Vitesse公司
半导体公司
先期产品信息
VSC7710
特点
集成的光电/阻扩增
费里家庭优化高速光
通信应用
集成AGC
光纤通道和千兆以太网
光电/阻放大器
家庭的光通信
高带宽
低输入噪声等效功率
单5V电源
产品型号
VSC7710
数据速率
（ Gb / s的）
1.25
带宽
（兆赫）
1300
输入噪声
(
瓦RMS ）
.22
光有源区域
(
米直径）
75
概述
该VSC7710集成PIN光电探测器/阻放大器提供了一个高度集成的解决方案
化，用于将1300纳米的光从光纤通信信道转换成差动输出电压。
Vitesse半导体的砷化镓H-砷化镓III过程中的利益得到充分利用，提供
非常高的带宽和低噪声放大器。该PIN探测器75
米的直径。该探测器偏差被抑制
合股内部省去了一个单独的偏置连接。的敏感性，占空比失真和jit-
器满足或超过所有光纤通道和千兆以太网的应用需求。部分在flat-提供
窗或带透镜封装。
利用光电检测器和跨阻放大器杂交体，降低输入电容，从而导致
较高的灵敏度和带宽和响应的提高速度。这些部件可以很容易地在显影中使用
光纤通道和千兆以太网光电接收器为900-1600纳米光谱范围中展出
非常高的性能和易用性。
VSC7710框图
+5V
+
_
D0
D1
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741卡莱普莱诺卡马里奥， CA 93012
联系电话： （ 800 ） VITESSE 传真： （ 805 ） 987-5896 电子邮件： prodinfo@vitesse.com
互联网： www.vitesse.com
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光电/阻放大器
家庭的光通信
表1：电光规格
符号
V
DD
λ
f
c
T
r
T
f
S
D
r
R
o
V
d
PSRR
I
s
BW
Rd
V
n
NEP
O
PDJ
DCD
½V
波长
低频截止
上升/下降时间
灵敏度
动态范围
单端输出阻抗
差分输出电压
电源抑制比
电源电流
光学调制带宽
微分响应度
输出噪声电压
输入噪声等效光功率
图案相关抖动
占空比失真
偏置失调电压
700
2.5
-28
25
25
0.25
35
62
90
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VSC7710
民
4.5
1270
参数
电源电压
典型值
最大
5.5
1355
1.4
300
单位
V
nm
兆赫
ps
DBM
dB
V
dB
mA
兆赫
毫伏/ μW
条件
-3dB
P = -22dBm ，女
r
= 50MHz的
20 ％至80％
P = -3 dBm的
BER 10
-12
B = 1063Mb / s的
1.2
P = -3 dBm时， R = 100Ω
F = 0.3MHz - 40MHz的
混合差分
P = -28至-3 dBm的
-3dB
P = -22dBm ，女
r
= 50MHz的
Ρ
Λ
= 100
P = -22dBm F
r
= 50MHz的
BW = 1500MHz的， P = 0mW
BW = 1500MHz的， P = 0mW
P = -3dBm
± 10％的电压窗口
P = -3dBm
P = -3dBm
1300
1.2
0.22
60
5
200
mV
RMS
微瓦RMS
ps
%
mV
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图1 ：幅度与频率的关系
VSC7710WB的频率响应（上3分贝频率测量方面的响应频率为50 MHz ）
表2 ：绝对最大额定值
符号
V
DD
T
英镑
P
INC。
电源
储存温度
入射光功率
参数
6V
范围
-55 ° C至125°C （偏情况下）
+3 dBm的
表3 ：推荐工作条件
符号
V
DD
T
op
电源
工作温度
参数
4.5-5.5V （ 5.0V标称值）
范围
0 ℃（环境温度）至70℃的情况下
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描述
数据输出正常（参考入射光）
数据输出补体（反相）（参照入射光）
电源
地（包装盒）
表4 ：针表规格为TO- 46 （球镜） ， TO- 56 （平窗）封装和裸片
符号
D
+
OUT
D
–
OUT
VDD
GND
注：引脚图都相同TO- 46和TO- 56封装形式。
图2 ：引脚图
VDD
D+
OUT
D–
OUT
GND
图3：裸模垫分配图解视图
阳极
D–
OUT
GND
GND
阴极
VDD
D+
OUT
阳极
VDD
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热阻的计算
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以与结温为等效
例
温度，以下热字符
被设置在封装的开创性意义（请注意，热导率是相同的TO-46和TO- 56封装
年龄样式） 。
表5 ：热阻计算TO- 56和TO- 46封装。
芯片尺寸
芯片面积
装模高度（T
DIE
)
环氧厚度（T
环氧树脂
)
头厚度（ Theader ）
（平均为TO-46和TO- 56）的
0.168厘米X 0.104厘米
0.015厘米
2
0.066厘米
0.0076厘米
0.115厘米
散热路径
T
J
θ
砷化镓
θ
型环氧
热导率
砷化镓
环氧
伐
0.55W /厘米℃，
0.0186W /厘米℃，
0.17W /厘米℃，
θ
伐
T
C
θ
砷化镓
θ
环氧树脂
θ
伐
=
T
DIE
K
砷化镓
A
=
0.066
0.55 x 0.015
= 8
° C / W
=
T
环氧树脂
K
环氧树脂
A
T
伐
K
伐
A
=
0.0076
0.0186 x 0.015
= 27.24
° C / W
=
=
0.12
0.17 x 0.015
= 47
° C / W
θ
JC
=热阻从结点到外壳= （ 8 + 27.24 + 47 ） = 82.24
° C / W
例如：
对于VSC7710为25mA和V的标称电源电流
DD
= 5V
温度上升，从结点到外壳= 0.025A X 5V X 82.24
° C / W
= 10.28
°C
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