VS- MURB2020CTPbF ， VS- MURB2020CT - 1PbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器， 2 ×10 FRED铂
VS-MURB2020CTPbF
VS-MURB2020CT-1PbF
特点
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
符合RoHS指令2002/95 / EC
AEC- Q101标准
BASE
常见
阴极
2
BASE
常见
阴极
2
阳极
1
1
3
阳极
常见的2
阴极
2
阳极
1
1
3
阳极
2
常见
阴极
2
说明/应用
MUR ..系列是最先进的超快恢复状态
整流器专门优化的性能设计
的正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间
控制，保证了最佳的整体性能，
耐用性和可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
的SMPS ， UPS ， DC - DC转换器的阶段，以及
在低电压逆变器和斩波续流二极管
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
D
2
PAK
TO-262
产品概述
t
rr
I
F（ AV ）
V
R
25纳秒
2 ×10
200 V
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
设备总
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 145 °C
为V
R
, T
C
= 145 °C
测试条件
马克斯。
200
10
20
100
20
- 65 175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
每腿重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
= 100 μA
I
F
= 8 A，T
J
= 125 °C
正向电压
I
F
= 16 A
I
F
= 16 A，T
J
= 125 °C
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号： 94083
修订： 08 -APR- 10
I
R
C
T
L
S
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
55
8.0
马克斯。
-
0.85
1.15
1.05
15
250
-
-
μA
pF
nH
www.vishay.com
1
V
单位
如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
VS- MURB2020CTPbF ， VS- MURB2020CT - 1PbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 10 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 160 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
21
35
1.9
4.8
25
78
马克斯。
35
25
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
安装面，平整，光滑，
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
-
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
2.5
50
-
-
-
12
(10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
MURB2020CT
MURB2020CT-1
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2
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文档编号： 94083
修订： 08 -APR- 10
VS- MURB2020CTPbF ， VS- MURB2020CT - 1PbF
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
日前，Vishay高功率产品
I
R
- 反向电流（ μA ）
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
0.1
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
1
0.01
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.001
0
94083_02
50
100
150
200
250
94083_01
V
F
- 正向压降（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 1 - 典型正向压降特性
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
1
94083_03
10
100
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单身
脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
0.0001
94083_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94083
修订： 08 -APR- 10
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VS- MURB2020CTPbF ， VS- MURB2020CT - 1PbF
日前，Vishay高功率产品
180
超快整流器，
2 ×10 FRED铂
50
V
R
= 160 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
允许外壳温度（ ℃）
170
40
DC
150
方
波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
t
rr
（纳秒）
160
30
20
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
1000
140
SEE
注（1）
130
0
3
6
9
12
15
94083_07
10
0
100
94083_05
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
15
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
250
V
R
= 160 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
平均功耗（ W）
12
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
200
6
Q
rr
（ NC ）
9
150
100
3
DC
0
0
3
6
9
50
12
15
94083_08
0
100
1000
94083_06
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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文档编号： 94083
修订： 08 -APR- 10
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超快整流器，
2 ×10 FRED铂
V
R
= 200 V
日前，Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号： 94083
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