
符号
V
BIAS
V
MOD
V
OCM
IB , IBN
V
IP
V
IH
V
IL
V
SW(1)
DCC
参数
可编程输出失调电压
调制电压幅值
输出电压符合
激光偏置控制电压
激光调制控制电压
输入高电压
输入低电压
输入电压摆幅
占空比控制
0.8
1.5
典型值
最大
0
3
0
V
SS
+
0.7
0
0.60
1000
V
SS
+
2V
单位
V
V
V
V
V
mV
V
MVP -P
条件
10
V
SS
150
1.00
450
V
SS
0.5V
4
注: DIN和NDIN输入需要进行差分驱动。如果单端驱动器是需要的,它是必要的DC偏置添加到未使用的引脚。
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绝对最大额定值
(1)
SONET / SDH的10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
负电源电压(V
SS
).............................................................................................. V
CC
to
8.0V
所有引脚................................................................................................................................................V
SS
为+ 1.5V左右
电源电压(V
SS
) ......................................................................................................................................... 8V
电源电流(I
SS
) .................................................................................................................................... 500毫安
输入电压(V
IN
)........................................................................................................................................
2.0V
输出电压(V
OUT
).................................................................................................................................
4.0V
调制控制电压(V
IP
).........................................................................................................V
SS
0.5V
输出失调电压控制(IB , IBN ) ..........................................................................................................11V
输出偏移控制电流(I
IB
) .............................................................................................................. 50毫安
最高结温范围
..................................................................................... 55°C
至+ 125°C
存储温度范围:
....................................................................................................... 55°C
至+ 125°C
注意:
( 1 )警告: “绝对最大额定值”,强调可应用于设备一次,而不会造成per-
永久性的损坏。在功能上面列出的值是不是暗示。接触这些值长时间可能
影响器件的可靠性。
推荐工作条件
正电压轨( GND ) .............................................................................................................................. 0V
负电压轨(V
SS
)...........................................................................................................
6.5V
to
7.2V
操作外壳温度(T
C1
) ...................................................................................................0°C至75℃
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2354μm ( 0.0927" )
IB
垫34
IB
垫35
GND
垫36
GND
垫37
GND
垫38
GND
垫39
GND
垫40
GND
垫41
VSS
垫42
VSS
垫43
VSS
垫44
VSS
垫45
GND
垫46
GND
垫47
GND
垫48
GND
垫1
NDIN
垫2
GND
PAD 3
SDH / SONET 10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
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GND
垫33
DOUT
垫32
GND
垫31
GND
垫30
50m
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(0.002")
图1 :垫分配
GND
垫4
GND
垫5
GND
垫6
GND
垫7
DIN
垫8
GND
垫9
IBN
PAD 23
IP
PAD 22
IP
PAD 21
GND
PAD 20
GND
PAD 19
要人
PAD 18
VSS
垫17
VSS
垫16
VSS
垫15
VSS
垫14
DCC
垫13
GND
垫12
GND
垫11
NC
PAD 10
1754m
(0.0691")
GND
垫29
GND
垫28
GND
垫27
NDOUT
垫26
GND
PAD 25
IBN
PAD 24
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先期产品信息
注:所有尺寸都在微米。在垫坐标指定的48个垫被合并为24个大垫。
芯片尺寸: 2354μm X 1754μm ( 0.0927" X 0.0691" )
模具厚度: 381μm ( 0.015" )
焊盘间距: 150微米( 0.0059" )
垫尺寸: 116μm X 116μm ( 0.0046" X 0.0046" )
垫钝化开幕: 100微米X 100微米( 0.0039" X 0.0039" )
抄写尺寸: 50微米( 0.002" )
50m
(0.002")
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先期产品信息
VSC7991
表5 :垫坐标
PAD
1
2
3
4
5
6
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11
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SONET / SDH的10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
信号
名字
GND
NDIN
GND
GND
GND
GND
GND
DIN
GND
NC
GND
GND
VDCC
VSS
VSS
VSS
VSS
要人
GND
GND
IP
IP
IBN
IBN
坐标( μm)的
X
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2296
2296
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1546
1396
1246
1027
808
658
508
358
208
58
Y
1546
1396
1246
1061.5
877
692.5
508
358
208
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
PAD
25
26
27
28
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30
31
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35
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43
44
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46
47
48
信号
名字
GND
NDOUT
GND
GND
GND
GND
GND
DOUT
GND
IB
IB
GND
GND
GND
GND
GND
GND
VSS
VSS
VSS
VSS
GND
GND
GND
坐标( μm)的
X
58
58
58
58
58
58
58
58
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58
208
358
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958
1108
1258
1408
1558
1708
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2008
2158
Y
208
358
508
692.5
877
1061.5
1246
1396
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